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本揭露涉及一种化学机械研磨CMP系统与方法。在一些实施例中，所述CMP系统具有可旋转晶片载体，其经配置以固持晶片使其面向下以供处理。所述CMP系统还具有：研磨层，其附接到研磨台且具有经配置以与所述待处理晶片相互作用的前表面；和CMP研磨液施...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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