【技术实现步骤摘要】
显示装置及其发光二极管芯片
本技术涉及显示
,特别是涉及一种发光二极管芯片结构。
技术介绍
随着发光二极管LED芯片工艺技术的日益进步,使得以LED作为像素的LED显示技术成为可能。在制备LED显示装置的工艺中,需要将阵列分布的LED芯片批量转移至驱动背板上,再将LED芯片焊接在驱动背板上。目前微米级的LED芯片渐渐成为LED显示装置中的主流。由于Micro-LED芯片的电极尺寸很小,导致有效焊接面积也很小。因此,Micro-LED芯片的电极与驱动背板焊接后的强度,会直接影响Micro-LED显示装置的可靠性。现有技术中,为增加Micro-LED芯片和驱动背板间的焊接强度,一般会通过焊料的选用来达到增加焊接强度的目的。例如采用金锡合金、焊锡等材料。但在电极面积小的情况下,焊接的结合力仍然不足。因此,需要提供一种简单易行的方法来进一步提升Micro-LED芯片焊接的可靠性。
技术实现思路
基于此,针对如何提高发光二极管焊接强度的问题,本技术提供了一种发光二极管芯片,能够利用毛细作用增加电极与焊料的接触,达到提高电极和驱动背板之间的焊接强度的目的。本技术的技术方案如下: ...
【技术保护点】
1.一种发光二极管芯片,包括:第一半导体层和第二半导体层,所述第一半导体层和所述第二半导体层上下层叠设置;所述第一半导体层和所述第二半导体层分别具有外露的上表面;电极,所述第一半导体层和所述第二半导体层外露的所述上表面上分别设置有所述电极,所述电极具有第一凹部。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片,包括:第一半导体层和第二半导体层,所述第一半导体层和所述第二半导体层上下层叠设置;所述第一半导体层和所述第二半导体层分别具有外露的上表面;电极,所述第一半导体层和所述第二半导体层外露的所述上表面上分别设置有所述电极,所述电极具有第一凹部。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片,其特征在于,所述第一凹部的内侧面与所述第一半导体层或所述第二半导体层的所述上表面呈第一夹角,所述第一夹角范围为30度-90度。3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片,其特征在于,所述电极还具有第二凹部,所述第二凹部的内表面与所述第一半导体层或所述第二半导体层的所述上表面呈第二夹角,所述第二夹角范围为30度-90度。4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片,其特征在于,所述第二凹部围绕在所述第一凹...
【专利技术属性】
技术研发人员:邢汝博,韦冬,杨小龙,刘会敏,
申请(专利权)人:昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司,昆山国显光电有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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