一种阵列基板及其制造方法和一种液晶显示面板技术

本发明专利技术涉及显示领域，尤其涉及液晶显示器，具体涉及阵列基板的制造方法，该阵列基板的制造方法通过在现有技术中的去光阻和利用CVD设备进行化学气相沉积这两个步骤之间对玻璃基板上的图案化的金属线进行氧化处理来改善带有弧形的交叉金属结构产生的漏光现象，此方法直接利用CVD设备对金属进行氧化，在具备较快的氧化速度的同时也不会改变正常的阵列制程顺序，因此，上述液晶显示器的制造方法不仅能改善漏光的问题从而提高液晶面板对比度，而且也能保证液晶面板的生产效率及产能。

An Array Substrate and Its Manufacturing Method and a Liquid Crystal Display Panel

The invention relates to the display field, in particular to liquid crystal display, and in particular to the manufacturing method of an array substrate, which improves the light leakage caused by the arc-shaped cross-metal structure by oxidizing the patterned metal lines on the glass substrate between the two steps of de-photoresistance in the prior art and chemical vapor deposition using CVD equipment. Phenomenon, this method directly uses CVD equipment to oxidize metals, and it can not change the normal array process sequence at the same time with a faster oxidation speed. Therefore, the above-mentioned manufacturing method of liquid crystal display can not only improve the problem of light leakage and thus improve the contrast of liquid crystal panel, but also ensure the production efficiency and productivity of liquid crystal panel.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制造方法和一种液晶显示面板
本专利技术涉及显示领域，尤其涉及液晶显示器，具体涉及阵列基板的制造方法。
技术介绍
生活中，液晶显示器已经成为最常用的显示装置了，其中，液晶面板的对比度是衡量液晶显示器光学性能重要指标，但是液晶面板内存在带有弧形的交叉金属结构，此结构会导致漏光问题，进而会降低液晶面板的对比度。现有技术中，可以通过将金属竖线直接取消、将金属横向走线移动到子像素显示区域外的黑栅区下方以及将像素电极设计为水平和垂直方向等改变像素结构的方式来有效降低漏光，提高对比度；但是对于一些大尺寸、高分辨率的高阶显示器，为了保证充电效率和存储电容的相对充足，不能通过移除上述金属结构的操作来改善其漏光现象。综上所述，某些必须具备金属结构的高分辨率的液晶面板存在着漏光的问题，因此，现有技术有改进的空间。
技术实现思路
本专利技术提供了阵列基板的制造方法，用于改善某些必须具备金属结构的高分辨率的液晶面板存在着漏光的现象。为解决上述问题，本专利技术的技术方案提供一种阵列基板的制造方法，包括如下步骤：S101、镀膜，即在玻璃基板的表面镀上一层膜；S102、上光阻，即在所述膜的表面涂上一层光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：S101、镀膜，即在玻璃基板的表面镀上一层膜；S102、上光阻，即在所述膜的表面涂上一层光阻液；S103、曝光，即对所述涂有光阻液的玻璃基板进行选择性曝光；S104、显影，即溶解曝光的所述光阻；S105、蚀刻，即蚀刻所述玻璃基板表面的无光阻覆盖的所述膜形成图案化的金属线；S106、氧化，即至少在图案化的所述金属线的侧面通过氧化反应形成金属氧化物。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：S101、镀膜，即在玻璃基板的表面镀上一层膜；S102、上光阻，即在所述膜的表面涂上一层光阻液；S103、曝光，即对所述涂有光阻液的玻璃基板进行选择性曝光；S104、显影，即溶解曝光的所述光阻；S105、蚀刻，即蚀刻所述玻璃基板表面的无光阻覆盖的所述膜形成图案化的金属线；S106、氧化，即至少在图案化的所述金属线的侧面通过氧化反应形成金属氧化物。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S106包括如下步骤：S10611、去光阻，即去除所述玻璃基板上的所述光阻；S10612、氧化金属，即利用CVD设备对所述玻璃基板上的图案化的所述金属线进行氧化处理。3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述的氧化金属的方法是：将所述玻璃基板置于CVD设备腔内并且向其中通入氧气或者臭氧，所述氧化时间为80～120秒。4.如权利要求1所述的制造方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：马远洋，陈黎暄，林旭林，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44