一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本申请提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，其中薄膜晶体管的制备方法包括：提供基板，并在基板上形成有源层；在基板以及有源层上形成金属层；对金属层进行处理，形成源电极、漏电极以及金属氧化物层，金属氧化物层覆盖源电极、漏电极和有源层，金属氧化物层将源电极和漏电极相互绝缘。通过对金属层进行处理从而同步形成源、漏电极和金属氧化物层，金属氧化物层既可以防止有源层在后续刻蚀工艺中被刻蚀液损伤，还可以防止外界的水氧对有源层造成损伤，因此，金属氧化物层的制备可以取代现有的刻蚀阻挡层和钝化层的制备，也就是无需再通过PECVD设备分步形成刻蚀阻挡层和钝化层，从而简化制备工艺、降低成本。

A thin film transistor and its preparation method, array substrate and display device

The application provides a thin film transistor and its preparation method, an array substrate and a display device. The preparation method of thin film transistor includes: providing a substrate and forming an active layer on the substrate; forming a metal layer on the substrate and the active layer; processing the metal layer to form a source electrode, a drain electrode and a metal oxide layer; and covering the source electrode and a drain with a metal oxide layer. The metal oxide layer insulates the source electrode and the drain electrode from each other. The metal oxide layer can not only prevent the active layer from being damaged by etching solution in the subsequent etching process, but also prevent the external water and oxygen from causing damage to the active layer. Therefore, the preparation of metal oxide layer can replace the existing preparation of etching barrier layer and passivation layer, that is, no re-opening is needed. Etching barrier layer and passivation layer are formed step by step through PECVD equipment, which simplifies the preparation process and reduces the cost.

