This disclosure relates to a CMP system and method for chemical mechanical grinding. In some embodiments, the CMP system has a rotatable wafer carrier configured to hold the wafer downward for processing. The CMP system also has a grinding layer attached to the grinding table and a front surface configured to interact with the wafer to be processed; and a CMP grinding fluid dispenser configured to dispense the grinding fluid to the interface between the grinding layer and the wafer. The grinding fluid contains charged abrasive particles. The CMP system also has a membrane electrode attached to the rear surface of the grinding layer relative to the front surface. The membrane electrode is configured to influence the movement of the charged abrasive particles by applying an electric field during the operation of the CMP system.
【技术实现步骤摘要】
化学机械研磨系统与方法
本专利技术实施例涉及化学机械研磨系统与方法。
技术介绍
在集成电路(IC)的制造中，通过形成各种工艺层、接着选择性地去除或图案化所述层的部分，且在其上沉积额外工艺层而在晶片上形成装置。在沉积步骤之后，晶片的最上表面通常因先前选择性图案化而为非平面的。相继执行平面化工艺以去除过量部分且制备平面表面以用于以下工艺。利用化学机械研磨工艺(CMP工艺)来进行平面化工艺。待处理晶片被保持倒置且被迫抵靠旋转CMP垫。将研磨液放置于CMP垫与晶片表面之间。归因于经施加向下力，此研磨液(其包含有助于化学溶解晶片的最上表面的化学品和有助于物理磨损最上表面的磨料颗粒)提供晶片表面平面化。
技术实现思路
本专利技术实施例涉及一种化学机械研磨(CMP)系统，其包括：可旋转晶片载体，其经配置以固持晶片使其面向下以供处理；研磨层，其附接到研磨台且具有经配置以与所述待处理晶片相互作用的前表面；CMP研磨液施配器，其经配置以将研磨液施配到所述研磨层与所述晶片之间的界面，所述研磨液中含有带电磨料颗粒；和膜电极，其附接到与所述前表面相对的所述研磨层的后表面，且经配置以通过在所述C...
【技术保护点】
1.一种化学机械研磨CMP系统，其包括：可旋转晶片载体，其经配置以固持晶片使其面向下以供处理；研磨层，其附接到研磨台且具有经配置以与所述待处理晶片相互作用的前表面；CMP研磨液施配器，其经配置以将研磨液施配到所述研磨层与所述晶片之间的界面，所述研磨液中含有带电磨料颗粒；和膜电极，其附接到与所述前表面相对的所述研磨层的后表面，且经配置以通过在所述CMP系统的操作期间施加电场而影响所述带电磨料颗粒的移动。
【技术特征摘要】
2017.06.19 US 15/626,6121.一种化学机械研磨CMP系统，其包括：可旋转晶片载体，其经配置以固持晶片使其面向下以供处理；研磨层，其附接到研磨台且具有经配置以与所述待处理晶片相互作用...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁晋玮，匡训冲，朱彦璋，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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