挠性覆铜板的制备方法技术

技术编号:19926764 阅读:30 留言:0更新日期:2018-12-29 02:11
本发明专利技术提供了一种挠性覆铜板的制备方法,所述挠性覆铜板包括基材膜层,设置在所述基材膜层至少一表面的溅射层,和在所述溅射层的表面设置的用于导电的铜箔,且所述铜箔设置在所述溅射层远离所述基材膜层的表面,且所述挠性覆铜板的制备方法,包括以下步骤:提供基材膜层,对所述基材膜层的表面进行电晕处理,得到表面改性基材膜层;在所述表面改性基材膜层表面磁控溅射法沉铜制备溅射层;在所述溅射层表面电镀沉铜,制备铜箔,其中,所述电镀沉铜采用碱铜沉淀法实现。

【技术实现步骤摘要】
挠性覆铜板的制备方法
本专利技术属于线路板
,尤其涉及一种挠性覆铜板的制备方法。
技术介绍
挠性印刷电路板,是以印制的方式,在挠性基材上面进行线路图形的设计和制作的产品。作为应用于电子互连的特殊功能单元,由于具有轻质、超薄、体积小、柔韧好,尤其是可弯曲、卷曲以及可折叠的突出优点,挠性印刷电路板在现代电子工业中得到了广泛的应用。特别是近年来,随着人们对电子电器微型化、轻量化和集成化要求的不断提高,挠性电路板已经成为各类高科技电子产品制造中必不可少的组件之一,大量应用于笔记本电脑、数码相机、可折叠手机、液晶电视和卫星定位终端等。在此背景下,作为生产加工挠性印刷电路板的基础材料,挠性覆铜板的制造和应用也同样得到了飞速的发展。挠性覆铜板是指在挠性绝缘基材的单面或双面结合有铜箔的覆铜板,具有电性能、热性能、耐热性优良的特点。目前,在绝缘基材表面结合铜箔的方法,主要有两种。第一种方法是通过胶黏剂将铜箔粘合在绝缘基材表面制备挠性覆铜板,第二种方法是直接在绝缘基材表面沉铜如电解沉铜制备铜箔层。相较于第一种方法,直接在绝缘基材表面制备铜箔层,不仅可以降低生产成本,而且得到的挠性覆铜板厚度更低,最薄的铜箔层厚度可以控制在6μm左右。然而,在绝缘基材表面直接沉铜时,铜箔与基材之间剥离强度太低,无法制备厚度较低的铜箔。然而,随着当前线路板的高度集成化和超薄微型化,超高密度布线和超细导电已经成为发展趋势,这类线路板对挠性覆铜板的厚度要求越来越高,客户对挠性覆铜板提出了3-5μm、甚至小于3μm的要求。为了挠性覆铜板满足客户要求,往往需要对得到的铜箔表面进行蚀刻以使其适应产品的厚度需求,而这样就大大的浪费了铜箔材料、增加了生产制作成本,而且得到的挠性覆铜板的性能均一性较差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种挠性覆铜板的制备方法,旨在解决现的挠性覆铜板的制备方法中,直接在基材表面沉铜制备铜箔时,铜箔与基材之间剥离强度低,导致直接电镀沉铜无法生产厚度小于3μm的铜箔的问题。为实现上述专利技术目的,本专利技术采用的技术方案如下:本专利技术一方面提供一种挠性覆铜板的制备方法,所述挠性覆铜板包括基材膜层,设置在所述基材膜层至少一表面的溅射层,和在所述溅射层的表面设置的用于导电的铜箔,且所述铜箔设置在所述溅射层远离所述基材膜层的表面,且所述挠性覆铜板的制备方法,包括以下步骤:提供基材膜层,对所述基材膜层的表面进行电晕处理,得到表面改性基材膜层;在所述表面改性基材膜层表面磁控溅射法沉铜制备溅射层;在所述溅射层表面电镀沉铜,制备铜箔,其中,所述电镀沉铜采用碱铜沉淀法实现。优选的,在所述表面改性基材膜层表面磁控溅射法沉铜制备溅射层的步骤包括:在真空条件下,以镍、铜为靶材,设置离子源参数为:1000-4000W、0.1-0.25A,氩气的进气流量为180-230sccm、出气流量为30-50sccm,溅射沉铜,得到溅射层。优选的,采用碱铜沉淀法制备铜箔的方法包括:将在基材膜层至少一表面制备有溅射层的工件置于碱性电镀液,在走速为20Hz、电流为32.1A、电压为3.1的条件下电镀沉铜。优选的,所述碱性电镀液粗化电镀液由浓度为30-100g/L的焦磷酸铜和浓度为200-400g/L的焦磷酸钾混合而成,且所述碱性电镀液的pH为8-10。优选的,提供基材膜层,对所述基材膜层的表面进行电晕处理的步骤中,包括:以2.5-4kw的功率,对所述基材膜层的至少一表面进行电晕处理,得到表面改性基材膜层。优选的,所述铜箔层的厚度为1μm~3μm。优选的,所述溅射层的厚度为20nm~300nm。优选的,所述基材膜层的厚度为40μm~60μm。优选的,所述基材膜层选用聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜。本专利技术提供的挠性覆铜板的制备方法,一方面,对所述基材膜层的表面进行电晕处理来增加基材膜层的表面的附着力,从而起到增强溅射层与基材膜层之间结合力的作用;另一方面,在所述表面改性基材膜层表面磁控溅射法沉铜制备溅射层,进一步增加铜箔层和基材膜层之间的结合力,如此可以提高整个挠性覆铜板的剥离强度。因此,通过对基材膜层的表面进行电晕处理和在电晕处理的基材膜层表面溅射成膜,有效保证了挠性覆铜板的剥离强度,从而可以将铜箔层的厚度设计的更薄,进而使得铜箔层的厚度可以制作成小于3μm的厚度。在此基础上,本专利技术采用碱铜沉淀法电镀沉铜,可以获得铜箔厚度更薄、表面光亮度更高的挠性覆铜板。附图说明图1是本专利技术实施例提供的挠性覆铜板的结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合实施例,对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。在本专利技术的描述中,需要理解的是,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。本专利技术实施例提供了一种挠性覆铜板的制备方法,包括以下步骤:S01.提供基材膜层,对所述基材膜层的表面进行电晕处理,得到表面改性基材膜层;S02.在所述表面改性基材膜层表面磁控溅射法沉铜制备溅射层;S03.在所述溅射层表面电镀沉铜,制备铜箔,其中,所述电镀沉铜采用酸铜沉淀法实现。本专利技术实施例提供的挠性覆铜板的制备方法,一方面,对所述基材膜层的表面进行电晕处理来增加基材膜层的表面的附着力,从而起到增强溅射层与基材膜层之间结合力的作用;另一方面,在所述表面改性基材膜层表面磁控溅射法沉铜制备溅射层,进一步增加铜箔层和基材膜层之间的结合力,进而可以提高整个挠性覆铜板的剥离强度。因此,通过对基材膜层的表面进行电晕处理和在电晕处理的基材膜层表面溅射成膜,有效保证了挠性覆铜板的剥离强度,从而可以将铜箔层的厚度设计的更薄,进而使得铜箔层的厚度可以制作成小于3μm的厚度。需要说明的是,本专利技术实施例提供的超薄挠性覆铜板的“超薄”是指其铜箔层的厚度可以制作成小于3μm的挠性覆铜板。具体的,上述步骤S01中,提供基材膜层,所述基材膜层可以选用传统的聚酰亚胺薄膜或者其他能够满足超薄挠性覆铜板的绝缘性能要求的其他材料。优选的,所述基材膜层选用聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜。由于聚萘二甲酸乙二醇酯具有较高的物理机械性能、化学稳定性、耐热性、耐紫外线以及耐辐射等的性能。因此,采用聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜作为基材,可以使本专利技术实施例的超薄挠性覆铜板在保证绝缘效果的基础上,能具有更好的理化性能,延长产品的使用寿命;同时,所述聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜也可以加工成透明的薄膜,如此可以使得本专利技术实施例的超薄挠性覆铜板能够加工成透明的超薄挠性覆铜板,当产品对超薄挠性覆铜板透明度有要求时,则可以满足其要求。进一步的,对所述基材膜层的表面进行电晕处理,得到表面改性基材膜层。具体的,电晕处理是一种电击处理,它能够使材料的表面具有更高的附着性,因此,本专利技术实施例提供的超薄挠性覆铜板通过对所述基材膜层的表面进行电晕处理,来有效增加所述基材膜层的表面附着力,从而能够提高后续溅射形成的膜层与所述基材膜层之间的结合力。优选的,对所述基材膜层的表面进行电晕处理的步骤中,本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种挠性覆铜板的制备方法,其特征在于,所述挠性覆铜板包括基材膜层,设置在所述基材膜层至少一表面的溅射层,和在所述溅射层的表面设置的用于导电的铜箔,且所述铜箔设置在所述溅射层远离所述基材膜层的表面,且所述挠性覆铜板的制备方法,包括以下步骤:提供基材膜层,对所述基材膜层的表面进行电晕处理,得到表面改性基材膜层;在所述表面改性基材膜层表面磁控溅射法沉铜制备溅射层;在所述溅射层表面电镀沉铜,制备铜箔,其中,所述电镀沉铜采用碱铜沉淀法实现。

