一种阵列基板及制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种阵列基板及制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够解决现有技术中因光线入射至驱动晶体管的沟道位置而导致其稳定性下降的问题；该阵列基板，包括位于每一亚像素中的驱动晶体管，以及位于驱动晶体管背离衬底基板一侧的平坦层；平坦层在对应驱动晶体管的沟道区域的至少一侧设置有凹陷部，且凹陷部内设置有遮光部。

An Array Substrate and Its Fabrication Method and Display Device

The embodiment of the present invention provides an array substrate, a fabrication method and a display device, which relates to the field of display technology, and can solve the problem of the stability degradation of the array substrate in the prior art caused by the light incident on the channel position of the driving transistor; the array substrate includes a driving transistor located in each sub-pixel and a flat layer located on the side of the driving transistor deviating from the substrate substrate. The flat layer is provided with a depression on at least one side of the channel area corresponding to the driving transistor, and a shading part is arranged in the depression.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及制作方法、显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，简称OLED)显示器因其具有自发光、轻薄、功耗低、高对比度、高色域、可实现柔性显示等优点，已被广泛地应用于包括电脑、手机等电子产品在内的各种电子设备中。其中，对于OLED显示面板而言，像素驱动电路中的驱动晶体管DTFT的稳定性对显示画面的品质起着尤为重要的作用；尤其对于底发射型显示面板而言，由于有机发光二极管OLED相对于驱动晶体管DTFT远离衬底基板，从而导致有机发光二极管OLED的出射光线容易入射至驱动晶体管DTFT，导致其稳定性降低，进而对显示造成不良影响。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板及制作方法、显示装置，能够解决现有技术中因光线入射至驱动晶体管的沟道位置而导致其稳定性下降的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括位于每一亚像素中的驱动晶体管，以及位于所述驱动晶体管背离所述衬底基板一侧的平坦层；所述平坦层在对应所述驱动晶体管的沟道区域的至少一侧设置有凹陷部，且所述凹陷部内设置有遮光部。可选的，所述遮光部填充于整个所述凹陷部内。可选的，所述亚像素包括开口区和非开口区；所述驱动晶体管位于所述非开口区；所述凹陷部位于所述非开口区；所述阵列基板还包括位于所述开口区的自发光单元，且所述自发光单元的出光侧朝向所述衬底基板的一侧；所述自发光单元位于所述平坦层背离所述衬底基板的一侧。可选的，所述自发光单元为有机发光二极管；所述阵列基板还包括位于所述平坦层背离所述衬底基板一侧的像素定义层，以对所述有机发光二极管的发光功能层进行界定；所述遮光部为所述像素定义层的部分。可选的，所述遮光部主要采用黑色吸光材料形成。可选的，所述驱动晶体管为顶栅型晶体管；设置于所述沟道区域的至少一侧的所述凹陷部为：设置于所述有源层的至少一侧的凹陷部。可选的，所述平坦层在对应所述驱动晶体管的沟道区域的四周均设置有所述凹陷部。可选的，所述凹陷部整体构成一个封闭环状通槽。可选的，所述封闭环状通槽的槽宽为3μm～4μm。可选的，所述凹陷部的底部未贯穿所述平坦层。可选的，所述凹陷部的深度为所述平坦层厚度的80％～95％。本专利技术实施例另一方面还提供一种阵列基板的制作方法，所述制作方法包括：在衬底基板上形成驱动晶体管；在形成有所述驱动晶体管的衬底基板上形成平坦层，并通过刻蚀工艺在所述平坦层对应所述驱动晶体管的沟道区域的至少一侧形成凹陷部；在所述平坦层上的凹陷部内形成遮光部；在形成有所述遮光部的衬底基板上形成自发光单元。可选的，所述通过刻蚀工艺在所述平坦层对应所述驱动晶体管的沟道区域的至少一侧形成凹陷部包括：通过干法刻蚀工艺在所述平坦层对应所述驱动晶体管的沟道区域的至少一侧形成凹陷部；其中，所述干法刻蚀工艺采用的刻蚀气体为：O2；或者，所述干法刻蚀工艺采用的刻蚀气体为：CF4和O2的混合气体，且所述混合气体中CF4的体积流量比为5％～8％。可选的，所述在所述平坦层上的凹陷部内形成遮光部包括：在形成有所述凹陷部的平坦层上形成像素定义层，所述像素定义层的部分填充于整个所述凹陷部内，并构成所述遮光部。本专利技术实施例另一方面还提供一种显示装置，包括前述的阵列基板。