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
随着显示产品的不断发展与应用，对阵列基板的设计与工艺要求也逐步提高。由于薄膜晶体管有源层的材料极容易被酸性或者碱性的刻蚀液损伤，这就需要在有源层上沉积一层刻蚀阻挡层，防止后续刻蚀工艺中的刻蚀液对有源层造成损伤。另外，为了保证TFT器件的稳定性，防止外界的水氧对有源层造成损伤，还要在源电极和漏电极制作完成后沉积一层钝化层。现有的刻蚀阻挡层和钝化层是分别通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备形成，工艺相对比较复杂且设备运行成本高。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，以简化工艺、降低成本。为了解决上述问题，本专利技术公开了一种薄膜晶体管的制备方法，所述制备方法包括：提供基板，并在所述基板上形成有源层；在所述基板以及所述有源层上形成金属层；对所述金属层进行处理，形成源电极、漏电极以及金属氧化物层，所述金属氧化物层覆盖所述源电极、所述漏电极和所述有源层，所述金属氧化物层将所述源电极和所述漏电极相互绝缘。可选地，所述对所述金属层进行处理，形成源电极、漏电极以及金属氧化物层的步骤，包括：对所述有源层上的金属层进行刻蚀，刻蚀深度小于第一厚度，所述第一厚度为所述金属层的厚度；对刻蚀后的金属层进行氧化处理，形成所述源电极、所述漏电极以及所述金属氧化物层。可选地，对所述有源层上的金属层进行刻蚀的步骤，包括：对所述有源层上预设区域内的金属层进行刻蚀，所述预设区域在所述基板上的正投影位于所述有源层在所述基板上的正投影范围内。可选地，所述有源层上金属氧化物层的厚度小于所述第一厚度。可选地，所述提供基板，并在所述基板上形成有源层的步骤，包括：提供衬底；在所述衬底上依次形成栅极和栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层背离所述衬底的一侧形成有源层。为了解决上述问题，本专利技术还公开了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：基板以及设置在所述基板上的有源层；设置在所述基板以及所述有源层上的源电极和漏电极，所述源电极、所述漏电极和所述有源层上覆盖有金属氧化物层；其中，所述金属氧化物层的材料为所述源电极和所述漏电极金属的氧化物，所述金属氧化物层将所述源电极和所述漏电极相互绝缘。可选地，所述基板包括衬底以及设置在所述衬底上的栅极和栅极绝缘层；所述有源层设置在所述栅极绝缘层背离所述衬底的一侧。为了解决上述问题，本专利技术还公开了一种阵列基板，所述阵列基板包括任一实施例所述的薄膜晶体管。为了解决上述问题，本专利技术还公开了一种显示装置，所述显示装置包括任一实施例所述的阵列基板。与现有技术相比，本专利技术包括以下优点：本申请提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，其中薄膜晶体管的制备方法包括：提供基板，并在基板上形成有源层；在基板以及有源层上形成金属层；对金属层进行处理，形成源电极、漏电极以及金属氧化物层，金属氧化物层覆盖源电极、漏电极和有源层，金属氧化物层将源电极和漏电极相互绝缘。通过对金属层进行处理从而同步形成源电极、漏电极和金属氧化物层，金属氧化物层既可以防止有源层在后续刻蚀工艺中被刻蚀液损伤，还可以防止外界的水氧对有源层造成损伤，因此，金属氧化物层的制备可以取代现有的刻蚀阻挡层和钝化层的制备，也就是无需再通过PECVD设备分步形成刻蚀阻挡层和钝化层，从而简化制备工艺、降低成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1示出了相关技术中薄膜晶体管的剖面结构示意图；图2示出了本申请一实施例提供的一种薄膜晶体管的制备方法的步骤流程图；图3示出了本申请一实施例提供的一种薄膜晶体管的制备方法中完成有源层制作的剖面结构示意图；图4示出了本申请一实施例提供的一种薄膜晶体管的制备方法中完成金属层制作的剖面结构示意图；图5示出了本申请一实施例提供的一种薄膜晶体管的制备方法中完成源电极、漏电极和金属氧化物层制作的剖面结构示意图；图6示出了本申请一实施例提供的一种源电极、漏电极和金属氧化物层制作工艺的步骤流程图；图7示出了本申请一实施例提供的一种源电极、漏电极和金属氧化物层制作工艺中完成金属层刻蚀后的剖面结构示意图；图8示出了本申请一实施例提供的一种基板和有源层制作工艺的步骤流程图；图9示出了本申请一实施例提供的一种基板和有源层制作工艺中完成基板制作后的剖面结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。参照图1，示出了相关技术中薄膜晶体管的剖面结构示意图。由于薄膜晶体管TFT的有源层11的材料极容易被酸性或者碱性的刻蚀液损伤，这就要求在沉积源电极12a和漏电极12b前，在有源层11上沉积一层刻蚀阻挡层13，防止后续刻蚀工艺中的刻蚀液对有源层11造成损伤。另外，为了保证TFT器件的稳定性，防止外界的水氧对有源层11损伤，还要在源电极12a和漏电极12b制作完成后沉积一层钝化层14。由于刻蚀阻挡层13和钝化层14是分别通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备形成，工艺相对比较复杂且设备运行成本高。为了解决上述问题，本申请一实施例提供了一种薄膜晶体管的制备方法，参照图2，该制备方法可以包括：步骤201：提供基板，并在基板上形成有源层。参照图3示出了完成有源层制作的剖面结构示意图。基板31可以包括玻璃基板或柔性基板等，通过曝光、显影、刻蚀等一系列构图工艺在基板31上可以形成有源层32。步骤202：在基板以及有源层上形成金属层。参照图4示出了完成金属层制作的剖面结构示意图。例如可以在基板31以及有源层32上通过溅射或沉积等方式形成金属层41。金属层41的材料例如可以是Al或Al:Nd合金等可以作为源电极和漏电极的材料。步骤203：对金属层进行处理，形成源电极、漏电极以及金属氧化物层，金属氧化物层覆盖源电极、漏电极和有源层，金属氧化物层将源电极和漏电极相互绝缘。参照图5示出了完成源电极、漏电极以及金属氧化物层制作的剖面结构示意图。对金属层41进行处理并同步形成源电极51a、漏电极51b和金属氧化物层52的方式有多种，例如可以对金属层41依次进行刻蚀和氧化形成源电极51a、漏电极51b和金属氧化物层52。后续实施例会对源电极51a、漏电极51b和金属氧化物层52的具体制作工艺进行详细介绍。由于源电极51a、漏电极51b以及金属氧化物层52是在对金属层41进行处理的过程中同步形成的，因此金属氧化物层52的材料可以为源电极51a和漏电极51b金属的氧化物，例如当源电极51a和漏电极51b金属为Al时，金属氧化物层52的材料可以为Al2O3；并且，金属氧化物层52的厚度可以小于或等于金属层41的厚度。本实施例提供薄膜晶体管的制备方法，通过对金属层进行处理从而同步形成源电极、漏电极和金属氧化物层，金属氧化物层既可以防止有源层在后续刻蚀工艺中被刻蚀液损伤，还可以防止外界的水氧对有源层造成损伤，因此，金属氧化物层的制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供基板，并在所述基板上形成有源层；在所述基板以及所述有源层上形成金属层；对所述金属层进行处理，形成源电极、漏电极以及金属氧化物层，所述金属氧化物层覆盖所述源电极、所述漏电极和所述有源层，所述金属氧化物层将所述源电极和所述漏电极相互绝缘。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供基板，并在所述基板上形成有源层；在所述基板以及所述有源层上形成金属层；对所述金属层进行处理，形成源电极、漏电极以及金属氧化物层，所述金属氧化物层覆盖所述源电极、所述漏电极和所述有源层，所述金属氧化物层将所述源电极和所述漏电极相互绝缘。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述金属层进行处理，形成源电极、漏电极以及金属氧化物层的步骤，包括：对所述有源层上的金属层进行刻蚀，刻蚀深度小于第一厚度，所述第一厚度为所述金属层的厚度；对刻蚀后的金属层进行氧化处理，形成所述源电极、所述漏电极以及所述金属氧化物层。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，对所述有源层上的金属层进行刻蚀的步骤，包括：对所述有源层上预设区域内的金属层进行刻蚀，所述预设区域在所述基板上的正投影位于所述有源层在所述基板上的正投影范围内。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述有源层...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋威，赵策，周斌，王东方，丁远奎，刘军，胡迎宾，李伟，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34