阵列基板及其制造方法、显示面板技术

本申请公开一种阵列基板及其制造方法、显示面板。本申请设计源极图案和漏极图案直接形成于刻蚀阻挡层上，通过刻蚀阻挡层取代传统的平坦层和钝化层，且漏极图案同时也作为OLED器件的阳极图案，从而能够减少光罩制程，并且刻蚀阻挡层采用遮光材料制得，能够保护TFT的沟道层不受到光照影响，有利于确保其性能稳定。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法、显示面板
本申请涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板。
技术介绍
当前，以金属氧化物(Oxide)半导体来制备沟道层的TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)，已广泛应用于OLED(OrganicLight-EmittingDiode,有机发光二极管)显示面板中。但是制备该类型TFT的阵列基板(Array基板)所需的光罩(Mask)制程较多，导致制造流程繁多，无法降低生产成本，并且，沟道层容易受到光照影响而性能不稳定。
技术实现思路
有鉴于此，本申请提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板，能够减少光罩制程，并有利于减少光照对TFT的沟道层的影响。本申请一实施例的阵列基板的制造方法，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上依次形成第一栅极图案和绝缘层；在所述绝缘层上形成位于所述第一栅极图案上方的半导体图案；在所述半导体图案上形成覆盖所述绝缘层的刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层采用遮光材料制得，且所述刻蚀阻挡层开设有暴露所述半导体图案的源极接触区的第一接触孔和漏极接触区的第二接触孔；在所述刻蚀阻挡层上形成源极图案和漏极图案，所述源极图案在所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上依次形成第一栅极图案和绝缘层；在所述绝缘层上形成位于所述第一栅极图案上方的半导体图案；在所述半导体图案上形成覆盖所述绝缘层的刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层采用遮光材料制得，且所述刻蚀阻挡层开设有暴露所述半导体图案的源极接触区的第一接触孔和漏极接触区的第二接触孔；在所述刻蚀阻挡层上形成源极图案和漏极图案，所述源极图案在所述第一接触孔内与所述半导体图案的源极接触区接触，所述漏极图案在所述第二接触孔内与所述半导体图案的漏极接触区接触；在所述源极图案和漏极图案上形成像素定义层，所述像素定义层设有用于限定所述阵列基板的发光...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上依次形成第一栅极图案和绝缘层；在所述绝缘层上形成位于所述第一栅极图案上方的半导体图案；在所述半导体图案上形成覆盖所述绝缘层的刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层采用遮光材料制得，且所述刻蚀阻挡层开设有暴露所述半导体图案的源极接触区的第一接触孔和漏极接触区的第二接触孔；在所述刻蚀阻挡层上形成源极图案和漏极图案，所述源极图案在所述第一接触孔内与所述半导体图案的源极接触区接触，所述漏极图案在所述第二接触孔内与所述半导体图案的漏极接触区接触；在所述源极图案和漏极图案上形成像素定义层，所述像素定义层设有用于限定所述阵列基板的发光区；在所述发光区依次形成位于漏极图案上的发光层和阴极图案。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底基板的上方包括沿平行于衬底基板的方向相邻的第一区域和第二区域，所述第一栅极图案和半导体图案形成于所述第一区域，所述刻蚀阻挡层在所述第二区域设有开口区，所述绝缘层在所述开口区暴露其表面，所述方法还包括：在所述衬底基板上形成位于第二区域的第二栅极图案；以及在所述第二区域形成覆盖所述开口区的电容电极图案，所述电容电极图案与所述第二栅极图案至少部分重叠并通过夹设于两者之间的绝缘层形成一电容。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，通过同一道光罩制程形成所述第二栅极图案和第一栅极图案，通过同一道光罩制程形成所述源极图案、漏极图案和电容电极图案。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的表面为平面。5.根据权利要求1～4任一项所述的方法，其特征在于，采用黑色光阻、丙烯酸树脂及聚酰亚胺中...

【专利技术属性】
技术研发人员：周星宇，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44