一种倒装LED电极结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种倒装LED电极结构，主要包括N型GaN层、发光层、P型GaN层、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、N区焊盘层、P区焊盘层。通本第二组刻蚀通道，第二金属层连接N型GaN层。通过第四组刻蚀通道，P区焊盘层连接第一金属层。本实用新型专利技术采用通孔式电极结构，充分利用电流四周扩散的特点，提高了发光层的有效发光面积。通过第二金属层的设置，可实现n电极在整个芯片范围均匀分布，电流扩展性提升，LED芯片的效率提高。

A flip chip LED electrode structure

The utility model discloses a flip-chip LED electrode structure, which mainly comprises a N-type GaN layer, a luminous layer, a P-type GaN layer, a first metal layer, a first insulating layer, a second metal layer, a second insulating layer, a N-zone pad layer and a P-zone pad layer. The second sets of etching channels are connected with the second metal layer to connect the N type GaN layer. Through the fourth sets of etching channels, the P zone pad layer connects the first metal layer. The utility model adopts a through-hole electrode structure, which makes full use of the characteristics of current diffusion around, and improves the effective luminous area of the luminous layer. Through the setting of the second metal layer, the N electrode can be uniformly distributed throughout the chip range, the current scalability can be improved, and the efficiency of the LED chip can be improved.

【技术实现步骤摘要】
一种倒装LED电极结构
本技术涉及LED芯片结构，具体涉及一种倒装LED电极结构。
技术介绍
目前发光二极管(LED)具有电光转换效率高、节能、环保、寿命长和体积小等优点，现广泛应用于指示、显示、背光源和普通照明等领域。传统LED一般采用水平结构，也称为正装结构。基于正装结构LED，有很多提升光提取效率的方法，如表面粗化、ITO图形阵列化和反射镜等。但正装结构LED存在电极吸光和衬底散热困难等难以解决的弊端，因而倒装结构LED在大功率LED领域得到了极大的关注和发展。倒装技术将水平结构LED芯片进行倒置，p型电极一般采用具有高反射率的金属薄膜，从而使光从衬底出射，既增加了光子出射到空气中的几率，又避免了电极对光的吸收。另一方面，倒装技术利用共晶焊将电极与封装的Si基板直接接触，大大降低了热阻，极大地提升了芯片的散热性能。由于正装结构和倒装结构LED的p电极和n电极处于LED同侧，电流需横向传输，都存在电流扩展不均匀而导致的电流拥挤现象，从而导致LED效率下降
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺陷，提供了一种倒装LED电极结构；包括N型GaN层、发光层、P型GaN层、第一金属层、第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倒装LED电极结构，其特征在于：包括N型GaN层、发光层、P型GaN层、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、N区焊盘层、P区焊盘层、第一组刻蚀通道、第二组刻蚀通道、第三组刻蚀通道、第四组刻蚀通道、第五组刻蚀通道；所述N型GaN层上为发光层，所述发光层上为P型GaN层，所述P型GaN层上为第一金属层，所述第一金属层上为第一绝缘层，所述第一绝缘层上为第二金属层，所述第二金属层上为第二绝缘层，所述第二绝缘层上为N区焊盘层和P区焊盘层，且N区焊盘层和P区焊盘层互不接触；所述第一组刻蚀通道穿过第一金属层、P型GaN层和发光层，进入N型GaN层内部；所述第一绝缘层填充第一组刻蚀通道，到...

【技术特征摘要】
1.一种倒装LED电极结构，其特征在于：包括N型GaN层、发光层、P型GaN层、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、N区焊盘层、P区焊盘层、第一组刻蚀通道、第二组刻蚀通道、第三组刻蚀通道、第四组刻蚀通道、第五组刻蚀通道；所述N型GaN层上为发光层，所述发光层上为P型GaN层，所述P型GaN层上为第一金属层，所述第一金属层上为第一绝缘层，所述第一绝缘层上为第二金属层，所述第二金属层上为第二绝缘层，所述第二绝缘层上为N区焊盘层和P区焊盘层，且N区焊盘层和P区焊盘层互不接触；所述第一组刻蚀通道穿过第一金属层、P型GaN层和发光层，进入N型GaN层内部；所述第一绝缘层填充第一组刻蚀通道，到达N型GaN层；所述第二组刻蚀通道穿过第一绝缘层、P型GaN层、发光层和第一金属层，进...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡序沅，
申请(专利权)人：青岛典亮电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37