覆盖层分子结构、制作方法及对应的OLED器件技术

本发明专利技术提供一种覆盖层分子结构，其包括由第一中心结构和第二中心结构键合而成的高分子结构，其中第一中心结构为9,9‑二甲基‑2‑溴芴、2‑溴‑9,9'‑螺二芴以及2‑溴‑9,9‑二苯基芴其中之一；第二中心结构为3‑对甲苯‑4‑间甲苯‑二苯胺以及4，4’‑二(3,5‑二甲苯)‑二苯胺其中之一。本发明专利技术还提供一种覆盖层分子结构的制作方法及OLED器件。本发明专利技术降低了OLED器件的制作成本，减小的OLED器件的制作难度。

Molecular structure, fabrication method and corresponding OLED devices of coatings

The present invention provides a molecular structure of a covering layer comprising a polymer structure bonded by a first central structure and a second central structure, in which the first central structure is 9,9 dimethyl 2 bromofluorene, 2 bromide 9,9 spirodifluorene and 2 bromide 9,9 diphenylfluorene, one of which, and the second central structure is 3 p-toluene 4 m-toluene diphenylamine and 4,4'(3,5',5'). Xylene) diphenylamine is one of them. The invention also provides a method for fabricating the molecular structure of the covering layer and an OLED device. The invention reduces the manufacturing cost of the OLED device and the manufacturing difficulty of the OLED device.

【技术实现步骤摘要】
覆盖层分子结构、制作方法及对应的OLED器件
本专利技术涉及显示器件制作领域，特别是涉及一种覆盖层分子结构、制作方法及对应的OLED器件。
技术介绍
AMOLED(Active-matrixorganiclightemittingdiode，有源矩阵有机发光二极体)作为一种新型的显示技术正在吸引越来越多的行业关注。世界各大面板厂商均已着力布控OLED产业，尤其是中国大陆厂商，借助政府扶持，打造自己的AMOLED面板生产技术。现有的AMOLED器件进行薄膜封装时，会使用覆盖层对发光功能层进行保护，但是在进行PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强化学的气相沉积法)时，PECVD中的等离子体轰击会对覆盖层造成影响，并由可能对器件功能层造成影响。韩国三星公司研发了一种AMOLED器件在覆盖层以及SiN的封装薄膜层之间蒸镀了一层无机物(如LiF等)，可有效的防止覆盖层或器件功能层被等离子体破坏。但是蒸镀LiF等无机层会造成AMOLED器件的制作成本的提高，且制作难度较大。故，有必要提供一种覆盖层分子结构、制作方法及对应的OLED器件，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种制作成本较低且制作难度较小的覆盖层分子结构、制作方法及对应的OLED器件；以解决现有的OLED器件的制作成本较高且制作难度较大的技术问题。本专利技术实施例提供一种覆盖层分子结构，其包括由第一中心结构和第二中心结构键合而成高分子结构；其中所述第一中心结构为9,9-二甲基-2-溴芴、2-溴-9,9'-螺二芴以及2-溴-9,9-二苯基芴其中之一；所述第二中心结构为3-对甲苯-4-间甲苯-二苯胺以及4，4’-二(3,5-二甲苯)-二苯胺其中之一。在本专利技术实施例所述的覆盖层分子结构中，所述9,9-二甲基-2-溴芴的分子结构为：所述2-溴-9,9'-螺二芴的分子结构为：所述2-溴-9,9-二苯基芴的分子结构为：所述3-对甲苯-4-间甲苯-二苯胺的分子结构为：所述4，4’-二(3,5-二甲苯)-二苯胺的分子结构为：在本专利技术实施例所述的覆盖层分子结构中，所述高分子结构为：在本专利技术实施例所述的覆盖层分子结构中，所述覆盖层分子结构通过以下步骤生成:以醋酸钯为催化剂，三叔丁基膦四氟硼酸盐为配体，NaOt-Bu为碱，在将所述第一中心结构和所述第二中心结构的分子在除水除氧的120度的甲苯中反应48小时，以生成所述高分子结构。在本专利技术实施例所述的覆盖层分子结构中，针对波长为450nm的入射光，所述覆盖层分子结构的折射率为1.05至2.15；针对波长为530nm的入射光，所述覆盖层分子结构的折射率为1.85至2.05。在本专利技术实施例所述的覆盖层分子结构中，针对波长340nm至380nm的入射光，所述覆盖层分子结构的消光系数为40k至100k。本专利技术实施例还提供一种覆盖层分子结构的制作方法，其包括：在100ml的二口瓶中加入第一中心结构的材料、第二中心结构材料、醋酸钯以及三叔丁基膦四氟硼酸盐；在氩气氛围下，加入除水除氧的甲苯，以NaOt-Bu为碱，在120度下反应48小时，以得到覆盖层分子结构；其中所述第一中心结构为9,9-二甲基-2-溴芴、2-溴-9,9'-螺二芴以及2-溴-9,9-二苯基芴其中之一；所述第二中心结构为3-对甲苯-4-间甲苯-二苯胺以及4，4’-二(3,5-二甲苯)-二苯胺其中之一。在本专利技术实施例所述的覆盖层分子结构的制作方法中，所述高分子结构为：在本专利技术实施例所述的覆盖层分子结构的制作方法中，针对波长为450nm的入射光，所述覆盖层分子结构的折射率为1.05至2.15；针对波长为530nm的入射光，所述覆盖层分子结构的折射率为1.85至2.05；针对波长340nm至380nm的入射光，所述覆盖层分子结构的消光系数为40k至100k。本专利技术实施例还提供一种OLED器件，其包括阳极基板、设置在所述阳极基板上的空穴注入层、设置在所述空穴注入层上的空穴传输层、设置在所述空穴传输层上的发光层、设置在所述发光层上的空穴阻挡层、设置在空穴阻挡层上的电子传输层、设置在所述电子传输层上的电子注入层、设置在所述电子注入层上的阴极基板、设置在所述阴极基板上的覆盖层以及设置在所述覆盖层上的封装薄膜层；其中所述覆盖层采用上述权利要求任一的覆盖层分子结构制成。相较于现有的OLED器件，本专利技术的覆盖层分子结构、制作方法及对应的OLED器件使用具有较高折射率以及较高消光系数的覆盖层分子结构来制作OLED器件的覆盖层，使得覆盖层可有效的防止器件功能层被等离子体破坏，降低了OLED器件的制作成本，减小的OLED器件的制作难度；有效的解决了现有的OLED器件的制作成本较高且制作难度较大的技术问题。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术的覆盖层分子结构的制作方法的流程图；图2为本专利技术的OLED器件的实施例的结构示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。本专利技术提供一种覆盖层分子结构，可用于制作OLED器件的覆盖层，以便对OLED器件的电子注入层、电子传输层以及发光层等器件功能层进行保护。从而可降低OLED器件的制作成本，降低OLED器件的制作难度。本专利技术的覆盖层分子结构可由第一中心结构和第二中心结构键合而成，其中第一中心结构为9,9-二甲基-2-溴芴、2-溴-9,9'-螺二芴以及2-溴-9,9-二苯基芴其中之一；第二中心结构为3-对甲苯-4-间甲苯-二苯胺以及4，4’-二(3,5-二甲苯)-二苯胺其中之一。其中9,9-二甲基-2-溴芴的分子结构为：2-溴-9,9'-螺二芴的分子结构为：2-溴-9,9-二苯基芴的分子结构为：3-对甲苯-4-间甲苯-二苯胺的分子结构为：4，4’-二(3,5-二甲苯)-二苯胺的分子结构为：由上述第一中心结构分子和第二中心结构分子合成的高分子结构为：上述高分子结构由具有较为刚性的第一中心结构和第二中心结构组成，该第一中心结构和第二中心结构具有一定的极性，且分子量不高于900，可保证合成后的高分子结构具有较高的折射率。且第一中心结构和第二中心结构具有较大的共轭结构，可保证合成后的高分子结构具有较高的消光系数。因此合成后的高根子结构具有较高的玻璃化转变温度及较高的热稳定性，即该高分子结构的材料的耐低温性能较好，可较好的抵抗等离子体等高能粒子的轰击而不变性。该高分子结构对250至400nm波长范围的光具有较高的吸收系数。针对波长450nm的入射光，本实施例的覆盖层分子结构的折射率为1.05至2.15；针对波长530nm的入射光，本实施例的覆盖层分子结构的折射率为1.85至2.05；针对波长340nm至380nm的入射光，覆盖层分子结构的消光系数为40k至100k。请参照图1，图1为本专利技术的覆盖层分子结构的制作方法的流程图。本实施例的覆盖层分子结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种覆盖层分子结构，其特征在于，包括由第一中心结构和第二中心结构键合而成高分子结构；其中所述第一中心结构为9,9‑二甲基‑2‑溴芴、2‑溴‑9,9'‑螺二芴以及2‑溴‑9,9‑二苯基芴其中之一；所述第二中心结构为3‑对甲苯‑4‑间甲苯‑二苯胺以及4，4’‑二(3,5‑二甲苯)‑二苯胺其中之一。

