一种阵列基板及其制造方法和一种液晶显示面板技术

本发明专利技术涉及显示领域，尤其涉及液晶显示器，具体涉及阵列基板的制造方法，该阵列基板的制造方法通过在现有技术中的去光阻和利用CVD设备进行化学气相沉积这两个步骤之间对玻璃基板上的图案化的金属线进行氧化处理来改善带有弧形的交叉金属结构产生的漏光现象，此方法直接利用CVD设备对金属进行氧化，在具备较快的氧化速度的同时也不会改变正常的阵列制程顺序，因此，上述液晶显示器的制造方法不仅能改善漏光的问题从而提高液晶面板对比度，而且也能保证液晶面板的生产效率及产能。

An Array Substrate and Its Manufacturing Method and a Liquid Crystal Display Panel

The invention relates to the display field, in particular to liquid crystal display, and in particular to the manufacturing method of an array substrate, which improves the light leakage caused by the arc-shaped cross-metal structure by oxidizing the patterned metal lines on the glass substrate between the two steps of de-photoresistance in the prior art and chemical vapor deposition using CVD equipment. Phenomenon, this method directly uses CVD equipment to oxidize metals, and it can not change the normal array process sequence at the same time with a faster oxidation speed. Therefore, the above-mentioned manufacturing method of liquid crystal display can not only improve the problem of light leakage and thus improve the contrast of liquid crystal panel, but also ensure the production efficiency and productivity of liquid crystal panel.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制造方法和一种液晶显示面板
本专利技术涉及显示领域，尤其涉及液晶显示器，具体涉及阵列基板的制造方法。
技术介绍
生活中，液晶显示器已经成为最常用的显示装置了，其中，液晶面板的对比度是衡量液晶显示器光学性能重要指标，但是液晶面板内存在带有弧形的交叉金属结构，此结构会导致漏光问题，进而会降低液晶面板的对比度。现有技术中，可以通过将金属竖线直接取消、将金属横向走线移动到子像素显示区域外的黑栅区下方以及将像素电极设计为水平和垂直方向等改变像素结构的方式来有效降低漏光，提高对比度；但是对于一些大尺寸、高分辨率的高阶显示器，为了保证充电效率和存储电容的相对充足，不能通过移除上述金属结构的操作来改善其漏光现象。综上所述，某些必须具备金属结构的高分辨率的液晶面板存在着漏光的问题，因此，现有技术有改进的空间。
技术实现思路
本专利技术提供了阵列基板的制造方法，用于改善某些必须具备金属结构的高分辨率的液晶面板存在着漏光的现象。为解决上述问题，本专利技术的技术方案提供一种阵列基板的制造方法，包括如下步骤：S101、镀膜，即在玻璃基板的表面镀上一层膜；S102、上光阻，即在所述膜的表面涂上一层光阻液；S103、曝光，即对所述涂有光阻液的玻璃基板进行选择性曝光；S104、显影，即溶解曝光的所述光阻；S105、蚀刻，即蚀刻所述玻璃基板表面的无光阻覆盖的所述膜形成图案化的金属线；S106、氧化，即至少在图案化的所述金属线的侧面通过氧化反应形成金属氧化物。其中，所述步骤S106可以是如下步骤：S10611、去光阻，即去除所述玻璃基板上的所述光阻；S10612、氧化金属，即利用CVD设备对所述玻璃基板上的图案化的所述金属线进行氧化处理。其中，所述氧化金属的方法是：将所述玻璃基板置于CVD设备腔内并且向其中通入氧气或者臭氧，所述氧化时间为80～120秒。所述步骤S106也可以是如下步骤：S10621、氧化金属，即对所述玻璃基板上的图案化的所述金属线进行氧化处理；S10622、去光阻，即去除所述玻璃基板上的所述光阻。其中，所述氧化金属有多种方法。第一种方法是：向装有所述玻璃基板的腔内通入氧气或者臭氧或者洁净干燥的压缩空气，并且保持所述腔内温度低于150℃、气体流量低于3000标准毫升/分钟。并且，所述氧化金属的方法中的所述氧化时间不超过240秒。另一种方法是：利用强氧化剂的稀释溶液对所述玻璃基板上的金属进行氧化处理。其中，所述强氧化剂的稀释溶液是利用涂刷方式覆盖在图案化的所述金属侧面。本专利技术的技术方案还提供一种采用如上述制造方法制备的阵列基板。本专利技术的技术方案另外还提供一种包含如上述的阵列基板的液晶显示面板。