The utility model relates to the technical field of plasma, in particular to an ion source and a coating device. By improving the structure of ion source, the uniformity of plasma sputtering coating on the inner wall of pipeline can be improved. An ion source includes: emission electrode; emission electrode is columnar; cathode target is hollow columnar structure, and hollow columnar structure is set on the columnar side of the emission electrode; the surface of the cathode target is sputtering surface; the ground electrode layer is respectively covered on the upper and lower two bottom surfaces of the emission electrode, each of which is grounded with the emitter. The pole is insulated with the cathode target. The embodiment of the utility model is used for coating the inner wall of a tubular workpiece.
【技术实现步骤摘要】
一种离子源以及镀膜装置
本技术涉及等离子体
，尤其涉及一种离子源以及镀膜装置。
技术介绍
在化工生产中，经常会用到各种各样的管道，以实现化学物料的输送，例如工业中常用的石油化工管道、真空管道和气体管道等，这些管道在经过长期的磨损、腐蚀、氧化等损害后，不可避免地会带来安全隐患，因此，需要对这些管道结构的内壁进行表面处理，以提高管道的抗磨损、抗腐蚀和抗氧化性能。现有技术中，通常采用电镀或化学镀的方法向管道内壁镀膜的方法以在管道内壁形成保护层，对提高管道的抗磨损、抗腐蚀和抗氧化性能。但是，化学镀和电镀对环境危害较大，且所形成的膜层的致密性及其与管道的结合性均较差，不利于管道的使用寿命的延长，并且这种并不适合非导体材料的镀膜。等离子溅射镀膜是一种采用正离子束轰击靶材，使得靶材的分子、原子或离子发生迁移，使得这些迁移的离子沉积在待镀膜工件的表面的技术。等离子溅射镀膜适用于导体材料和非导体材料的镀膜，且所形成的膜层的致密性及其与管道的结合性均较好，然而，现有的等离子溅射通常用于平面工件的镀膜，在对大深径比的管道进行镀膜时，由管口处向管件内部传输过程中等离子体密度逐渐降低...
【技术保护点】
1.一种离子源，其特征在于，包括：发射电极；所述发射电极为柱状；阴极靶材，所述阴极靶材为中空柱状结构，且所述中空柱状结构套设于所述发射电极的柱状侧面上，所述阴极靶材背向所述发射电极的表面为溅射面；分别覆盖于所述发射电极的柱状上下两个底面上的接地电极层，每一个所述接地电极层与所述发射电极和所述阴极靶材绝缘连接。
【技术特征摘要】
1.一种离子源，其特征在于，包括：发射电极；所述发射电极为柱状；阴极靶材，所述阴极靶材为中空柱状结构，且所述中空柱状结构套设于所述发射电极的柱状侧面上，所述阴极靶材背向所述发射电极的表面为溅射面；分别覆盖于所述发射电极的柱状上下两个底面上的接地电极层，每一个所述接地电极层与所述发射电极和所述阴极靶材绝缘连接。2.根据权利要求1所述的离子源，其特征在于，每一个所述接地电极层均为一端开口的筒状结构，所述发射电极和所述阴极靶材被夹设在两个所述筒状结构之间，且所述筒状结构的侧面分别覆盖于所述中空柱状结构沿轴向两端的侧面上。3.根据权利要求1所述的离子源，其特征在于，所述发射电极的外周面上间隔插设有磁体，相邻两个磁体朝向外侧的磁极磁性相反。4.根据权利要求1-3任一项所述的离子源，其特征在于，所述发射电极沿轴向的至少一个端面上还设有与所述阴极靶材的周向连通的放射状气体流道，所述接地电极层上穿设有与所述放...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵鑫，
申请(专利权)人：新奥科技发展有限公司，
类型：新型
国别省市：河北,13
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