The invention discloses a semiconductor light emitting element, which comprises: a half conductor stack has a side, a first surface and a second surface relative to the first surface, in which a through hole extends from the first surface to the second surface; a transparent conductive layer is located on the second surface; a first welding part and a second welding part are located on the first surface and are half-aligned with each other. A conductor layer is electrically connected, and an insulating layer is located between the first welding part and the semiconductor layer, and between the second welding part and the semiconductor layer.
【技术实现步骤摘要】
半导体发光元件本申请是中国专利技术专利申请(申请号：201410704314.X，申请日：2014年11月27日，专利技术名称：半导体发光元件)的分案申请。
本专利技术涉及一种半导体发光元件的结构。
技术介绍
发光二极管(Light-emittingDiode；LED)目前已经广泛地使用在光学显示装置、交通号志、数据存储装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上。如图6所示，现有的LED具有一n型半导体层1104、一主动层1106与一p型半导体层1108依序形成于一基板1102之上，部分p型半导体层1108与主动层1106被移除以曝露部分n型半导体层1104，一p型电极a1与一n型电极a2分别形成于p型半导体层1108与n型半导体层1104之上。因为n型电极a2需要足够的面积以利后续制作工艺进行，例如打线，所以大部分的主动层1106被移除，导致发光效率降低。此外，上述的LED还可以进一步地与其他元件组合连接以形成一发光装置(light-emittingapparatus)。图7为现有的发光装置结构示意图，如图7所示，一发光装置1200包含一具有至少一电路1204的次载体...
【技术保护点】
1.一种半导体发光元件，其特诊在于，包含：半导体叠层，包含第一半导体层，第二半导体层及主动层位于该第一半导体层及该第二半导体层之间，其中该第一半导体层包含第一表面，且该第二半导体层包含第二表面；凹部从该第一表面穿透过该第一半导体层以及该主动层，且露出该第二半导体层，其中该凹部包含位于该半导体叠层之侧边上的走道，以及纵向走道或横向走道，其中该走道、该纵向走道及该横向走道之间为互通；第一焊接部，位于该第一表面上，并与该半导体叠层电连接；以及第二焊接部，位于该第一表面上，并与该半导体叠层电连接。
【技术特征摘要】
2013.11.27 TW 102143409;2014.06.06 TW 103119845;201.一种半导体发光元件，其特诊在于，包含：半导体叠层，包含第一半导体层，第二半导体层及主动层位于该第一半导体层及该第二半导体层之间，其中该第一半导体层包含第一表面，且该第二半导体层包含第二表面；凹部从该第一表面穿透过该第一半导体层以及该主动层，且露出该第二半导体层，其中该凹部包含位于该半导体叠层之侧边上的走道，以及纵向走道或横向走道，其中该走道、该纵向走道及该横向走道之间为互通；第一焊接部，位于该第一表面上，并与该半导体叠层电连接；以及第二焊接部，位于该第一表面上，并与该半导体叠层电连接。2.如权利要求1所述的半导体发光元件，还包含透明基板，位于该半导体叠层的该第二表面上，其中该第二表面包含一粗糙表面。3.如权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：林坤德，陈怡名，詹燿宁，徐子杰，吕志强，林俊宇，杨宗宪，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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