阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板的制备方法，提供一基板，其中，所述基板包括薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层和覆盖所述有源层的第一绝缘层；在所述第一绝缘层背离所述有源层的表面形成有源隔离层，所述有源隔离层覆盖所述有源层；在所述有源隔离层背离所述第一绝缘层的表面涂布平坦材料层，所述有源隔离层隔离所述平坦材料层和所述有源层；图案化所述平坦材料层以形成平坦层。本发明专利技术所述阵列基板的制备方法在所述第一绝缘层背离所述有源层的表面沉积形成结构致密的有源隔离层，可有效阻挡后续形成平坦层或像素层制程中的释放物污染所述有源层，提高阵列基板的可靠性，保证阵列基板的品质。本发明专利技术还提供一种阵列基板和显示装置。

Array Substrate and Its Preparation Method and Display Device

The invention provides a method for preparing an array substrate, which comprises a thin film transistor layer, the thin film transistor layer comprising an active layer and a first insulating layer covering the active layer, an active isolating layer formed on the surface of the first insulating layer deviating from the active layer, and the active isolating layer covering the active layer. The surface of the first insulating layer is coated with a flat material layer, the active isolating layer isolates the flat material layer and the active layer, and the flat material layer is patterned to form a flat layer. The preparation method of the array substrate according to the invention deposits a compact active isolation layer on the surface of the first insulating layer away from the active layer, which can effectively prevent the release contamination of the active layer in the subsequent formation of a flat layer or a pixel layer process, improve the reliability of the array substrate and ensure the quality of the array substrate. The invention also provides an array substrate and a display device.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
在目前照明和显示领域中，氧化物半导体因其较高的载流子迁移率、低成本、透明以及柔性的优点而被应用在氧化物半导体TFT中，成为驱动超高精细液晶面板、有机EL面板以及电子纸等新一代显示器的最佳TFT材料候选之一。然而，在目前的氧化物半导体TFT中，一般都采用SiOx用作钝化层材料，由于SiOx形成的钝化层膜层不够致密，无法阻挡后续制程中如在形成平坦层或者像素层过程中一些释放物对氧化物半导体TFT的污染，导致氧化物半导体TFT在蒸镀封装后的电学性能劣于在形成钝化层后的电学性能，使得氧化物半导体TFT的可靠性较差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板的制备方法，防止在形成有源隔离层后的后续制程的释放物对有源层的污染，提高阵列基板的可靠性。本专利技术还提供一种阵列基板和显示装置。本专利技术所述阵列基板的制备方法包括：提供一基板，其中，所述基板包括薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层和覆盖所述有源层的第一绝缘层；在所述第一绝缘层背离所述有源层的表面形成有源隔离层，所述有源隔离层覆盖所述有源层；在所述有源隔离层背离所述第一绝缘层的表面涂布平坦材料层，所述有源隔离层隔离所述平坦材料层和所述有源层；图案化所述平坦材料层以形成平坦层。其中，所述有源隔离层由金属氧化物材料制成。其中，在所述第一绝缘层背离所述有源层的表面沉积形成有源隔离层的步骤中，包括：在所述第一绝缘层背离所述有源层的表面形成有源隔离材料层；图案化所述有源隔离材料层以形成所述有源隔离层。其中，所述有源隔离层的厚度在10nm以上。其中，在提供一基板的步骤中，包括：在衬底基板的表面形成遮光层；形成覆盖所述遮光层的第二绝缘层；在所述第二绝缘层背离所述遮光层的表面形成所述有源层；在所述有源层背离所述第二绝缘层的表面形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层背离所述有源层的表面形成第一金属层；形成覆盖所述第一金属层的所述第一绝缘层；在所述第一绝缘层背离所述第一金属层的表面形成第二金属层，所述第二金属层通过第一过孔与所述有源层电连接。其中，所述阵列基板的制备方法还包括：在所述平坦层背离所述有源隔离层的表面形成电极层，所述电极层通过第二过孔与所述第二金属层电连接；形成覆盖所述电极层的间隔层。本专利技术所述阵列基板由上述的阵列基板的制备方法制备得到，所述阵列基板包括：基板，所述基板包括薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层和覆盖所述有源层的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层背离所述有源层表面的有源隔离层，所述有源隔离层覆盖所述有源层；以及位于所述有源隔离层背离所述第一绝缘层表面的平坦层。