发光二极管及使用所述发光二极管的背光模组制造技术

提供一发光二极管，包括：一基板；一第一半导体层，设置于所述基板上；一发光层，设置于所述第一半导体层的第一部分上；一第二半导体层，设置于所述发光层上；一第一电极，设置于所述第一半导体层的第二部分上，所述第一部分与所述第二部分不重迭；以及一第二电极，设置于所述第二半导体层上；其中所述第一电极的厚度大于所述第二电极的厚度。还提供包含所述发光二极管的背光模组。

Light emitting diodes and backlight modules using the light emitting diodes

A light emitting diode is provided, including a substrate, a first semiconductor layer, which is arranged on the substrate, a light emitting layer which is arranged on the first part of the first semiconductor layer, a second semiconductor layer which is arranged on the light emitting layer, and a first electrode which is arranged on the second part of the first semiconductor layer. The first part and the second part do not overlap; and a second electrode is arranged on the second semiconductor layer; the thickness of the first electrode is larger than that of the second electrode. A backlight module including the light emitting diode is also provided.

【技术实现步骤摘要】
发光二极管及使用所述发光二极管的背光模组
本揭示涉及液晶显示
，尤其涉及一种发光二极管及使用所述发光二极管的背光模组，保证了背光模组的亮度均匀性。
技术介绍
随着可穿戴应用设备如智能眼镜、智能手表等设备逐渐兴起，显示工艺对可挠曲显示器件的需求也不断增加。有机发光二极管显示器件(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)具有自发光不需背光源、厚度薄、视角广、反应速度快等特点，从而具有可挠曲显示的天然优势。面对柔性OLED的竞争，传统的液晶显示技术也逐渐采用柔性衬底，朝向柔性、曲面等方向进行突破，由此可见，柔性、曲面显示技术的时代即将来临。直下式背光模组具有窄边框的优势，在大尺寸显示领域得到广泛的应用，但是面临着厚度增加的问题。采用小尺寸的微发光二极管(minilightemittingdiode，miniLED)以更小的间距进行排列可以获得较小的混光距离(避免近光处的hotspot现象)，为小尺寸直下式背光模块实现轻、薄、窄提供更大的可能性。直下式背光模块由于采用大量的发光二极管构成阵列，发光二极管本身及发光二极管的焊垫本身会构成面积比例较大的低反射体，发光二极管与发光二极管之间通常会采用高反射率的白油或者其他高反射材料覆盖，所述高反射材料的材料本身反射率为较低的70-90％，因而从整体反射效率仅能达成大约80％左右，远低于侧入式背光模组中所使用的反射片能达成接近100％的反射率，因而导致整体光效较低从而影响了直下式背光模组的亮度与功耗水准，通常会采用较厚的高反射层以保证反射率。如图1所示，现有的背光模组中的驱动基板1及单颗微发光二极管2结构中，驱动基板1的焊垫(未图示)与微发光二极管2的p/n电极(未图示)连接，微发光二极管2的四周为高反射层结构，其厚度通常为10微米-30微米。微发光二极管2的p/n电极通过导电锡膏3或者银浆等介质与驱动基板1的焊垫接触。但是导电锡膏3通常是通过涂覆工艺制备的，涂覆完成后处于凝胶状态下具有一定的流动性与表面张力，因而会形成类似“小山峰”形貌，当微发光二极管2通过固晶工艺与导电锡膏3接触后，微发光二极管2因尺寸过小容易在导电锡膏3粘附力的作用下出现倾斜，如图1所示，从而影响到微发光二极管2的光反射状态，使得微发光二极管2在光学上呈现倾斜相关的亮、暗不均现象，并且由于驱动基板1的焊垫面积过小，难以通过控制导电锡膏2的状态来避免上述现象。因此，有必要提供一种发光二极管及使用所述发光二极管的背光模组，解决传统微发光二极管及其构成的直下式背光模组因焊垫及导电锡膏的状态与厚度所导致的面内亮度不均问题。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本揭示采用覆晶(flip-chip)电极结构，将P电极与N电极的结构增厚，并通过沉积结合低熔点金属构成的金属衬垫来与驱动基板焊垫的金属共融导通，所述共融导通方式有效避免了传统锡膏及银浆等使发光二极管黏结于驱动基板的方式所造成微发光二极管的倾斜问题，保证了背光模块整面的亮度均匀性，同时P电极与N电极的增厚电极设计保证了所述微发光二极管的有源区仍然能够高于设置于微发光二极管两侧的反射层之上，从而能够保证高亮度背光模块光效。为了达到上述目的，本揭示提供一种发光二极管，包括：一基板；一第一半导体层，设置于所述基板上；一发光层，设置于所述第一半导体层的第一部分；一第二半导体层，设置于所述发光层上；一第一电极，设置于所述第一半导体层的第二部分上，所述第一部分与所述第二部分不重迭；以及一第二电极，设置于所述第二半导体层上；其中所述第一电极的厚度大于所述第二电极的厚度。根据本文描述的发光二极管的一实施例，所述第一电极与所述第二电极分别具有一厚度为介于10微米至30微米之间的一范围内。根据本文描述的发光二极管的一实施例，所述第一电极的一表面与所述第二电极的一表面位于同一水平高度。根据本文描述的发光二极管的一实施例，所述第一电极与所述第二电极选自由钛、铝、银、金、铜或其组成的合金中的至少一种。根据本文描述的发光二极管的一实施例，所述第一电极的表面设置一第一金属衬垫，所述第二电极的表面设置一第二金属衬垫，所述第一金属衬垫与所述第二金属衬垫为低熔点金属。为了达到上述目的，本揭示另提供一种背光模组，其包含以上所述的发光二极管。本揭示的背光模组包括：一驱动基板；多个发光二极管，阵列设置于所述驱动基板上，所述发光二极管包括:一基板；一第一半导体层，设置于所述基板上；一发光层，设置于所述第一半导体层的第一部分；一第二半导体层，设置于所述发光层上；一第一电极，设置于所述第一半导体层的第二部分上，所述第一部分与所述第二部分不重迭；以及一第二电极，设置于所述第二半导体层上；其中所述第一电极的厚度大于所述第二电极的厚度；以及多个反射块，分别设置于相邻两发光二极管之间；其中所述发光层与所述驱动基板间的一间距大于所述反射块的一厚度。根据本文描述的背光模组的一实施例，所述发光二极管为一覆晶式芯片，所述第一电极通过一第一金属衬垫电性连接至所述驱动基板上的第一焊垫，且所述第二电极通过该一第二金属衬垫电性连接至所述驱动基板的第二焊垫。根据本文描述的背光模组的一实施例，所述第一电极与所述第二电极分别具有一厚度为介于10微米至30微米之间的一范围内。根据本文描述的背光模组的一实施例，所述第一电极的厚度大于所述第二电极的厚度。根据本文描述的背光模组的一实施例，相邻两所述发光二极管间的一间距为介于100微米至1000微米的一范围。根据本文描述的背光模组的一实施例，所述第一电极与所述第二电极选自由钛、铝、银、金、铜或其组成的合金中的至少一种。根据本文描述的背光模组的一实施例，所述第一电极的一表面与所述第二电极的一表面位于同一水平高度。根据本文描述的背光模组的一实施例，所述背光模组更包括一光学膜片组，所述光学膜片组包括依序设置于所述多个发光二极管以及所述多个反射块上的一光学膜片层、一扩散膜层与一增亮膜片层。本揭示提供的发光二极管及背光模组，改良了现有发光二极管结构的设计，将发光二极管中用来与背光模块的驱动基板上焊垫黏接的P电极与N电极的结构增厚，即增加P电极与N电极的高度，并使增厚的P电极与N电极维持在同一水平高度，并在增厚的P电极与N电极表面分别设置一金属衬垫用以与驱动基板上焊垫实现金属共融导通，从而有效避免了传统锡膏及银浆等方式造成的发光二极管倾斜问题，保证了背光模块整面的亮度均匀性，同时增厚的P电极与N电极设计保证了所述发光二极管的发光层仍然能够在设置于相邻两发光二极管之间的较厚(10微米至30微米)的反射块之上，从而对于五面发光的微发光二极管的能够发挥最佳的光反射作用，因而能够保证高亮度背光模块的光效。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有背光模组结构剖面示意图。图2为本揭示发光二极管结构剖面示意图。图3为本揭示发光二极管设置于一驱动基板的结构示意图。图4为本揭示包含所述发光二极管的背光模组示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：一基板；一第一半导体层，设置于所述基板上；一发光层，设置于所述第一半导体层的第一部分上；一第二半导体层，设置于所述发光层上；一第一电极，设置于所述第一半导体层的第二部分上，所述第一部分与所述第二部分不重迭；以及一第二电极，设置于所述第二半导体层上；其中所述第一电极的厚度大于所述第二电极的厚度。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：一基板；一第一半导体层，设置于所述基板上；一发光层，设置于所述第一半导体层的第一部分上；一第二半导体层，设置于所述发光层上；一第一电极，设置于所述第一半导体层的第二部分上，所述第一部分与所述第二部分不重迭；以及一第二电极，设置于所述第二半导体层上；其中所述第一电极的厚度大于所述第二电极的厚度。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极分别具有一厚度为介于10微米至30微米之间的一范围内。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极的一表面与所述第二电极的一表面位于同一水平高度。4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极的所述表面设置一第一金属衬垫，所述第二电极的所述表面设置一第二金属衬垫，所述第一金属衬垫与所述第二金属衬垫为低熔点金属。5.一种背光模组，其特征在于，包括：一驱动基板；多个发光二极管，阵列设置于所述驱动基板上，所述发光二极管包括:一基板；一第一半导体层，设置于所述基板上；一发光层，设置于所述第一半导体层的第一部分上；一第二半导体层，设置于所述发光层上；一第一电极，设置于所述第一半导体层的第二部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：查国伟，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42