【技术特征摘要】
1.一种挠性覆铜板的制备方法,其特征在于,所述挠性覆铜板包括基材膜层,设置在所述基材膜层至少一表面的溅射层,和在所述溅射层的表面设置的用于导电的铜箔,且所述铜箔设置在所述溅射层远离所述基材膜层的表面,且所述挠性覆铜板的制备方法,包括以下步骤:提供基材膜层,对所述基材膜层的表面进行电晕处理,得到表面改性基材膜层;在所述表面改性基材膜层表面磁控溅射法沉铜制备溅射层;在所述溅射层表面电镀沉铜,制备铜箔,其中,所述电镀沉铜采用碱铜沉淀法实现。2.如权利要求1所述的挠性覆铜板的制备方法,其特征在于,在所述表面改性基材膜层表面磁控溅射法沉铜制备溅射层的步骤包括:在真空条件下,以镍、铜为靶材,设置离子源参数为:1000-4000W、0.1-0.25A,氩气的进气流量为180-230sccm、出气流量为30-50sccm,溅射沉铜,得到溅射层。3.如权利要求1所述的挠性覆铜板的制备方法,其特征在于,采用碱铜沉淀法制备铜箔的方法包括:将在基材膜层至少一表面制备有溅射层的工件置于碱性电镀液,...

【专利技术属性】
技术研发人员:由龙
申请(专利权)人:深圳科诺桥科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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