晶片的抛光控制方法及抛光系统技术方案

本发明专利技术涉及晶片的抛光控制方法及抛光系统，提供一种能够进行控制以便在抛光结束时间点使晶片抛光层的厚度分布均一的晶片的抛光控制方法及利用其的抛光系统，该方法包括：抛光步骤，针对晶片的所述抛光层进行抛光；光照射步骤，向所述晶片的所述抛光层的第1位置和第2位置照射光；光接收步骤，接收所述晶片的所述第1位置的第1反射光和所述第2位置的第2反射光；压力调节步骤，按区域(zone)调节所述晶片的压力，以便消除来自所述第1反射光的第1光干涉信号与来自所述第2反射光的第2光干涉信号的偏差。

Polishing Control Method and Polishing System of Wafer

The invention relates to a wafer polishing control method and a polishing system, which provides a wafer polishing control method capable of controlling the thickness distribution of the wafer polishing layer uniformly at the end time point of polishing, and a polishing system utilizing the wafer polishing method. The method comprises: polishing steps for polishing the wafer polishing layer; The light irradiation step irradiates light at the first and second positions of the polishing layer of the wafer, the light receiving step receives the first reflected light at the first position of the wafer and the second reflected light at the second position of the wafer, and the pressure regulating step adjusts the pressure of the wafer according to the region in order to eliminate the reflection from the wafer 1. The deviation between the first optical interference signal of light and the second optical interference signal from the second reflected light.

【技术实现步骤摘要】
晶片的抛光控制方法及抛光系统
本专利技术涉及借助于利用多波长光的相位差检测的晶片的抛光控制方法及利用其的抛光系统，详细而言，涉及一种在抛光工序中，即使不完全算出抛光层的厚度，借助于利用了多波长光的相位差控制，便能够实时准确地调节抛光层的厚度的抛光控制方法及利用其的系统。
技术介绍
化学机械式抛光(CMP)装置是，为了在半导体元件制造过程中，消除由于反复执行掩蔽、蚀刻及布线工序等而生成的晶片表面凹凸导致的cell区域与周边电路区域间发生高度差的全面平坦化，改善因电路形成用触点/布线膜分离及高集成元件化导致的晶片表面粗糙度等，而用于对晶片表面进行精密抛光加工的装置。在这种CMP装置中，承载头在抛光工序前后，以晶片的抛光面与抛光垫相向的状态对所述晶片加压，使得进行抛光工序，同时，抛光工序结束后，以直接或间接真空吸附并把持晶片的状态，移送到下个工序。图1a是化学机械式抛光装置1的概略图。如图1所示，化学机械式抛光装置1是在进行旋转11d的抛光板10的抛光垫11上，晶片W被抛光头20加压并实现抛光，同时，从浆料供应部(图中未示出)向抛光垫11上供应浆料并实现湿式抛光。而且，在此过程中，在调节器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的抛光系统，所述晶片在底面形成有光透过性材质的抛光层，其特征在于，包括：抛光垫，其在抛光板上旋转；光照射部，其向所述晶片的抛光层照射光；调节器，其对所述抛光垫加压并改性；光接收部，其接收在所述抛光层的第1位置反射的第1光干涉信号以及在不同于所述第1位置的第2位置反射的第2光干涉信号；控制部，其调节对所述晶片加压的抛光头的压力，以减小所述第1光干涉信号与所述第2光干涉信号的偏差。

【技术特征摘要】
2017.05.11 KR 10-2017-00585051.一种晶片的抛光系统，所述晶片在底面形成有光透过性材质的抛光层，其特征在于，包括：抛光垫，其在抛光板上旋转；光照射部，其向所述晶片的抛光层照射光；调节器，其对所述抛光垫加压并改性；光接收部，其接收在所述抛光层的第1位置反射的第1光干涉信号以及在不同于所述第1位置的第2位置反射的第2光干涉信号；控制部，其调节对所述晶片加压的抛光头的压力，以减小所述第1光干涉信号与所述第2光干涉信号的偏差。2.根据权利要求1所述的晶片的抛光系统，其特征在于，还包括对所述抛光垫的表面进行改性的调节器，所述控制部以减小所述第1光干涉信号与所述第2光干涉信号偏差的控制形态，调节所述调节器对所述抛光垫的压力。3.根据权利要求2所述的抛光抛光控制方法，其特征在于，如果所述第1光干涉信号比所述第2光干涉信号滞后，则将与所述第1位置对应的区域中的调节器的压力降低为，低于与所述第2位置对应的区域中的调节器的压力。4.根据权利要求1所述的晶片的抛光系统，其特征在于，所述抛光头具备分割成多个的压力腔，所述压力腔包括第1压力腔和第2压力腔，用于对晶片加压；所述第1位置及所述第2位置是互不相同的所述第1压力腔及所述第2压力腔的下侧位置。5.根据权利要求4所述的晶片的抛光系统，其特征在于，所述抛光头独立地调节被分割为多个的所述压力腔的压力，调节所述晶片的压力。6.根据权利要求5所述的晶片的抛光系统，其特征在于，所述第1压力腔和所述第2压力腔是所述多个压力腔中相邻配置的压力腔。7.根据权利要求1所述的晶片的抛光系统，其特征在于，所述抛光头调节对所述晶片施加的压力，以便消除所述第1光干涉信号与所述第2光干涉信号的相位差。8.根据权利要求1所述的晶片的抛光系统，其特征在于，所述抛光头调节对所述晶片施加的压力，以便消除所述第1光干涉信号与所述第2光干涉信号的光强度(intensity)的偏差。9.根据权利要求1所述的晶片的抛光系统，其特征在于，所述抛光层为氧化物层。10.根据权利要求1所述的晶片的抛光系统，其特征在于，如果所述第1光干涉信号比所述第2光干涉信号滞后，所述控制部则使通过所述第1压力腔向所述晶片导入的第1压力高于通过所述第2压力腔向所述晶片导入的第2压力。11.根据权利要求1～10中任意一项所述的晶片的抛光系统，其特征在于，所述光接收部在所有所述多个压力腔的下侧分别接收至少一个位置的光干涉信号。12.根据权利要求1～10中任意一项所述的晶片的抛光系统，其特征在于，所述光照射部照射具有2个以上波长的光，所述光接收部接收具有2个以上波长的光；所述控制部在所述第1位置和所述第2位置接收的对于多波长光的光干涉信号中，选择对于至少一个具有既定相位值的波长值的所述第1光干涉信号和所述第2光干涉信号，并对比所述第1光干涉信号与所述第2光干涉信号。13.根据权利要求12所述的晶片的抛光系统，其特征在于，被选择为所述第1光干涉信号和所述第2光干涉信号并为控制所述抛光头的压力所使用的光干涉信号的波长值，随着所述晶片的抛光工序的进行而变动。14.根据权利要求12所述的晶片的抛光系统，其特征在于，所述既定相位值是所述第1光干涉信号和所述第2光干涉信号中任意一个的光强度(intensity)在时间轴中的峰值(peak)或由此而定的误差范围以内的值。15.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：金圣教，
申请(专利权)人：凯斯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR