一种基准电压源电路制造技术

本申请公开了一种基准电压源电路，包括第一三极管、电流镜电路和带隙基准电路；其中，第一三极管的输入端与电源连接，第一三极管的输出端与带隙基准电路的第一输入端连接；带隙基准电路的输出端作为基准电压源电路的输出端；电流镜电路的第一电流输出端与第一三极管的控制端连接；电流镜电路的第二电流输出端与带隙基准电路的第二输入端连接；用于对带隙基准电路的工作电流进行补偿，降低带隙基准电路的输出电压的温度系数。本申请通过引入补偿电流可有效降低带隙基准电路的输出电压的温度系数，抑制温漂问题，进而提高输出电压的精确度和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种基准电压源电路
本申请涉及电子
，特别涉及一种基准电压源电路。
技术介绍
基准电压源在各种模拟电路、数模混合集成电路中都有着广泛的应用。出于高精度、高稳定性的要求，基准电压源需要具有较低的温度系数，以抑制其输出的基准电压的温度漂移即温漂。带隙基准电路是现有技术中常见的一种基准电压源。它利用三极管基极-发射极电压Vbe的负温度系数与热电势的正温度系数，通过相互补偿而得到较低温度系数的输出电压。但随着技术的不断发展，现代集成电路对于基准电压源温度特性的要求也越来越高，现有技术中带隙基准电路的温度系数也已经无法满足当前的需求了。可见，采用何种基准电压源以便进一步降低温度系数、抑制温漂问题，进而有效提高输出精度和稳定性，是本领域技术人员所亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种基准电压源电路，以便进一步地有效降低温度系数、抑制温漂问题，进而提高输出精度和稳定性。为解决上述技术问题，本申请提供一种基准电压源电路，包括第一三极管、电流镜电路和带隙基准电路；其中，所述第一三极管的输入端与电源连接，所述第一三极管的输出端与所述带隙基准电路的第一输入端连接；所述带隙基准电路的输出端作为所述基准电压源电路的输出端；所述电流镜电路的第一电流输出端与所述第一三极管的控制端连接；所述电流镜电路的第二电流输出端与所述带隙基准电路的第二输入端连接；用于对所述带隙基准电路的工作电流进行补偿，降低所述带隙基准电路的输出电压的温度系数。可选地，所述电流镜电路为共栅共源电流镜电路。可选地，所述共栅共源电流镜电路包括第一PMOS管和第二PMOS管；其中，所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极均与所述电源连接；所述第一PMOS管的漏极和栅极均与所述第二PMOS管的栅极连接；所述第一PMOS管的漏极作为所述电流镜电路的所述第一电流输出端；所述第二PMOS管的漏极作为所述电流镜电路的所述第二电流输出端。可选地，所述第一PMOS管与所述第二PMOS管均为增强型PMOS管。可选地，所述带隙基准电路包括第二三极管、第三三极管、第四三极管、第五三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第一运算放大器；其中，所述第二三极管的输入端与所述第三三极管的输入端连接，并作为所述带隙基准电路的第一输入端；所述第二三极管的控制端和所述第三三极管的控制端均与所述第一运算放大器的输出端连接，并作为所述带隙基准电路的输出端；所述第二三级管的输出端分别与所述第四三极管的输入端和所述第五三极管的控制端连接；所述第四三极管的输出端分别与所述第一电阻的第一端和所述第一运算放大器的反相输入端连接；所述第一电阻的第二端接地；所述第三三极管的输出端分别与所述第四三极管的控制端和所述第五三极管的输入端极连接；所述第五三极管的输出端与所述第二电阻的第一端连接；所述第二电阻的第二端分别与所述第一运算放大器的正相输入端和所述第三电阻的第一端连接，并作为所述带隙基准电路的第二输入端；所述第三电阻的第二端接地，所述第三电阻与所述第一电阻的阻值相等。可选地，所述第二三极管、所述第三三极管、所述第四三极管和所述第五三极管的型号均相同。可选地，所述带隙基准电路包括第一开关管、第六三极管、第七三极管、第四电阻、第五电阻、第六电阻和第二运算放大器；其中，所述第一开关管的输入端作为所述带隙基准电路的第一输入端；所述第一开关管的控制端与所述第二运算放大器的输出端连接；所述第一开关管的输出端分别与所述第四电阻的第一端和所述第五电阻的第一端连接，并作为所述带隙基准电路的第一输出端，用以输出第一基准电压；所述第四电阻的第二端分别与所述第二运算放大器的正相输入端、所述第六三极管的输入端、所述第六三极管的控制端连接，；所述第六三极管的输出端接地；所述第五电阻的第二端分别与所述第二运算放大器的反相输入端、所述第七三极管的输入端、所述第七三极管的控制端连接，所述第五电阻与所述第四电阻的阻值相等；所述第七三极管的输出端与所述第六电阻的第一端连接；所述第六电阻的第二端接地。可选地，所述第一开关管为MOS管。可选地，所述第一开关管为三极管；所述第二运算放大器的输出端作为所述带隙基准电路的第二输出端，用以输出比所述第一基准电压高的第二基准电压。可选地，所述第一三极管为NPN三极管，所述NPN三级管的集电极作为所述第一三极管的输入端，所述NPN三极管的发射极作为所述第一三极管的输出端。本申请所提供的基准电压源电路，包括第一三极管、电流镜电路和带隙基准电路；其中，所述第一三极管的输入端与电源连接，所述第一三极管的输出端与所述带隙基准电路的第一输入端连接；所述带隙基准电路的输出端作为所述基准电压源电路的输出端；所述电流镜电路的第一电流输出端与所述第一三极管的控制端连接；所述电流镜电路的第二电流输出端与所述带隙基准电路的第二输入端连接；用于对所述带隙基准电路的工作电流进行补偿，降低所述带隙基准电路的输出电压的温度系数。