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本发明涉及晶片的抛光控制方法及抛光系统，提供一种能够进行控制以便在抛光结束时间点使晶片抛光层的厚度分布均一的晶片的抛光控制方法及利用其的抛光系统，该方法包括：抛光步骤，针对晶片的所述抛光层进行抛光；光照射步骤，向所述晶片的所述抛光层的第1位...
该专利属于凯斯科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过凯斯科技股份有限公司授权不得商用。

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