其中所述有源隔离层由金属氧化物材料制成。本专利技术所述显示装置包括上述任一种阵列基板。本申请所述阵列基板的制备方法在所述第一绝缘层背离所述有源层的表面形成结构致密的有源隔离层，可有效阻挡后续形成平坦层或像素层制程中的释放物污染所述有源层，提高阵列基板的可靠性，保证产品的品质。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术所述阵列基板的制备方法的流程图。图2是图1所述阵列基板的制备方法中基板的结构示意图。图3是在图2所述基板上形成有源隔离层的结构示意图。图4是在图3所述有源隔离层上形成平坦层的结构示意图。图5是在图4所述平坦层上形成电极层的结构示意图。图6是本专利技术所述阵列基板的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1，本专利技术较佳实施方式提供一种阵列基板的制备方法，用于制备氧化物半导体阵列基板，包括且不限于顶栅型氧化物半导体阵列基板。所述阵列基板的制备方法包括：步骤S1，请参阅图2，提供一基板10。其中，所述基板10包括薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层11和覆盖所述有源层11的第一绝缘层12。本实施例中，所述薄膜晶体管层包括两个薄膜晶体管，一个薄膜晶体管用作开关薄膜晶体管，另一个用作驱动薄膜晶体管。具体的，本步骤中包括：步骤S101，在衬底基板13上形成遮光层14。具体的，所述衬底基板13包括且不限于玻璃基板。在所述衬底基板13的表面形成一层遮光材料层，图案化所述遮光材料层以形成所述遮光层14。本实施例中，所述遮光材料层由金属等吸遮光材料制成。具体的，所述遮光层14包括间隔设置的第一遮光图案部分141、第二遮光图案部分142和第三遮光图案部分143，所述第一遮光图案部分141为所述开光薄膜晶体管遮蔽背光，所述第二遮光图案部分142为所述驱动薄膜晶体管遮蔽背光。步骤S102，形成覆盖所述遮光层14的第二绝缘层15，以使所述遮光层14与其他层结构绝缘。本实施例中，所述第二绝缘层15由SiO2制成。步骤S103，在所述第二绝缘层15背离所述遮光层14的表面形成所述有源层11。具体的，所述第二绝缘层15使所述遮光层14与所述有源层11之间绝缘。本实施例中，所述有源层11包括间隔设置的第一有源图案部分111和第二有源图案部分112。所述第一有源图案部分111为所述开关薄膜晶体管的有源层，所述第一有源图案部分111在所述遮光层14的投影位于所述第一遮光图案部分141内。所述第一有源图案部分111包括第一有源区111a和位于所述第一有源区111a两侧的第一欧姆接触区111b。所述第二有源图案部分112为所述驱动薄膜晶体管的有源层，所述第二有源图案部分112在所述遮光层14上的投影位于所述第二遮光图案部分142内。所述第二有源图案部分112包括第二有源区112a和位于所述第二有源区112a两侧的第二欧姆接触区112b。可以理解的是，所述第一遮光图案部分141和所述第二遮光图案部分142分别为所述第一有源图案部分111和所述第二有源图案部分112遮蔽背光，防止所述有源层11受到强光照射产生光生载流子，导致器件漏电流增大，从而减小背光对阵列基板电性的影响。需要说明的是，在本实施例的其他实施方式中，所述遮光层也可以仅包括所述第二遮光图案部分142和所述第三遮光图案部分143。步骤S104，在所述有源层11背离所述第二绝缘层15的表面形成栅极绝缘层。具体的，所述栅极绝缘层包括间隔设置的第一绝缘图案161、第二绝缘图案162和第三绝缘图案163。所述第一绝缘图案161在所述有源层11的投影位于所述第一有源区111a内，所述第二绝缘图案162在所述有源层11的投影位于所述第二有源区112a内。所述第三绝缘图案163位于所述第二绝缘层15背离所述衬底基板13的表面上，且所述第三绝缘图案163在所述遮光层上的投影位于所述第三遮光图案143内。本实施例中，所述栅极绝缘层16由SiNx或SiO2等绝缘材料制成。步骤S105，在所述栅极绝缘层背本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：提供一基板，其中，所述基板包括薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层和覆盖所述有源层的第一绝缘层；在所述第一绝缘层背离所述有源层的表面形成有源隔离层，所述有源隔离层覆盖所述有源层；在所述有源隔离层背离所述第一绝缘层的表面涂布平坦材料层，所述有源隔离层隔离所述平坦材料层和所述有源层；图案化所述平坦材料层以形成平坦层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：提供一基板，其中，所述基板包括薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层和覆盖所述有源层的第一绝缘层；在所述第一绝缘层背离所述有源层的表面形成有源隔离层，所述有源隔离层覆盖所述有源层；在所述有源隔离层背离所述第一绝缘层的表面涂布平坦材料层，所述有源隔离层隔离所述平坦材料层和所述有源层；图案化所述平坦材料层以形成平坦层。2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述有源隔离层由金属氧化物材料制成。3.如权利要求1或2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述第一绝缘层背离所述有源层的表面形成有源隔离层的步骤中，包括：在所述第一绝缘层背离所述有源层的表面形成有源隔离材料层；图案化所述有源隔离材料层以形成所述有源隔离层。4.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述有源隔离层的厚度在10nm以上。5.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在提供一基板的步骤中，包括：在衬底基板的表面形成遮光层；形成覆盖所述遮光层的第二绝缘层；在所述第二绝缘层背离所述遮光层的表面形成所述有源层；在所述有源层背离所述第二绝缘层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖辉，徐源竣，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44