【技术实现步骤摘要】
一种显示面板、其制作方法及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤指一种显示面板、其制作方法及显示装置。
技术介绍
近年来，低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，LTPS)和金属氧化物(Oxide)两种半导体在显示行业备受关注，各具优势，不分伯仲。LTPS具有迁移率高，充电快的优势，Oxide具有漏电流低的优势。如果能将这两种材料的优势结合在一起，形成LTPO(LTPS+Oxide)产品，那么显示产品的用户体验将有大步提升。但是LTPS和Oxide各自的制备工艺有比较大的区别，即存在工艺兼容性难的问题，工艺稳定性难以保证；并且，LTPS+Oxide工艺制程比较复杂，需要的掩膜版(Mask)数量较多，从而导致产品的成本高，因此，如何在保证LTPS+Oxide工艺稳定性的基础上，减少掩膜版数量，成为亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种显示面板、其制作方法及显示装置，用以解决现有技术中存在的LTPO产品的掩膜版数量较多的问题。第一方面，本专利技术实施例提供了一种显示面板的制作方法，包括：在衬底基板上形成多晶硅层的图形，以形成第...
【技术保护点】
1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成多晶硅层的图形，以形成第一薄膜晶体管的第一有源层；在所述多晶硅层之上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层之上形成半导体氧化物层，以及在所述半导体氧化层之上形成第一金属层；采用同一次构图工艺对所述半导体氧化物层和所述第一金属层进行图形化，以形成第二薄膜晶体管的第二有源层，以及位于所述第二有源层与将要形成的源漏电极层连接的位置处的保护层；在所述第一金属层之上形成第二绝缘层；采用同一次构图工艺对所述第一绝缘层和所述第二绝缘层进行图形化，以形成贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第一过孔，以及贯穿所述第二绝缘层的第二过孔；所...
【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成多晶硅层的图形，以形成第一薄膜晶体管的第一有源层；在所述多晶硅层之上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层之上形成半导体氧化物层，以及在所述半导体氧化层之上形成第一金属层；采用同一次构图工艺对所述半导体氧化物层和所述第一金属层进行图形化，以形成第二薄膜晶体管的第二有源层，以及位于所述第二有源层与将要形成的源漏电极层连接的位置处的保护层；在所述第一金属层之上形成第二绝缘层；采用同一次构图工艺对所述第一绝缘层和所述第二绝缘层进行图形化，以形成贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第一过孔，以及贯穿所述第二绝缘层的第二过孔；所述第一过孔用于导通所述第一有源层与所述源漏电极层，所述第二过孔用于导通所述保护层与所述源漏电极层，且所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述保护层在所述衬底基板上的正投影的范围内；在所述第二绝缘层之上形成源漏电极层的图形，以形成所述第一薄膜晶体管的第一源极和第一漏极，以及所述第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极。2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：与所述保护层采用同一次构图工艺形成第一电极。3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述采用同一次构图工艺对所述半导体氧化物层和所述第一金属层进行图形化之后，所述在所述第一金属层之上形成第二绝缘层之前，还包括：在所述第一金属层之上形成第三绝缘层，以及在所述第三绝缘层之上形成第二金属层；对所述第三绝缘层和所述第二金属层进行图形化，以形成所述第二薄膜晶体管的栅极，以及第二电极；所述第二电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域。4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述采用同一次构图工艺对所述半导体氧化物层和所述第一金属层进行图形化，包括：采用半色调掩膜版对所述半导体氧化物层和所述第一金属层进行同一次构...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨维，袁广才，宁策，卢鑫泓，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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