本专利技术实施例提供一种阵列基板及制作方法、显示装置，该阵列基板，包括位于每一亚像素中的驱动晶体管，以及位于驱动晶体管背离衬底基板一侧的平坦层；平坦层在对应驱动晶体管的沟道区域的至少一侧设置有凹陷部，且凹陷部内设置有遮光部。这样一来，位于平坦层中的凹陷部内的遮光部，能够阻挡位于平坦层背离衬底基板一侧的光线入射至驱动晶体管的沟道位置处，从而降低了因光照漏电流导致驱动晶体管的不稳定性(例如阈值电压的不稳定等)。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供一种底发射型阵列基板中的像素单元的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供一种底发射型阵列基板的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供另一种底发射型阵列基板中平坦层的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供另一种底发射型阵列基板的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供另一种底发射型阵列基板的制作方法流程图；图6为本专利技术实施例提供另一种底发射型阵列基板的制作过程中的结构示意图之一；图7为本专利技术实施例提供另一种底发射型阵列基板的制作过程中的结构示意图之一。附图标记：10-凹陷部；20-遮光部；DTFT-驱动晶体管；P-亚像素；PDL-像素定义层；PLN-平坦层；PVX-钝化层；ILD-层间介电层；BUF-缓冲层；SUB-衬底基板；MS-遮光图案；ACT-有源层；GI-栅极绝缘层；GATA-栅极；S-源极；D-漏极。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义，本专利技术实施例中使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本专利技术实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。本专利技术实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括多个亚像素，每一亚像素中均设置有驱动晶体管DTFT；示意的如图1所示，以底发射型阵列基板中一个像素单元中的三个亚像素(R、G、B)为例，其中，每一亚像素P包括开口区和非开口区；驱动晶体管DTFT设置于亚像素P的非开口区设置；当然，在开口区设置有自发光单元。在此基础上，如图2所示，本专利技术中的阵列基板(以下简称阵列基板)还包括位于驱动晶体管DTFT背离衬底基板SUB一侧的平坦层PLN(该平坦层一般采用树脂Resin形成)；其中，平坦层PLN在对应驱动晶体管DTFT的沟道区域的至少一侧设置有凹陷部10，且凹陷部10内设置有遮光部20；当然，该遮光部20对光线具有吸收、阻挡的作用，一般采用遮光材料形成。此处需要说明的是，上述驱动晶体管DTFT的沟道区域是指，参考图2，阵列基板中，对应驱动晶体管DTFT的有源层ACT中位于源极S和漏极D之间的区域；可以理解的是，该区域并不绝对是指与有源层中对应源极S和漏极D之间的部分(也即下文中的沟道位置，也可以称为有源层的沟道位置)，而是指阵列基板整体在对应源极S和漏极D本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括位于每一亚像素中的驱动晶体管，以及位于所述驱动晶体管背离所述衬底基板一侧的平坦层；所述平坦层在对应所述驱动晶体管的沟道区域的至少一侧设置有凹陷部，且所述凹陷部内设置有遮光部。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括位于每一亚像素中的驱动晶体管，以及位于所述驱动晶体管背离所述衬底基板一侧的平坦层；所述平坦层在对应所述驱动晶体管的沟道区域的至少一侧设置有凹陷部，且所述凹陷部内设置有遮光部。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光部填充于整个所述凹陷部内。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述亚像素包括开口区和非开口区；所述驱动晶体管位于所述非开口区；所述凹陷部位于所述非开口区；所述阵列基板还包括位于所述开口区的自发光单元，且所述自发光单元的出光侧朝向所述衬底基板的一侧；所述自发光单元位于所述平坦层背离所述衬底基板的一侧。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述自发光单元为有机发光二极管；所述阵列基板还包括位于所述平坦层背离所述衬底基板一侧的像素定义层，以对所述有机发光二极管的发光功能层进行界定；所述遮光部为所述像素定义层的部分。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光部主要采用黑色吸光材料形成。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动晶体管为顶栅型晶体管；设置于所述沟道区域的至少一侧的所述凹陷部为：设置于所述有源层的至少一侧的凹陷部。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦层在对应所述驱动晶体管的沟道区域的四周均设置有所述凹陷部。8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述凹陷部整体构成一个封闭环状通...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘军，闫梁臣，周斌，汪军，苏同上，罗标，张扬，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34