一种用于DNA检测的多电极纳米孔装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于DNA检测的多电极纳米孔装置及其制造方法，该纳米孔装置包括第一SiO2绝缘层、Si基底、SiO2掩膜层、Pt门电极、第二SiO2绝缘层、微米Pt径向电极、第三SiO2绝缘层、腐蚀槽、纳米通孔、电子束诱导沉积SiO2栅极绝缘层、电子束诱导沉积纳米Pt径向电极、Ag/AgCl电极、第一电流表、第一可调电压源、第二电流表、第二可调电压源、第三可调电压源。该纳米孔装置制造方法，首先采用传统MEMS工艺加工微米级基片，再使用双束系统中的气体注入系统和聚焦离子束系统，进行纳米级精度加工，制得多电极纳米孔装置。本发明专利技术通过门电极控制DNA分子穿过纳米孔时的速度，采集阻塞电流、遂穿电流信号，得到高分辨率待测DNA分子结构信息，完成DNA测序。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于DNA检测的多电极纳米孔装置，其特征在于：包括第一SiO2绝缘层（1）、Si基底（2）、SiO2掩膜层（3）、Pt门电极（4）、第二SiO2绝缘层（5）、微米Pt径向电极（6）、第三SiO2绝缘层（7）、腐蚀槽（8）、纳米通孔（9）、电子束诱导沉积SiO2栅极绝缘层（10）、电子束诱导沉积纳米Pt径向电极（11）、Ag/AgCl电极（12）、第一电流表（13）、第一可调电压源（14）、第二电流表（15）、第二可调电压源（16）和第三可调电压源（17）；所述Si基底（2）下方设有SiO2掩膜层（3），上方设有第一SiO2绝缘层（1）；所述第一SiO2绝缘层（1）上方设有Pt门电极（4）；...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈云飞，章寅，刘磊，沙菁，袁志山，倪中华，易红，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：