一种在真空环境中进行离子溅射镀膜工艺中使用的挡板制造技术

技术编号:20189000 阅读:69 留言:0更新日期:2019-01-23 06:28
本实用新型专利技术公开了一种在真空环境中进行离子溅射镀膜工艺中使用的挡板,包括真空镀膜腔室、等离子发射装置、辅助等离子发射装置、转盘和靶材,所述等离子发射装置设置于真空镀膜腔室的一侧,等离子发射装置的发射口对准转盘,所述转盘设置于真空镀膜腔室的内部的底面,靶材设置于转盘的下底面,其特征在于:还包括挡板,所述挡板固定于等离子发射装置内部的上顶面上,挡板正对于靶材设置,挡板正对靶材的一面固定一层凹凸不平的糙面层;辅助等离子发射装置为四个,分别固定于真空镀膜腔室的四个侧面上,辅助等离子发射装置的发射端口正对糙面层。本实用新型专利技术结构简单、靶材的利用率高、实用性强,具有广阔的市场空间。

【技术实现步骤摘要】
一种在真空环境中进行离子溅射镀膜工艺中使用的挡板
本技术离子溅射镀膜
,特别是涉及一种在真空环境中进行离子溅射镀膜工艺中使用的挡板。
技术介绍
真空磁控溅射镀膜是溅射镀膜领域广泛使用的一种沉积装置,这类装置其原理是在真空二级溅射基础上,通过在靶材背面引入磁极,来改变靶材表面的磁场分布,以此来提高真空室内等离子体的离化效率,从而提高靶材的溅射效率。由于靶材背面磁力线分布固有的不均匀性,导致等离子体的离化效率局部强化,使得靶材表面溅射也呈现不均匀,在离化效率高的区域,溅射效率高,靶材消耗快,在离化效率低的区域,溅射效率低,靶材消耗慢,这种溅射不均匀性导致靶材利用率很低,也就是靶材消耗快的地方一旦溅射到底部,整个靶材就无法再使用。通常靶材利用率只有一般在30%左右。同时,这种溅射不均匀性还很容易导致在磁控反应溅射中出现靶中毒现象,使得反应气体覆盖于靶表面形成介电层,导致拉弧放电的现象频繁发生。现有技术采用脉冲直流电源来控制放电时间以抑制靶面拉弧,但未从根本上解决该问题,尤其是在Si靶和Al靶的反应溅射中即使采用脉冲直流电源,还是会经常发生拉弧现象。进一步整个靶面不均匀的刻蚀速率导致沉本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在真空环境中进行离子溅射镀膜工艺中使用的挡板,包括真空镀膜腔室、等离子发射装置、辅助等离子发射装置、转盘和靶材,所述等离子发射装置设置于真空镀膜腔室的一侧,等离子发射装置的发射口对准转盘,所述转盘设置于真空镀膜腔室的内部的底面,靶材设置于转盘的下底面,其特征在于:还包括挡板,所述挡板固定于等离子发射装置内部的上顶面上,挡板正对于靶材设置,挡板正对靶材的一面固定一层凹凸不平的糙面层;辅助等离子发射装置为四个,分别固定于真空镀膜腔室的四个侧面上,辅助等离子发射装置的发射端口正对糙面层。

【技术特征摘要】
1.一种在真空环境中进行离子溅射镀膜工艺中使用的挡板,包括真空镀膜腔室、等离子发射装置、辅助等离子发射装置、转盘和靶材,所述等离子发射装置设置于真空镀膜腔室的一侧,等离子发射装置的发射口对准转盘,所述转盘设置于真空镀膜腔室的内部的底面,靶材设置于转盘的下底面,其特征在于:还包括挡板,所述挡板固定于等离子发射装置内部的上顶面上,挡板正对于靶材设置,挡板正对靶材的一面固定一层凹凸不平的糙面层;辅助等离子发射装置为四个,分别固定于真空镀膜腔室的四个侧面上,辅助等离子发射装置的发射...

【专利技术属性】
技术研发人员:高富堂
申请(专利权)人:定西中庆玄和玻璃科技有限公司
类型:新型
国别省市:甘肃,62

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