可见，相比于现有技术，本申请所提供的基准电压源电路引入了电流镜电路，将电流镜电路输出的第一镜电流经第一三极管放大后输入至带隙基准电路的主电路，并将与第一镜电流等大的第二镜电流作为补偿电流对带隙基准电路的工作电流进行了适当调节。通过选择合适相对大小的补偿电流，可有效降低带隙基准电路的输出电压的温度系数，抑制温漂问题，进而提高输出电压的精确度和稳定性。附图说明为了更清楚地说明现有技术和本申请实施例中的技术方案，下面将对现有技术和本申请实施例描述中需要使用的附图作简要的介绍。当然，下面有关本申请实施例的附图描述的仅仅是本申请中的一部分实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图，所获得的其他附图也属于本申请的保护范围。图1为本申请所提供的一种基准电压源电路的电路结构图；图2为本申请所提供的另一种基准电压源电路的电路结构图。具体实施方式本申请的核心在于提供一种基准电压源电路，以便进一步地有效降低温度系数、抑制温漂问题，进而提高输出精度和稳定性。为了对本申请实施例中的技术方案进行更加清楚、完整地描述，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行介绍。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。请参考图1，图1为本申请所提供的一种基准电压源电路的电路结构图，主要包括：第一三极管Q1、电流镜电路2和带隙基准电路3；其中，第一三极管Q1的输入端与电源连接，第一三极管Q1的输出端与带隙基准电路3的第一输入端连接；带隙基准电路3的输出端作为基准电压源电路的输出端；电流镜电路2的第一电流输出端与第一三极管Q1的控制端连接；电流镜电路2的第二电流输出端与带隙基准电路3的第二输入端连接；用于对带隙基准电路3的工作电流进行补偿，降低带隙基准电路3的输出电压的温度系数。为了有效降低基准电压源电路输出的基准电压的温度系数，本申请所提供的基准电压源电路，具体使用了电流镜电路2的镜电流来对带隙基准电路3的工作电流进行补偿，以便改变电路的工作状态，达到抑制温漂的目的。需要说明的是，本领域技术人员应当理解，对于温本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基准电压源电路，其特征在于，包括第一三极管、电流镜电路和带隙基准电路；其中，所述第一三极管的输入端与电源连接，所述第一三极管的输出端与所述带隙基准电路的第一输入端连接；所述带隙基准电路的输出端作为所述基准电压源电路的输出端；所述电流镜电路的第一电流输出端与所述第一三极管的控制端连接；所述电流镜电路的第二电流输出端与所述带隙基准电路的第二输入端连接；用于对所述带隙基准电路的工作电流进行补偿，降低所述带隙基准电路的输出电压的温度系数。

【技术特征摘要】
1.一种基准电压源电路，其特征在于，包括第一三极管、电流镜电路和带隙基准电路；其中，所述第一三极管的输入端与电源连接，所述第一三极管的输出端与所述带隙基准电路的第一输入端连接；所述带隙基准电路的输出端作为所述基准电压源电路的输出端；所述电流镜电路的第一电流输出端与所述第一三极管的控制端连接；所述电流镜电路的第二电流输出端与所述带隙基准电路的第二输入端连接；用于对所述带隙基准电路的工作电流进行补偿，降低所述带隙基准电路的输出电压的温度系数。2.根据权利要求1所述的基准电压源电路，其特征在于，所述电流镜电路为共栅共源电流镜电路。3.根据权利要求2所述的基准电压源电路，其特征在于，所述共栅共源电流镜电路包括第一PMOS管和第二PMOS管；其中，所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极均与所述电源连接；所述第一PMOS管的漏极和栅极均与所述第二PMOS管的栅极连接；所述第一PMOS管的漏极作为所述电流镜电路的所述第一电流输出端；所述第二PMOS管的漏极作为所述电流镜电路的所述第二电流输出端。4.根据权利要求3所述的基准电压源电路，其特征在于，所述第一PMOS管与所述第二PMOS管均为增强型PMOS管。5.根据权利要求1所述的基准电压源电路，其特征在于，所述带隙基准电路包括第二三极管、第三三极管、第四三极管、第五三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第一运算放大器；其中，所述第二三极管的输入端与所述第三三极管的输入端连接，并作为所述带隙基准电路的第一输入端；所述第二三极管的控制端和所述第三三极管的控制端均与所述第一运算放大器的输出端连接，并作为所述带隙基准电路的输出端；所述第二三极管的输出端分别与所述第四三极管的输入端和所述第五三极管的控制端连接；所述第四三极管的输出端分别与所述第一电阻的第一端和所述第一运算放大器的反相输入端连接；所述第一电阻的第二端接地；所述第三三极管的输出端分别与所述第四三极...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤小虎，
申请(专利权)人：上海汉容微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31