【技术实现步骤摘要】
研磨头、研磨系统及研磨方法
本专利技术涉及一种用于化学机械研磨的研磨头、具备该研磨头的研磨系统、以及利用该研磨头进行研磨的方法。
技术介绍
作为在例如半导体晶圆、场发射显示器等微电子衬底上形成平坦表面的方法,化学机械研磨(CMP:ChemicalMechanicalPolishing)在半导体工业领域正得到广泛应用。在CMP工艺中,通常利用研磨头来吸附例如晶圆(wafer)等被研磨物,将其移动至研磨垫上方并压抵于研磨垫,使研磨头带着被研磨物一起旋转,同时,向研磨垫提供研磨液并使其旋转,由此,利用研磨液的化学腐蚀和机械力研磨来对被研磨物表面进行平滑处理。为了在研磨时压住被研磨物,例如采用位于研磨头内的研磨头内膜来对被研磨物进行按压。具体而言,在进行研磨时,例如通过向研磨头内膜进行充气等来对其施加压力而使其发生形变,形变后的研磨头内膜压住被研磨物,带着被研磨物随研磨头一起进行旋转,由此来完成化学机械研磨。以往,通常使用固态硅胶、橡胶等可挠性材料来作为研磨头内膜的材质。
技术实现思路
专利技术所要解决的问题然而,在使用现有的固态硅胶材质的研磨头内膜来对被研磨物进行按压时,被 ...
【技术保护点】
1.一种研磨头,其特征在于,包括:研磨头主体,该研磨头主体中设有用于提供气体压力的气体通道,所述气体通道贯穿所述研磨头主体的下表面;以及研磨头内膜,该研磨头内膜的材料包含液态硅胶,所述研磨头内膜固设于所述下表面,并覆盖所述气体通道在所述下表面上的端口,所述研磨头内膜用于在通过所述气体通道通入气体时发生形变从而压住被研磨物来进行研磨。
【技术特征摘要】
1.一种研磨头,其特征在于,包括:研磨头主体,该研磨头主体中设有用于提供气体压力的气体通道,所述气体通道贯穿所述研磨头主体的下表面;以及研磨头内膜,该研磨头内膜的材料包含液态硅胶,所述研磨头内膜固设于所述下表面,并覆盖所述气体通道在所述下表面上的端口,所述研磨头内膜用于在通过所述气体通道通入气体时发生形变从而压住被研磨物来进行研磨。2.如权利要求1所述的研磨头,其特征在于,所述研磨头内膜的硬度为17.6HA~22.4HA。3.如权利要求1所述的研磨头,其特征在于,所述研磨头内膜的压缩永久变形为0.139%~0.161%。4.如权利要求1所述的研磨头,其特征在于,所述研磨头内膜的线性收缩率为1.85%~2.15%。5.如权利要求1所述的研磨头,其特征在于,所述下表面设有若干同心间隔设置的环形卡槽,所述研磨头内膜具有若干同心间隔设置的凸条,若干所述凸条与若干所述卡槽一一对应并卡设于所述卡槽内以实现所述研磨头内膜固设于所述研磨头主体上。6.如权利要求1所述的研磨头,其特征在于,所述气体通道包括主通道和若干支通道,若干所述支通道的一端与主通道连通,另一端贯穿所述下表面,若干所述支通道贯穿所述下表面的端口与若干所述卡槽间隔设置。7.如权利要求6所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:邹建龙,左少杰,李道光,李大鹏,
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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