【技术实现步骤摘要】
铰接式直接安装电感器及相关系统和方法
本专利技术涉及半导体器件制造。
技术介绍
在各种半导体制作处理中，射频功率被传输到处理室以产生等离子体和/或产生偏置电压和/或产出一些其他所需效果。射频功率由射频电源产生，并且经过路线上的阻抗匹配系统传输到处理室。一般而言，阻抗匹配系统被构造成确保由射频电源看到的负载阻抗足够接近射频电源被设计所针对的负载阻抗，从而射频功率将被有效地传输到处理室，而没有不可接受的射频信号反射和/或损失。射频功率经过阻抗匹配系统的传输可以导致阻抗匹配系统内的组件加热，这必须被管理以避免热力引起的损害。就是在这种背景下在本文内出现本专利技术。
技术实现思路
在示例性实施方式中，公开了一种铰接式直接安装电感器。铰接式直接安装电感器包括导电材料的线圈部。铰接式直接安装电感器还包括从线圈部延伸的导电材料的第一铰接部。铰接式直接安装电感器还包括从第一铰接部延伸的导电材料的第一安装结构。第一安装结构包括第一安装区域，第一安装区域被构造成安装为与第一电气组件的端子物理且电气地接触。第一铰接部和第一安装结构被共同构造成，将第一安装区域定位在当射频功率经过铰接式直接安...
【技术保护点】
1.一种铰接式直接安装电感器，其包含：导电材料的线圈部；所述导电材料的第一铰接部，所述第一铰接部从所述线圈部延伸；所述导电材料的第一安装结构，所述第一安装结构从所述第一铰接部延伸，所述第一安装结构包括第一安装区域，所述第一安装区域被构造成安装为与第一电气组件的端子物理且电气地接触，其中，所述第一铰接部和所述第一安装结构被共同构造成，将所述第一安装区域定位在当射频功率经过所述铰接式直接安装电感器传输时从所述线圈部发出的强电磁场之外的位置处；所述导电材料的第二铰接部，所述第二铰接部从所述线圈部延伸；以及所述导电材料的第二安装结构，所述第二安装结构从所述第二铰接部延伸，所述第二安...
【技术特征摘要】
2017.06.14 US 15/623,3561.一种铰接式直接安装电感器，其包含：导电材料的线圈部；所述导电材料的第一铰接部，所述第一铰接部从所述线圈部延伸；所述导电材料的第一安装结构，所述第一安装结构从所述第一铰接部延伸，所述第一安装结构包括第一安装区域，所述第一安装区域被构造成安装为与第一电气组件的端子物理且电气地接触，其中，所述第一铰接部和所述第一安装结构被共同构造成，将所述第一安装区域定位在当射频功率经过所述铰接式直接安装电感器传输时从所述线圈部发出的强电磁场之外的位置处；所述导电材料的第二铰接部，所述第二铰接部从所述线圈部延伸；以及所述导电材料的第二安装结构，所述第二安装结构从所述第二铰接部延伸，所述第二安装结构包括第二安装区域，所述第二安装区域被构造成安装为与第二电气组件的端子物理且电气地接触，其中，所述第二铰接部和所述第二安装结构被共同构造成，将所述第二安装区域定位在当射频功率经过所述铰接式直接安装电感器传输时从所述线圈部发出的所述强电磁场之外的位置处。2.如权利要求1所述的铰接式直接安装电感器，其中，所述第一电气组件是第一可变电容器，并且其中，所述第二电气组件是第二可变电容器。3.如权利要求1所述的铰接式直接安装电感器，其中，所述导电材料是铜、铝和导电合金中的一种或更多种。4.如权利要求1所述的铰接式直接安装电感器，其中，所述第一铰接部包括第一枢转区段，所述第一枢转区段被构造成相对于所述线圈部的中心线的方位平移所述第一安装结构的方位。5.如权利要求4所述的铰接式直接安装电感器，其中，与所述第一铰接部中的弯曲部组合的所述第一枢转区段将所述第一安装结构定向在笛卡尔坐标系的x-y平面中，而所述线圈部的中心线定向在所述笛卡尔坐标系的z方向上。6.如权利要求4所述的铰接式直接安装电感器，其中，所述第二铰接部包括第二枢转区段，所述第二枢转区段被构造成相对于所述线圈部的所述中心线的方位平移所述第二安装结构的方位。7.如权利要求6所述的铰接式直接安装电感器，其中，与所述第二铰接部中的弯曲部组合的所述第一枢转区段将所述第一安装结构定向在笛卡尔坐标系的x-y...
【专利技术属性】
技术研发人员：奥斯卡·洛佩斯，沈彭，大卫·赛顿，克雷格·罗斯里，丹·玛罗尔，安德拉斯·库蒂，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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