研磨装置及研磨状态监视方法制造方法及图纸

一种研磨装置，具有：对处于静止状态的基板的膜厚进行测量的在线型膜厚测量器(80)；以及具有配置在研磨台(30A)内的膜厚传感器(40)的原位分光式膜厚监视器(39)。原位分光式膜厚监视器(39)，从研磨基板前由在线型膜厚测量器(80)取得的初期膜厚中，减去研磨基板前由原位分光式膜厚监视器(39)取得的初期膜厚，由此确定补正值，对研磨基板中取得的膜厚加上补正值，由此取得监视膜厚，基于监视膜厚而监视基板的研磨进度。采用本发明专利技术，研磨装置能实现高精度的精加工性能。

【技术实现步骤摘要】
研磨装置及研磨状态监视方法本申请为下述申请的分案申请：原申请的申请日：2014年07月11日原申请的申请号：201410330519.6原申请的专利技术名称：研磨装置及研磨状态监视方法
本专利技术涉及一种对晶片等基板进行研磨的研磨装置、以及对基板的研磨状态进行监视的方法。
技术介绍
在对半导体晶片等基板进行研磨的研磨装置中，主要以监视绝缘层(透明层)的研磨的进行状态并检测出研磨终点为目的，而使用原位(insitu)分光式膜厚监视器。在这种原位分光式膜厚监视器中，安装在研磨台上的光源及分光光度计分别与投光用光纤和受光用光纤连接。这些光纤的顶端，作为投光受光部，设置在研磨台每旋转一周就对晶片表面进行一次扫描的位置。若将投光受光部设在通过晶片中心的位置上，则投光受光部在研磨台旋转一周的期间就对晶片面上的大约接近直径的线(曲线)进行扫描。近年来，随着半导体器件的精细化，对研磨的精加工性能的要求也变高，对原位分光式膜厚监视器的要求精度也变得极其严格。但是，由于原位分光式膜厚监视器不是获得膜厚绝对值的结构，故其膜厚测量值，与基于基准晶片的膜厚进行校正的在线型(或独立型)膜厚测量器测量出的膜厚测量本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种研磨装置，其特征在于，具有：对研磨垫进行支承的研磨台；将基板按压到所述研磨垫上的顶环；在线型膜厚测量器，该在线型膜厚测量器对处于静止状态的基板的膜厚进行测量；以及原位分光式膜厚监视器，该原位分光式膜厚监视器具有配置在所述研磨台内的膜厚传感器，所述原位分光式膜厚监视器，从研磨所述基板前由所述在线型膜厚测量器测量出的初期膜厚中，减去研磨所述基板前由所述原位分光式膜厚监视器测量出的初期膜厚，由此确定补正值，对在所述基板的研磨中测量出的膜厚加上所述补正值，由此取得监视膜厚，基于所述监视膜厚而监视所述基板的研磨进度。

【技术特征摘要】
2013.07.11 JP 2013-145734;2013.07.19 JP 2013-150501.一种研磨装置，其特征在于，具有：对研磨垫进行支承的研磨台；将基板按压到所述研磨垫上的顶环；在线型膜厚测量器，该在线型膜厚测量器对处于静止状态的基板的膜厚进行测量；以及原位分光式膜厚监视器，该原位分光式膜厚监视器具有配置在所述研磨台内的膜厚传感器，所述原位分光式膜厚监视器，从研磨所述基板前由所述在线型膜厚测量器测量出的初期膜厚中，减去研磨所述基板前由所述原位分光式膜厚监视器测量出的初期膜厚，由此确定补正值，对在所述基板的研磨中测量出的膜厚加上所述补正值，由此取得监视膜厚，基于所述监视膜厚而监视所述基板的研磨进度。...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林洋一，渡边和英，盐川阳一，八木圭太，木下将毅，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP