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低温漂高电源抑制比的分段线性补偿CMOS带隙基准源制造技术
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文档序号:19797254
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本实用新型公开了一种低温漂高电源抑制比的分段线性补偿CMOS带隙基准源,包括基准核心模块,基准核心模块用于产生基准输出电压;高温阶段线性补偿模块,高温阶段线性补偿模块与基准核心模块相连,用于在高温段对基准输出电压进行曲率补偿;低温阶段线性补...
该专利属于湘潭大学所有,仅供学习研究参考,未经过湘潭大学授权不得商用。
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