【技术特征摘要】
1.一种覆盖层分子结构，其特征在于，包括由第一中心结构和第二中心结构键合而成高分子结构；其中所述第一中心结构为9,9-二甲基-2-溴芴、2-溴-9,9'-螺二芴以及2-溴-9,9-二苯基芴其中之一；所述第二中心结构为3-对甲苯-4-间甲苯-二苯胺以及4，4’-二(3,5-二甲苯)-二苯胺其中之一。2.根据权利要求2所述的覆盖层分子结构，其特征在于，所述9,9-二甲基-2-溴芴的分子结构为：所述2-溴-9,9'-螺二芴的分子结构为：所述2-溴-9,9-二苯基芴的分子结构为：所述3-对甲苯-4-间甲苯-二苯胺的分子结构为：所述4，4’-二(3,5-二甲苯)-二苯胺的分子结构为：3.根据权利要求1所述的覆盖层分子结构，其特征在于，所述高分子结构为：4.根据权利要求1所述的覆盖层分子结构，其特征在于，所述覆盖层分子结构通过以下步骤生成:以醋酸钯为催化剂，三叔丁基膦四氟硼酸盐为配体，NaOt-Bu为碱，在将所述第一中心结构和所述第二中心结构的分子在除水除氧的120度的甲苯中反应48小时，以生成所述高分子结构。5.根据权利要求1所述的覆盖层分子结构，其特征在于，针对波长为450nm的入射光，所述覆盖层分子结构的折射率为1.05至2.15；针对波长为530nm的入射光，所述覆盖层分子结构的折射率为1.85至2.05。6.根据权利要求1所述的覆盖层分子结构，其特征在于，针对波长340nm至380nm的入射光，所述覆盖层分子结构的消光系数为40k至100k...

【专利技术属性】
技术研发人员：迟明明，李相烨，洪澈广，王煦，李先杰，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42