The utility model relates to an ultraviolet light emitting diode. The device comprises a light-emitting layer, a P-type layer on one side of the light-emitting layer and a N-type layer on the other side of the light-emitting layer. A number of through holes are arranged on the P-type layer at intervals. The through holes penetrate the light-emitting layer from the P-type layer down. The through holes are provided with N electrodes. One end of the N-type electrode extends out of the P-type layer to form an N-terminal electrode, and the other end and the N-type electrode are formed. The outer surface of the N electrode is covered with a first insulating layer, and the first insulating layer insulates the N electrode from the P layer and the light emitting layer respectively. Because the N-electrode is located in the through hole, the N-terminal electrode and the P-layer electrode are located on the same side, which is convenient for wiring and light transmission. Because of the existence of the first insulating layer and the reflecting N-electrode, the light of the luminous layer is reflected by the N-electrode, which realizes the maximum in-plane light scattering and improves the light output efficiency.
【技术实现步骤摘要】
一种紫外发光二极管
本技术涉及发光二极管
,尤其涉及一种紫外发光二极管。
技术介绍
光电半导体器件在我们的生活和科学研究中扮演着越来越重要的角色。近年来,基于以氮化镓(GaN)为代表的氮化物半导体发光二极管(LED)在实际中得到了越来越多的应用,深紫外C波段(UVC)的LED也已被用来作为激发光源来实现特种光源。而对于LED的研究和应用,人们最多关注的是LED内量子效率和外量子效率。尽管目前UVC基LED的内量子效率已经达到60%,但由于UVC使用高Al组分的AlGaN材料6(如图1),受到光学偏振的影响,仅有不超过12%的光能够射出LED进入到空气中。这极大地影响了UVC基LED器件效率的提高,阻碍了其进一步的应用。近年来,研究者对如何提高出光效率做了大量的研究,其主要集中在以下几个方面:(1)在LED表面制作二维光子晶体来调制光的行为,以满足最大出射的需要[JonathanJ.Wierer,Jr,AurelienDavid,MischaM.Megens,NaturePhotonics,Vol.3,(2009.];(2)利用氧化物(如二氧化硅,氧化钛)的自组织行为在GaN表面生长纳米棒或孔阵列,改变GaN表面结构[Min-AnTsai,PeichenYu,C.L.Chaoetal,IEEEPhotonicsTechnologyLetters,VOL.21,(2009];Day-ShanLiu,Tan-WeiLin,Bing-WenHuang,Appl.Phys.Lett.94,2009];(3)在GaN表面做Ag栅极,Ag和量子阱耦合,光输出强度增 ...
【技术保护点】
1.一种紫外发光二极管,其特征在于:包括发光层、位于发光层一侧的P型层以及位于发光层另一侧的N型层,所述P型层的表面设有裸露面,裸露面上设有与P型层电连接的P电极,P型层上间隔开设有若干通孔,所述各通孔从P型层向下贯穿发光层,所述各通孔内设有N电极,N电极的一端延伸出P型层形成N端电极,另一端与N型层电连接,所述N电极的外周面覆盖有第一绝缘层,第一绝缘层使N电极分别与P型层、发光层之间绝缘。
【技术特征摘要】
1.一种紫外发光二极管,其特征在于:包括发光层、位于发光层一侧的P型层以及位于发光层另一侧的N型层,所述P型层的表面设有裸露面,裸露面上设有与P型层电连接的P电极,P型层上间隔开设有若干通孔,所述各通孔从P型层向下贯穿发光层,所述各通孔内设有N电极,N电极的一端延伸出P型层形成N端电极,另一端与N型层电连接,所述N电极的外周面覆盖有第一绝缘层,第一绝缘层使N电极分别与P型层、发光层之间绝缘。2.根据权利要求1所述的一种紫外发光二极管,其特征在于:相邻P电极与N电极之间的P型层裸露面上覆盖第二绝缘层,所述第二绝缘层使N电极与P电极绝缘。3.根据权利要求2所述的一种紫外发光二极管,其特征在于:所述第一绝缘层和第二绝缘层均为SiO2绝缘层。4.根据权利要求3所述的一种紫外发光二极管,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:林岳明,
申请(专利权)人:扬州科讯威半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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