晶圆测试的方法技术

本发明专利技术提供了晶圆测试的方法，包括：预设目标电压值T和模拟调整比例X的值；测量要改善的晶圆上一颗芯片的第一实际电压值V；实际调整比例W为第一实际电压值V与目标电压值T的差，占第一实际电压值V的百分比；选择与实际调整比例W最接近的模拟调整比例X的最接近项次；将最接近项次及其前后各U个项次，做模拟破坏并测量对应的模拟电压值S；挑选模拟电压值S最接近预设目标电压值T的项次，做电性破坏；计算第二实际电压值P与目标电压值T的差Q；重复上述步骤，测量Z颗芯片，统计所有芯片的差Q的平均值R；将目标电压值T与平均值R的差作为新的目标电压值T；重复上述所有步骤，直到测试结束。

【技术实现步骤摘要】
晶圆测试的方法
本专利技术涉及晶体测试领域，尤其涉及一种先做模拟并确认误差的晶圆测试的方法。
技术介绍
现在有许多产品需要准确的电压来符合应用，目前大多使用破坏电性方式来校正生产晶圆时的差异。图1为现有技术的晶圆测试装置测试晶圆的示意图。现有的一种晶圆测试装置包括一探针组20’，探针组20’具有第一探针21’、第二探针22’、第三探针23’和第四探针24’。探针组20’的四个探针对晶圆1’的测量区域10’中的晶粒进行测试。在测试时，晶圆被固定在真空吸力的卡盘上，在探针装上以金线制成细如毛发之探针(probe)，与每一颗晶粒上的焊垫(pad)同时接触。测试仪将电流或电压通过探针输入被测器件，然后测试该芯片对于此输入信号的响应，得到电性能参数。测试的数量、顺序和类型由计算机过程控制。制具形状根据测试机台(tester)不同而不同，探针的摆放方式也根据待测晶圆位置与测试需求设计会不一样；现有的测试机台(tester)目前最大可到144探针(同时间可以测试144颗晶粒)。图2为现有技术的晶圆测试装置的探针组测量一组晶粒的示意图。图3为现有技术的晶圆测试装置的探针组测量另一组晶粒的示意图。如图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆测试的方法，其特征在于，包括以下步骤：S100、预设目标电压值T，和根据晶圆中芯片的保险丝组在不同电性破坏阶数下所对应的模拟调整比例X的值，所述保险丝组包括U根保险丝，则根据每根保险丝的通断状态，所述保险丝组具有(2U)个电性破坏阶数；S101、测量要改善的晶圆上一颗芯片的第一实际电压值V；S102、获得实际调整比例W，所述实际调整比例W为所述第一实际电压值V与所述目标电压值T的差，占所述第一实际电压值V的百分比；S103、判断所述实际调整比例W是否在所述模拟调整比例X的范围内，若是，则执行步骤S104，若否，则测试结束；S104、选择与所述实际调整比例W最接近的模拟调整比例X中的...

【技术特征摘要】
1.一种晶圆测试的方法，其特征在于，包括以下步骤：S100、预设目标电压值T，和根据晶圆中芯片的保险丝组在不同电性破坏阶数下所对应的模拟调整比例X的值，所述保险丝组包括U根保险丝，则根据每根保险丝的通断状态，所述保险丝组具有(2U)个电性破坏阶数；S101、测量要改善的晶圆上一颗芯片的第一实际电压值V；S102、获得实际调整比例W，所述实际调整比例W为所述第一实际电压值V与所述目标电压值T的差，占所述第一实际电压值V的百分比；S103、判断所述实际调整比例W是否在所述模拟调整比例X的范围内，若是，则执行步骤S104，若否，则测试结束；S104、选择与所述实际调整比例W最接近的模拟调整比例X中的最接近项次；S105、将所述最接近项次及其前后各U个项次，U为正整数，总共(2U+1)个项次做模拟破坏并测量对应的模拟电压值S；S106、挑选所述模拟电压值S最接近所述预设目标电压值T的...

【专利技术属性】
技术研发人员：范智翔，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31