一种阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，所述方法包括以下步骤：在制备有栅极、栅绝缘层、源漏极以及钝化层的基板上制备一层光刻胶；对所述光刻胶进行曝光，形成间隔的光刻胶完全去除区域以及光刻胶部分保留区域，所述光刻胶部分保留区域对应于形成第一过孔的区域，所述光刻胶完全去除区域对应于形成第二过孔的区域；依次采用湿蚀刻与干蚀刻交替的方式，对所述钝化层以及所述栅绝缘层进行蚀刻，分别形成对应所述源漏极的第一过孔与对应所述栅极的第二过孔，其中所述第一过孔的深度小于所述第二过孔的深度。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示面板
本专利技术涉及显示面板制造
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
技术介绍
在TFT-LCD面板设计中，制作薄膜晶体管TFT器件需要栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏电极、钝化层、像素电极。栅极线和源漏极线通常使用金属铜导线，像素电极使用氧化物半导体进行信号连接，为了信号连接，需要将栅极绝缘层和钝化层进行接触孔开孔设计。采用金属氧化物作为半导体层的薄膜晶体管中，栅极绝缘层和钝化层使用的薄膜是氧化硅SiOx和氮化硅SiNx的复合膜层结构，其膜层结构复杂且膜质差异很大，使用干刻制程进行深孔和浅孔刻蚀过程中，刻蚀时间长，导致干刻完成后，产生无法去除的副产物以及接触角(taper)异常，造成金属铜和像素电极接触阻抗异常，从而影响面板内的显示异常，造成产品的良率和信赖性问题。因此，现有技术存在缺陷，急需改进。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，能够避免在接触孔蚀刻制程中产生副产物，改善接触角异常，改善接触阻抗，从而提高产品良率。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供一种阵列基板的制备方法，所述方法包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S10，在制备有栅极、栅绝缘层、源漏极以及钝化层的基板上制备一层光刻胶；步骤S20，对所述光刻胶进行曝光，形成间隔的光刻胶完全去除区域以及光刻胶部分保留区域，所述光刻胶部分保留区域对应于形成第一过孔的区域，所述光刻胶完全去除区域对应于形成第二过孔的区域；步骤S30，依次采用湿蚀刻与干蚀刻交替的方式，对所述钝化层以及所述栅绝缘层进行蚀刻，分别形成对应所述源漏极的第一过孔与对应所述栅极的第二过孔，其中所述第一过孔的深度小于所述第二过孔的深度。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S10，在制备有栅极、栅绝缘层、源漏极以及钝化层的基板上制备一层光刻胶；步骤S20，对所述光刻胶进行曝光，形成间隔的光刻胶完全去除区域以及光刻胶部分保留区域，所述光刻胶部分保留区域对应于形成第一过孔的区域，所述光刻胶完全去除区域对应于形成第二过孔的区域；步骤S30，依次采用湿蚀刻与干蚀刻交替的方式，对所述钝化层以及所述栅绝缘层进行蚀刻，分别形成对应所述源漏极的第一过孔与对应所述栅极的第二过孔，其中所述第一过孔的深度小于所述第二过孔的深度。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S20的曝光制程所使用的光罩中，所述光罩对应所述光刻胶完全去除区域的部位为完全透光区域，所述光罩对应所述光刻胶部分保留区域的部位为部分透光区域，所述光罩其余的部分为不透光区域。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S20之后还包括以下步骤：步骤S201，在曝光工艺完成后，对所述光刻胶进行显影制程，去除对应所述光刻胶完全去除区域的所述光刻胶，部分保留对应所述光刻胶部分保留区域的所述光刻胶。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S30包括以下步骤：步骤S301，进行第一次湿蚀刻，将对应于形成所述第二过孔的区域的所述钝化...

【专利技术属性】
技术研发人员：李珊，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44