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本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体为一种三元p型CuBi2O4薄膜晶体管及其制备方法。本发明采用射频磁控溅射技术在热氧化SiO2基片上制备p型CuBi2O4沟道层，源漏电极采用Au、Ni、Cu或ITO电极，形成具有一定p型调制功能的底栅结构...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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