薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管，包括栅极层、设置在栅极层上的光折射层、设置在光折射层上的绝缘层、设置在绝缘层上的有源层和设置在有源层上的有漏层。本发明专利技术通过光折射层的设置，并在栅极层和源漏层形成的寄生电容的作用下，改变光折射层的折射率，使背光源的入射光发生偏转，进而改善薄膜晶体管处于ON状态和OFF状态时的光电载流子效应。

Fabrication of Thin Film Transistors and Thin Film Transistors

The invention provides a thin film transistor, which comprises a gate layer, a light refractive layer arranged on the gate layer, an insulating layer arranged on the light refractive layer, an active layer arranged on the insulating layer and a leaky layer arranged on the active layer. The invention changes the refractive index of the light refractive layer by setting the light refractive layer and under the action of parasitic capacitance formed by the gate layer and the source-drain layer, so as to deflect the incident light of the backlight source, thereby improving the photo-carrier effect of the thin film transistor in ON and OFF states.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法
本专利技术涉及一种薄膜晶体管，特别涉及一种用于显示装置的薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法。
技术介绍
在具有背光源的显示装置中，TFT背板器件区的半导体材料无论是A-Si、P-Si还是IGZO都是对管较为敏感，容易产生光生载流子，影响电性。在现有的显示装置的薄膜晶体管中，包括栅极层和有源层，有源层包括与栅极层交叠设置的沟道区。而当薄膜晶体管处于ON状态(打开状态)时，薄膜晶体管的电流较弱，当薄膜晶体管处于OFF状态(关闭状态)时，薄膜晶体管漏电流较大，影响薄膜晶体管的电性。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种用于显示装置的薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法；以解决现有的用于显示装置的薄膜晶体管处于ON状态时，薄膜晶体管的电流较弱，当薄膜晶体管处于OFF状态(关闭状态)时，薄膜晶体管漏电流较大的技术问题。本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管，用于显示装置，其包括：基板，栅极层，设置在所述基板上；光折射层，设置在所述栅极层上，至少覆盖所述栅极层的两侧；绝缘层，设置在所述光折射层上；有源层，设置在所述绝缘层上；以及源漏层，设置在所述有源层上；其中所述有源层包括与所述栅极层交叠形成的沟道区，所述光折射层用于使背光源的入射光发生折射，当所述薄膜晶体管处于ON状态时，通过正电压导通所述薄膜晶体管，所述栅极层和所述源漏层形成寄生电容，改变所述光折射层的折射率，以使所述光折射层将背光源的入射光偏转至所述沟道区；当所述薄膜晶体管处于OFF状态时，通过负电压关闭所述薄膜晶体管，所述栅极层和所述源漏层形成寄生电容，改变所述光折射层的折射率，以使所述光折射层将背光源的入射光偏转至所述沟道区之外。在本专利技术的薄膜晶体管中，所述光折射层的厚度为N，其中在本专利技术的薄膜晶体管中，所述光折射层的透光率为M，M≥50％。在本专利技术的薄膜晶体管中，所述光折射层的材料为DKDP、ADP、LN和LT中的一种。本专利技术还涉及另一种薄膜晶体管，用于显示装置，其包括：基板；遮光层，设置在所述基板上；光折射层，设置在所述遮光层上，至少覆盖所述遮光层的两侧；第一绝缘层，设置在所述光折射层上；源漏层，设置在所述第一绝缘层上，且位于所述遮光层的两侧；有源层，设置在所述源漏层上，且正对所述遮光层；第二绝缘层，设置在所述有源层上，且覆盖所述源漏层；以及栅极层，设置在所述第二绝缘层上，且正对所述遮光层；其中所述有源层包括与所述栅极层交叠形成的沟道区，所述遮光层正对所述沟道区，所述光折射层用于使背光源的入射光发生折射，当所述薄膜晶体管处于ON状态时，通过正电压导通所述薄膜晶体管，所述栅极层和所述源漏层形成寄生电容，改变所述光折射层的折射率，以使所述光折射层将背光源的入射光偏转至所述沟道区；当所述薄膜晶体管处于OFF状态时，通过负电压关闭所述薄膜晶体管，所述栅极层和所述源漏层形成寄生电容，改变所述光折射层的折射率，以使所述光折射层将背光源的入射光偏转至所述沟道区之外。在本专利技术的另一薄膜晶体管中，所述光折射层的厚度为N，其中在本专利技术的另一薄膜晶体管中，所述光折射层的透光率为M，M≥50％。在本专利技术的另一薄膜晶体管中，所述光折射层的材料为DKDP、ADP、LN和LT中的一种。本专利技术还涉及一种用于显示装置的薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：在基板上形成图案化的栅极层；在所述栅极层上形成图案化的由光电材料制成的光折射层，所述光折射层至少覆盖所述栅极层的两侧；在所述光折射层上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成有源层；在所述有源层上形成源漏层。在本专利技术的薄膜晶体管的制备方法中，所述光电材料为非晶态材料或单晶材料。