【技术实现步骤摘要】
低温漂高电源抑制比的分段线性补偿CMOS带隙基准源
本技术涉及集成电路领域，特别涉及一种低温漂高电源抑制比的分段线性补偿CMOS带隙基准源。
技术介绍
随着电子产品特别是智能电子产品(如手机、笔记本电脑、数码相机、医疗设备等)迅猛发展，对电源性能有越来越高的要求，同时芯片的性能也提出了越来越苛刻的要求。带隙基准源作为芯片必不可少的重要组成部分，其性能的优劣直接影响到芯片及整个电子产品的可靠性和稳定性。因此，通过电路设计来满足现代集成电路的性能需求，是带隙基准源设计中最重要工作。在各种性能研究中，温度系数和电源抑制比是带隙基准源的一大关键性指标。常用的主要温度补偿技术有：不同温度系数电阻补偿、分段补偿、指数曲率补偿等。考虑到：1)电阻随温度变化非线性，受工艺影响较大，这需要对工艺提出特别的要求，所以一般情况下用不同温度系数电阻补偿的方法工艺稳定性较差；2)指数曲率补偿的方法需要利用晶体管电流增益，由于其增益是温度的函数，使得电路稳定性变差，而且版图面积也较大。大部分带隙基准分段补偿电路通常采用含有运放的电路结构，这种电路不但结构复杂，而且实际测试时运放的失调电压会对...
【技术保护点】
1.一种低温漂高电源抑制比的分段线性补偿CMOS带隙基准源，其特征在于：包括基准核心模块，基准核心模块用于产生基准输出电压；高温阶段线性补偿模块，高温阶段线性补偿模块与基准核心模块相连，用于在高温段对基准输出电压进行曲率补偿；低温阶段线性补偿模块，低温阶段线性补偿模块与基准核心模块相连，用于在低温段对基准输出电压进行曲率补偿。
【技术特征摘要】
1.一种低温漂高电源抑制比的分段线性补偿CMOS带隙基准源，其特征在于：包括基准核心模块，基准核心模块用于产生基准输出电压；高温阶段线性补偿模块，高温阶段线性补偿模块与基准核心模块相连，用于在高温段对基准输出电压进行曲率补偿；低温阶段线性补偿模块，低温阶段线性补偿模块与基准核心模块相连，用于在低温段对基准输出电压进行曲率补偿。2.根据权利要求1所述的低温漂高电源抑制比的分段线性补偿CMOS带隙基准源，其特征在于：所述基准核心模块包括第零PMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第零电阻、第一电阻和第零三极管，所述第零PMOS管的栅极与第零PMOS管的漏极相连，第零PMOS管的源极接VCC，第一PMOS管的栅极与第零PMOS管的漏极相连，第一PMOS管的源极接VCC，第一PMOS管的漏极与第四PMOS管的源极相连，所述第二PMOS管的源极接VCC，第二PMOS管栅极与第一PMOS管的漏极相连，第二PMOS管的漏极与第五PMOS管的源极相连，所述第三PMOS管的栅极与第三PMOS管的漏极相连，所述第三PMOS管的源极与第零PMOS管的漏极相连，第四PMOS管的栅极与第三PMOS管的漏极相连，第四PMOS管的漏极与第七NMOS管的漏极相连，所述第五PMOS管的栅极与第四PMOS管的栅极相连，第五PMOS管的漏极与第八NMOS管的漏极相连，所述第六NMOS管的栅极与第五PMOS管的漏极相连，第六NMOS管的漏极与第三PMOS管的漏极相连，第六NMOS管的源极与第七NMOS管的源极相连，所述第七NMOS管的栅极与第七NMOS管的漏极相连，第七NMOS管的源极与第零电阻的一端相连，第零电阻的另一端接地，所述第八NMOS管的栅极与第七NMOS管的栅极相连，第八NMOS管的源极接地，所述第九PMOS管的栅极与第零PMOS管的漏极相连，第九PMOS管的漏极与第十PMOS管的源极相连，第九PMOS管的源极接VCC，所述第十PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的漏极相连，第十PMOS管的漏极与第一电阻的一端相连，所述第一电阻的另一端与第零三极管的发射极相连，第零三极管的基极接地，第零三极管的集电极接地。3.根据权利要求2所述的低温漂高电源抑制比的分段线性补偿CMOS带隙基准源，其特征在于：所述高温阶段线性补偿模块包括第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管、第十五PMOS管、第十六PMOS管、第十七NMOS管、第十八NMOS管、第十九NMOS管、第二十NMOS管、第二十一PMOS管、第二十二PMOS管、第二十三PMOS管、第二十四PMOS管、第二十五PMOS管、第二十六PMOS管、第二电阻和第一三极管，所述第十一PMOS管的栅极与第十一PMOS管的漏极相连，第十一PMOS管的源极接VCC，第十二PMOS管的栅极与第十一PMOS管的漏极相连，第十二PMOS管的源极接VCC，第十二PMOS管的漏极与第十四PMOS管的源极相连，所述第十三PMOS管的栅极与第十三PMOS管的漏极相连，所述第十四PMOS管的栅极与第十三PMOS管的栅极相连，第十四PMOS管的漏极与第一三极管的发射极相连，第一三极管的基极接地，第一三极管的集电极接地，所述第十五PMOS管的栅极与第零PMOS管的漏极相连，第十五PMOS管的源极接VCC，第十五PMOS管的漏极与第十六PMOS管的源极相连，所述第十六PMOS管的栅极与第三PMOS管的漏极相连，所述第十七NMOS管的栅极与第十七NMOS管的...
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