A smooth temperature compensated bandgap reference circuit belongs to the technical field of analog integrated circuits. Including startup module, bias module, high-order compensation module and bandgap reference core module, the startup module is used to break the bandgap reference circuit out of zero state in the initial stage of the circuit and turn off after the bandgap reference circuit works normally; the bias module is used to generate the first bias voltage and the second bias voltage for the high-order compensation module and the bandgap reference core module; the bandgap reference core is used to generate the first bias voltage and the second bias voltage for the bandgap reference module. The core module is used to generate the reference voltage, and the high-order compensation module is used to generate the high-order compensation current to improve the temperature characteristics of the reference voltage. The bandgap reference source proposed by the utility model realizes continuous temperature compensation in the whole temperature range, reduces the temperature drift of the reference voltage in the whole temperature range, realizes high-order compensation in the whole temperature range, thus making the reference voltage have high precision in a wide temperature range.
【技术实现步骤摘要】
一种平滑温度补偿带隙基准源电路
本技术属于模拟集成电路
，具体涉及一种平滑温度补偿带隙基准源电路。
技术介绍
电压基准源是所有电子系统中非常重要的一个模块，其特征直接关系到系统的安全可靠性和性能指标，因此高精度电压基准源在众多应用中扮演着重要的角色，其覆盖纯模拟电路、混合数字电路和纯数字电路，譬如A/D转换器、DRAMs、电源转换和闪存等电路。对于DC-DC变换器而言，电压基准源的性能将直接关系到变换器输出的精度和稳定性，因此对于高性能变换器的设计而言尤为重要。随着对基准电压精度要求越来越高，传统的一阶温度补偿基准源已不能满足应用需求。
技术实现思路
针对上述传统观温度补偿基准源在精度和稳定性方面的不足之处，本技术提出一种平滑温度补偿带隙基准源电路，采用平滑温度补偿策略，提出的高阶补偿模块可以在整个温度范围内实现连续温度补偿，减小了输出电压在整个温度范围的温度漂移，实现了在整个温度范围的高阶补偿，从而使得基准电压在很宽的温度范围内具有高精度。本技术的技术方案为：一种平滑温度补偿带隙基准源电路，包括启动模块和偏置模块，所述启动模块用于在电路初始化阶段使所述带隙基准源电...
【技术保护点】
1.一种平滑温度补偿带隙基准源电路，包括启动模块和偏置模块，所述启动模块用于在电路初始化阶段使所述带隙基准源电路脱离零状态，并在所述带隙基准源电路正常工作后关断；所述偏置模块用于产生第一偏置电压(V1)和第二偏置电压(V2)；其特征在于，所述带隙基准源电路还包括高阶补偿模块和带隙基准核心模块；所述带隙基准核心模块包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第一NPN型三极管(Q1)、第二NPN型三极管(Q2)、第三NPN型三极管(Q3)、第一PNP型三极管(QP1)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)...
【技术特征摘要】
1.一种平滑温度补偿带隙基准源电路，包括启动模块和偏置模块，所述启动模块用于在电路初始化阶段使所述带隙基准源电路脱离零状态，并在所述带隙基准源电路正常工作后关断；所述偏置模块用于产生第一偏置电压(V1)和第二偏置电压(V2)；其特征在于，所述带隙基准源电路还包括高阶补偿模块和带隙基准核心模块；所述带隙基准核心模块包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第一NPN型三极管(Q1)、第二NPN型三极管(Q2)、第三NPN型三极管(Q3)、第一PNP型三极管(QP1)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)、第六NMOS管(MN6)、第七NMOS管(MN7)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)、第七PMOS管(MP7)、第八PMOS管(MP8)、第九PMOS管(MP9)和第十PMOS管(MP10)，第一PMOS管(MP1)的栅极连接第三PMOS管(MP3)、第五PMOS管(MP5)、第七PMOS管(MP7)和第九PMOS管(MP9)的栅极并连接所述第一偏置电压(V1)，其漏极连接第二PMOS管(MP2)的源极，其源极连接第三PMOS管(MP3)、第五PMOS管(MP5)、第七PMOS管(MP7)和第九PMOS管(MP9)的源极并连接电源电压(VCC)；第二PMOS管(MP2)的栅极连接第四PMOS管(MP4)、第六PMOS管(MP6)、第八PMOS管(MP8)和第十PMOS管(MP10)的栅极并连接所述第二偏置电压(V2)，其漏极连接第一NMOS管(MN1)的栅极和漏极以及第四NMOS管(MN4)和第六NMOS管(MN6)的栅极；第四PMOS管(MP4)的源极连接第三PMOS管(MP3)的漏极，其漏极连接第三NMOS管(MN3)的栅极以及第二NMOS管(MN2)的栅极和漏极并通过第一电容(C1)后接地(GND)；第三NMOS管(MN3)的源极连接第三NPN型三极管(Q3)的发射极、第一PNP型三极管(QP1)的集电极以及第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第五NMOS管(MN5)和第七NMOS管(MN7)的源极并接地(GND)，其漏极连接第一NPN型三极管(Q1)和第二NPN型三极管(Q2)的发射极；第二三极管(Q2)的基极连接第十PMOS管(MP10)的漏极和第一PNP型三极管(QP1)的发射极并作为所述带隙基准源电路的输出端输出基准电压(VREF)，其集电极连接第七PMOS管(MP7)的漏极和第八PMOS管(MP8)的源极；第一电阻(R1)和第二电阻(R2)串联并接在所述带隙基准源电路的输出端和第三NPN型三极管的集电极之间，其串联点连接第一NPN型三极管(Q1)的基极和所述高阶补偿模块的输出端，第一NPN型三极管(Q1)的基极连接其集电极；第六PMOS管(MP6)的源极连接第一NPN型三极管(Q1)的集电极和第五PMOS管(MP5)的漏极，其漏极连接第四NMOS管(MN4)的漏极、第五NMOS管(MN5)和第七NM...
【专利技术属性】
技术研发人员：石跃，李颂，凌味未，陈功，姚尧，周泽坤，
申请(专利权)人：成都信息工程大学，
类型：新型
国别省市：四川,51
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