在本专利技术的薄膜晶体管的制备方法中，当所述光电材料为非晶态材料时，所述光折射层采用光刻工艺形成；当所述光电材料为单层材料时，所述光折射层采用激光定向诱导沉积工艺形成。在本专利技术的薄膜晶体管的制备方法中，所述光折射层的厚度为N，其中在本专利技术的薄膜晶体管的制备方法中，光折射层的透光率为M，M≥50％。在本专利技术的薄膜晶体管的制备方法中，所述光电材料为DKDP、ADP、LN和LT中的一种。相较于现有技术的用于显示装置的薄膜晶体管，本专利技术的薄膜晶体管和薄膜晶体管的制备方法通过光折射层的设置，并在栅极层和源漏层形成的寄生电容的作用下，改变光折射层的折射率，使背光源的入射光发生偏转，当薄膜晶体管处于ON状态时，背光源的入射光在光折射层的作用下发生偏转，辐射至沟道区，增强光生载流子效果，提高电流量；当薄膜晶体管处于OFF状态时，背光源的入射光在光折射层的作用下发生偏转，辐射至沟道区之外，减弱光生载流子效果，降低漏电流；解决了现有的用于显示装置的薄膜晶体管，当薄膜晶体管处于ON状态(打开状态)时，薄膜晶体管的电流较弱，，当薄膜晶体管处于OFF状态(关闭状态)时，薄膜晶体管漏电流较大，影响薄膜晶体管的电性的技术问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本专利技术的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。图1为本专利技术的薄膜晶体管的优选实施例处于ON状态的结构示意图；图2为本专利技术的薄膜晶体管的优选实施例处于OFF状态的结构示意图；图3为本专利技术的另一薄膜晶体管的优选实施例的结构示意图；图4为本专利技术的薄膜晶体管的制备方法的优选实施例的流程图。具体实施方式请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件。以下的说明是基于所例示的本专利技术具体实施例，其不应被视为限制本专利技术未在此详述的其它具体实施例。请参照图1和图2，图1为本专利技术的薄膜晶体管的优选实施例处于ON状态的结构示意图；图2为本专利技术的薄膜晶体管的优选实施例处于OFF状态的结构示意图。本实施例的薄膜晶体管用于显示装置，其包括基板11、栅极层12、光折射层13、绝缘层14、有源层15和源漏层16。具体的，栅极层12设置在基板11上；光折射层13设置在栅极层12上，至少覆盖栅极层12的两侧；绝缘层14设置在光折射层13上；有源层15设置在绝缘层14上；源漏层16设置在有源层15上。其中有源层15包括与栅极层12交叠形成的沟道区，光折射层13由光电材料制成，用于使背光源的入射光发生折射，当薄膜晶体管处于ON状态时，通过正电压导通所述薄膜晶体管，栅极层12和源漏层16形成寄生电容，改变光折射层13的折射率，以使光折射层13将背光源的入射光偏转至沟道区；当薄膜晶体管处于OFF状态时，通过负电压关闭薄膜晶体管，栅极层12和源漏层16形成寄生电容，改变光折射层13的折射率，以使光折射层13将背光源的入射光偏转至沟道区之外。具体的，薄膜晶体管处于ON状态时，通过正电压导通薄膜晶体管，栅极层12和源漏层16之间形成寄生电容，并作用于光折射层13，使得光折射层13的折射率发生改变，进而显示装置中背光源的入射光辐射至光折射层13时，发生折射偏转，并辐射至沟道区，以增强光生载流子效应，从而提高了电流，改善ON状态的光生载流效应。其中，栅极层12和源漏层16形成寄生电容，分为栅极和源极形成的寄生电容和栅极和漏极形成的寄生电容。薄膜晶体管处于OFF状态时，通过负电压关闭薄膜晶体管，栅极层12和源漏层16之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，用于显示装置，其特征在于，包括：基板，栅极层，设置在所述基板上；光折射层，设置在所述栅极层上，至少覆盖所述栅极层的两侧；绝缘层，设置在所述光折射层上；有源层，设置在所述绝缘层上；以及源漏层，设置在所述有源层上；其中所述有源层包括与所述栅极层交叠形成的沟道区，所述光折射层用于使背光源的入射光发生折射，当所述薄膜晶体管处于ON状态时，通过正电压导通所述薄膜晶体管，所述栅极层和所述源漏层形成寄生电容，改变所述光折射层的折射率，以使所述光折射层将背光源的入射光偏转至所述沟道区；当所述薄膜晶体管处于OFF状态时，通过负电压关闭所述薄膜晶体管，所述栅极层和所述源漏层形成寄生电容，改变所述光折射层的折射率，以使所述光折射层将背光源的入射光偏转至所述沟道区之外。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，用于显示装置，其特征在于，包括：基板，栅极层，设置在所述基板上；光折射层，设置在所述栅极层上，至少覆盖所述栅极层的两侧；绝缘层，设置在所述光折射层上；有源层，设置在所述绝缘层上；以及源漏层，设置在所述有源层上；其中所述有源层包括与所述栅极层交叠形成的沟道区，所述光折射层用于使背光源的入射光发生折射，当所述薄膜晶体管处于ON状态时，通过正电压导通所述薄膜晶体管，所述栅极层和所述源漏层形成寄生电容，改变所述光折射层的折射率，以使所述光折射层将背光源的入射光偏转至所述沟道区；当所述薄膜晶体管处于OFF状态时，通过负电压关闭所述薄膜晶体管，所述栅极层和所述源漏层形成寄生电容，改变所述光折射层的折射率，以使所述光折射层将背光源的入射光偏转至所述沟道区之外。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述光折射层的厚度为N，其中3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述光折射层的透光率为M，M≥50％。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述光折射层的材料为DKDP、ADP、LN和LT中的一种。5.一种薄膜晶体管，用于显示装置，其特征在于，包括：基板；遮光层，设置在所述基板上；光折射层，设置在所述遮光层上，至少覆盖所述遮光层的两侧；第一绝缘层，设置在所述光折射层上；源漏层，设置在所述第一绝缘层上，且位于所述遮光层的两侧；有源层，设置在所述源漏层上，且正对所述遮光层；第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹易彪，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44