一种用于晶圆生产离子注入的控制装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及晶圆加工设备附属装置的技术领域，特别是涉及一种用于晶圆生产离子注入的控制装置，其可以通过提高筒体的盛放腔内的制备气体的控制精度；并且可以提高筒体盛放腔的制备气体的利用率；包括筒体和四组支腿，筒体的内部设置有盛放腔，盛放腔的顶端左侧连通设置有输入孔，盛放腔的顶端中部区域连通设置有输出孔；还包括左挂杆、右挂杆、支撑环、密封环、升降杆、螺纹杆、限位板和调节活塞，升降杆的中下部区域内部设置有伸缩腔；还包括横板、两组支撑架、挤压弹簧、密封塞、充气缸、恢复弹簧、左固定块、右固定块、左挡块、右挡块、动力活塞、推动杆、挑杆、固定杆、限位弹簧和转动杆，筒体的内部设置有工作腔。

A Control Device for Ion Implantation in Wafer Production

The invention relates to the technical field of the auxiliary device of wafer processing equipment, in particular to a control device for ion implantation in wafer production, which can improve the control accuracy of the preparation gas in the cylinder's storage chamber, and improve the utilization ratio of the preparation gas in the cylinder's storage chamber, including the cylinder body and four groups of legs, and the cylinder body is internally provided with a storage chamber and a storage chamber. Input holes are connected to the left side of the top, and output holes are connected to the middle part of the top of the cavity; left hanging rod, right hanging rod, supporting ring, sealing ring, lifting rod, screw rod, limit plate and adjusting piston are also connected; expansion cavity is set in the middle and lower part of the lifting rod; and horizontal plate, two groups of support frames, extrusion spring, sealing plug, inflatable cylinder, recovery spring and adjusting piston are also included. The left fixing block, the right fixing block, the left retaining block, the right retaining block, the power piston, the push rod, the pick rod, the fixing rod, the limit spring and the rotating rod are arranged, and the inner part of the cylinder body is provided with a working cavity.

【技术实现步骤摘要】
一种用于晶圆生产离子注入的控制装置
本专利技术涉及晶圆加工设备附属装置的
，特别是涉及一种用于晶圆生产离子注入的控制装置。
技术介绍
众所周知，离子注入技术是把掺杂剂的原子引入固体中的一种材料改性方法，简单地说，离子注入就是将离子源产生的离子经加速后高速射向材料表面，当离子进入表面，将与固体中的原子碰撞，将其挤进内部，并在其射程前后和侧面激发出一个尾迹，因此可知，通过控制离子源的量便可以控制材料表面注入离子的量，这里的晶圆生产用的离子源有BF3、ASH3和PH3，而给晶圆注入离子只需将需求的气体送至一个放电腔室，然后热灯丝发射的电子与气体分子碰撞，当能量足够大时，气体分子便被离化，然后离子被送至下面工序，其中用于晶圆生产离子注入的控制装置是一种在晶圆离子源的制备的过程中，用于控制所需气体流量的装置，其在晶圆制作的领域中得到了广泛的使用；现有的用于晶圆生产离子注入的控制装置包括筒体和四组支腿，所述筒体的内部设置有盛放腔，所述盛放腔的顶端左侧连通设置有输入孔，所述输入孔中部连通设置有左控制阀，所述盛放腔的顶端中部区域连通设置有输出孔，所述输出孔的中部连通设置有右控制阀，所述筒体的底本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于晶圆生产离子注入的控制装置，包括筒体（1）和四组支腿（2），所述筒体（1）的内部设置有盛放腔，所述盛放腔的顶端左侧连通设置有输入孔（3），所述输入孔（3）中部连通设置有左控制阀（4），所述盛放腔的顶端中部区域连通设置有输出孔（5），所述输出孔（5）的中部连通设置有右控制阀（6），所述筒体（1）的底端的左前侧、左后侧、右前侧和右后侧分别与四组支腿（2）的顶端连接；其特征在于，还包括左挂杆（7）、右挂杆、支撑环（8）、密封环（9）、升降杆（10）、螺纹杆（11）、限位板（12）和调节活塞（13），所述左挂杆（7）的顶端和右挂杆的顶端分别与筒体（1）的底端的左侧和右侧连接，所述左挂杆（7...

【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆生产离子注入的控制装置，包括筒体（1）和四组支腿（2），所述筒体（1）的内部设置有盛放腔，所述盛放腔的顶端左侧连通设置有输入孔（3），所述输入孔（3）中部连通设置有左控制阀（4），所述盛放腔的顶端中部区域连通设置有输出孔（5），所述输出孔（5）的中部连通设置有右控制阀（6），所述筒体（1）的底端的左前侧、左后侧、右前侧和右后侧分别与四组支腿（2）的顶端连接；其特征在于，还包括左挂杆（7）、右挂杆、支撑环（8）、密封环（9）、升降杆（10）、螺纹杆（11）、限位板（12）和调节活塞（13），所述左挂杆（7）的顶端和右挂杆的顶端分别与筒体（1）的底端的左侧和右侧连接，所述左挂杆（7）的底部区域右侧和右挂杆的底部区域左侧分别与支撑环（8）的外圆周侧壁的左侧和右侧连接，所述盛放腔的底端连通设置有伸入孔，所述密封环（9）的外侧壁与伸入孔的内侧壁密封卡装，所述升降杆（10）的顶端自筒体（1）的下侧密封穿过密封环（9）并且伸入至盛放腔内部，所述升降杆（10）的顶端与限位板（12）的底端连接，所述限位板（12）的顶端与调节活塞（13）的底端中部区域紧贴，所述密封活塞的圆周侧壁与盛放腔的圆周侧壁密封紧贴，所述升降杆（10）的中下部区域内部设置有伸缩腔，所述伸缩腔的底端连通设置有伸缩口，所述伸缩腔的圆周侧壁设置有内螺纹，所述螺纹杆（11）的顶端自升降杆（10）的下侧螺装穿过伸缩口并且伸入至伸缩腔内部，所述螺纹杆（11）的底端与支撑环（8）转动套装，所述盛放腔的顶端右侧连通设置有测压管（37），所述测压管的顶端连通设置有压力表（38）；还包括横板（14）、两组支撑架（15）、挤压弹簧（16）、密封塞（17）、充气缸（18）、恢复弹簧（19）、左固定块（20）、右固定块、左挡块（21）、右挡块、动力活塞（22）、推动杆（23）、挑杆（24）、固定杆（25）、限位弹簧（26）和转动杆（27），所述盛放腔的底端左侧连通设置有进气孔，所述两组支撑架（15）的底端均与盛饭腔的底端左侧连接，所述两组支撑架（15）分别等距位于进气孔的左侧和右侧，所述横板（14）的底端的左侧和右侧分别与两组支撑架（15）的顶端连接，所述密封塞（17）的底端自盛饭腔内插入至进气孔，所述密封塞（17）的圆周侧壁中部区域与进气孔的顶端紧贴，所述挤压弹簧（16）的顶端与横板（14）的底端中部区域连接，所述挤压弹簧（16）的底端与密封塞（17）的顶端中部区域连接，所述充气缸（18）的顶端与筒体（1）的底端的左侧连接，所述筒体（1）的内部设置有工作腔，所述工作腔的顶端与进气孔连通设置有过度口，所述工作腔的左端和右端的上部区域分别连通设置有左补充口和右补充口，所述左固定块（20）的顶端和右固定块的顶端分别与工作腔的左端上侧和右端上侧铰接，所述左固定块（20）的左端和右...

【专利技术属性】
技术研发人员：王昌华，
申请(专利权)人：江苏英锐半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32