一种红外-太赫兹双波段阵列探测器微桥结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种红外-太赫兹双波段阵列探测器微桥结构及其制备方法，用于红外与太赫兹波段的探测与成像。所述微桥结构的顶层为双层氧化钒薄膜，下层氧化钒薄膜为具有高电阻温度系数（TCR）的无相变氧化钒薄膜，用作红外与太赫兹波段的敏感层，上层氧化钒薄膜具有较低的相变温度，可发生半导体相-金属相的可逆相变，半导体相时与下层氧化钒薄膜一起用作红外吸收层，相变为金属相后用作太赫兹辐射吸收层。利用微桥结构的谐振可充分吸收红外辐射，调节金属相氧化钒薄膜的电导率、折射率等光电参数，又可实现对太赫兹辐射吸收的最大化。该微桥结构能够实现双波段探测与成像，制备工艺简单，与MEMS工艺兼容，具有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
红外?太赫兹双波段阵列探测器微桥结构，其特征在于，包括衬底（10）、驱动电路（20）、牺牲层（30），所述驱动电路设置在衬底（10）上，该驱动电路（20）设有电路接口（21）；所述牺牲层（30）制备在该带有驱动电路的衬底上，在驱动电路上由下而上依次制备有缓冲层（40）、支撑层（50）、顶部电极（60），该顶部电极与所述电路接口连接；在该顶部电极和支撑层上由下而上依次制备有下层氧化钒薄膜和上层氧化钒薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：苟君，蒋亚东，张化福，王军，黎威志，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：