The invention belongs to the technical field of thin film transistors, in particular to a ternary p-type CuBi2O4 thin film transistor and a preparation method thereof. The invention adopts radio frequency magnetron sputtering technology to prepare p-type CuBi2O4 channel layer on thermally oxidized SiO 2 substrate, and uses Au, Ni, Cu or ITO electrodes as source and drain electrodes to form a bottom gate TFT device with a certain p-type modulation function. The CuBi2O4 channel layer prepared by the invention has stable p-type semiconductor characteristics, simple device structure and compatible preparation process with microelectronics, and has broad industrial application prospects in OLED display and transparent electronic circuits.
【技术实现步骤摘要】
一种三元p型CuBi2O4薄膜晶体管及其制备方法
本专利技术属于薄膜晶体管制备领域，具体涉及一种p型氧化物薄膜晶体管及其制备方法。
技术介绍
薄膜晶体管是一种依靠多数载流子传输电流的三端半导体器件，分为源极、漏极和栅极，类型有n型和p型。该类半导体器件由于具有迁移率高、透明性好以及阈值电压低等优势，被广泛应用在平板显示和全透明电子电路中，具有广阔的工业应用前景。不仅如此，随着新材料和新结构的出现，薄膜晶体管不仅可以应用于显示阵列，还可应用于气敏传感器、神经网络和人工智能等新兴领域，成为多学科关注的焦点。众所周知，p型导电的氧化物半导体材料相对于n型来说，种类相对较少，而能够应用于薄膜晶体管器件制备的材料更少，因此目前p型半导体材料的开发以及在晶体管器件方面的应用成为人们研究的重点。p型氧化物薄膜晶体管研究意义主要基于如下几点：①p型氧化物薄膜晶体管只有跟n型薄膜晶体管结合才能形成互补型CMOS电路，从而应用在大面积集成电路中；②p型薄膜晶体管具有空穴注入的特点，更有利于有机发光二极管（OLED）电路的驱动；③透明p型氧化物薄膜晶体管可以应用于透明电子线路中，从而实...
【技术保护点】
1.一种三元p型CuBi2O4薄膜晶体管，其特征在于，包括：（1）衬底，作为栅电极使用；（2） 绝缘层，为氧化物薄膜，生长在上述硅衬底上；（3） 沟道层，为p型CuBi2O4薄膜，生长在上述绝缘层上；（4） 源漏电极，材料为Au、Ni、Cu或ITO，生长在上述沟道层上。
【技术特征摘要】
1.一种三元p型CuBi2O4薄膜晶体管，其特征在于，包括：（1）衬底，作为栅电极使用；（2）绝缘层，为氧化物薄膜，生长在上述硅衬底上；（3）沟道层，为p型CuBi2O4薄膜，生长在上述绝缘层上；（4）源漏电极，材料为Au、Ni、Cu或ITO，生长在上述沟道层上。2.根据权利要求1所述的p型CuBi2O4薄膜晶体管，其特征在于，所述衬底为重掺杂p型硅衬底。3.根据权利要求1所述的p型CuBi2O4薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘氧化物薄膜为100~300nm厚度的热氧化SiO2膜。4.一种如权利要求1-3之一所述的p型CuBi2O4薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，具体步骤为：（1）制备p型CuBi2O4沟道层：采用射频磁控溅射法，在衬底上沉积CuBi2O4薄膜，后在空气气氛下进行热退火处理，得到p型CuBi2O4沟道层；（2）制备源漏电极：在步骤(1)的基础上，采用射频磁控溅射法，在沟道层上沉积源漏电...
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