本专利技术的技术方案可以产生如下效果：本专利技术提供的阵列基板的制造方法，均包含了氧化过程，其中一种氧化是在现有技术中的去光阻和利用CVD设备进行化学气相沉积这两个步骤之间对玻璃基板上的的金属进行氧化处理，此方法利用CVD设备对金属进行氧化，在具备较快的氧化速度的同时也不会改变正常的阵列制程顺序，因此，上述液晶显示器的制造方法不仅能改善漏光现象从而提高液晶面板对比度，而且也能保证液晶面板的生产效率及产能；另一种氧化是在现有技术中的蚀刻和去光阻这两个步骤之间对玻璃基板上的的金属进行氧化处理，此方法在去除金属上层的光阻之前氧化金属，由于有光阻的覆盖，氧化处理金属时不会造成其上表面受损，因此，上述液晶显示器的制造方法不仅能改善漏光现象从而提高液晶面板对比度，而且金属的导电能力也能得到保障。本专利技术提供的利用上述方法制备的阵列基板以及包含所述阵列基板的液晶面板不仅保留了带有弧形的交叉金属结构以保证充电效率及存储电容，而且经过对氧化处理的金属导线也改善了漏光现象以提高液晶面板的对比度。附图说明下面通过附图来对本专利技术进行进一步说明。需要说明的是，下面描述中的附图仅仅是用于解释说明本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造方法的部分流程图。图2为本专利技术实施例提供的上述阵列基板的制造方法中一种氧化流程图。图3为本专利技术实施例提供的上述阵列基板的制造方法中另一种氧化流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“表面”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。另外，还需要说明的是，附图提供的仅仅是和本专利技术关系比较密切的结构和/或步骤，省略了一些与专利技术关系不大的细节，目的在于简化附图，使专利技术点一目了然，而不是表明实际中装置和/或方法就是和附图一模一样，不作为实际中装置和/或方法的限制。如图1，表示了本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造方法的部分流程图，在该实施例中，所述制造方法至少包括如下步骤：S101、镀膜，即在玻璃基板的表面镀上一层膜；需要注意的是，在玻璃基板上会依次镀上很多层膜，根据所镀膜的材料种类会采用不同的镀膜方式，一般而言，有PVD和CVD两种镀膜方式。所述PVD是PhysicalVaporDeposition(物理气相沉积)的缩写，是指在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上；所述CVD是ChemicalVaporDeposition(化学气相沉积)的缩写，用含有目标元素的气体，接收能量后通过化学反应，制备固体薄膜。需要了解的是，玻璃基板上所镀的第一、三、五层膜分别用作扫描线、信号线、电极板，它们所用的镀膜材料都是金属，此处都采用PVD镀膜方式；玻璃基板上所镀的第二、四层膜都有绝缘层的作用，所述绝缘材料都采用CVD镀膜方式。由于此制造阵列基板的方法中后期包含对金属线的氧化步骤，因此，在此描述的方法步骤都是针对上述镀金属膜而言。S102、上光阻，即在所述膜的表面涂上一层光阻液；其中，在上光阻之前需要用离子水将所述玻璃基板洗净；所述光阻液也可以用光刻胶代替，它们都是指通过紫外光等光照或辐射以后溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，是光刻工艺中的关键材料，此处用作辅助形成玻璃基板上的细微图形；在涂有光阻液以后需要烘烤一段时间，将光刻液的部分挥发，同时增加光阻材料与上述膜的粘合度。S103、曝光，即对所述涂有光阻液的玻璃基板进行选择性曝光；其中，具体做法是用紫外光透过光罩对所述涂有光阻液的玻璃基板进行照射，所述面罩是根据相应的电路图制定而成，所述照射时间根据光阻层的凝固状态而定，并且光阻层曝光和未曝光的颜色会不同。S104、显影，即溶解曝光的所述光阻；其中，务必等到所述玻璃基板上的光阻定型后，再用显影液溶解所述曝光的光阻，以保证不会对金属图案造成破坏，并且用离子水冲走所述曝光的光阻以保证后期本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：S101、镀膜，即在玻璃基板的表面镀上一层膜；S102、上光阻，即在所述膜的表面涂上一层光阻液；S103、曝光，即对所述涂有光阻液的玻璃基板进行选择性曝光；S104、显影，即溶解曝光的所述光阻；S105、蚀刻，即蚀刻所述玻璃基板表面的无光阻覆盖的所述膜形成图案化的金属线；S106、氧化，即至少在图案化的所述金属线的侧面通过氧化反应形成金属氧化物。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：S101、镀膜，即在玻璃基板的表面镀上一层膜；S102、上光阻，即在所述膜的表面涂上一层光阻液；S103、曝光，即对所述涂有光阻液的玻璃基板进行选择性曝光；S104、显影，即溶解曝光的所述光阻；S105、蚀刻，即蚀刻所述玻璃基板表面的无光阻覆盖的所述膜形成图案化的金属线；S106、氧化，即至少在图案化的所述金属线的侧面通过氧化反应形成金属氧化物。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S106包括如下步骤：S10611、去光阻，即去除所述玻璃基板上的所述光阻；S10612、氧化金属，即利用CVD设备对所述玻璃基板上的图案化的所述金属线进行氧化处理。3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述的氧化金属的方法是：将所述玻璃基板置于CVD设备腔内并且向其中通入氧气或者臭氧，所述氧化时间为80～120秒。4.如权利要求1所述的制造方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：马远洋，陈黎暄，林旭林，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44