【技术实现步骤摘要】
存储单元及其形成方法
本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种存储单元及其形成方法。
技术介绍
存储器可用于存储大量的数字信息，目前存在着众多类型的存储器，如RAM(随机存储器)、DRAM(动态随机存储器)、ROM(只读存储器)、EPROM(可擦除可编程只读存储器)、FLASH(闪存)等等。在现有技术中，浮栅型闪存作为一种非易失存储器，如图1所示，浮栅型闪存的存储单元都有着类似的原始单元架构，它们具有层叠的栅极结构，该栅极结构包括浮栅结构1、至少部分覆盖浮栅的控制栅结构2和字线结构3，其中控制栅结构2可通过耦合来控制浮栅结构1中的电子的储存与释放。当控制栅结构2与字线结构3之间的电场足够高时，浮栅结构1中的电子从浮栅结构1与字线结构3之间被拉出去，从而实现存储单元的擦除操作。因此，如何提供一种具有更好的擦除效果的存储单元是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种存储单元及其形成方法，以提高现有技术中存储单元的擦除效果。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种存储单元，所述存储单元包括浮栅结构、控制栅结构和字线结构，所述浮栅结...
【技术保护点】
1.一种存储单元，其特征在于，所述存储单元包括浮栅结构、控制栅结构和字线结构，所述浮栅结构面向所述字线结构的一侧具有尖端。
【技术特征摘要】
1.一种存储单元，其特征在于，所述存储单元包括浮栅结构、控制栅结构和字线结构，所述浮栅结构面向所述字线结构的一侧具有尖端。2.根据权利要求1所述存储单元，其特征在于，所述控制栅结构面向所述浮栅结构以及面向所述字线结构的侧边具有一ONO介质层。3.根据权利要求2所述存储单元，其特征在于，所述ONO介质层中氧化硅层的厚度都为其中氮化硅层的厚度为4.根据权利要求1－3中任意一项所述存储单元，其特征在于，所述浮栅结构以及所述控制栅结构在远离所述字线结构的侧边具有侧墙结构。5.一种存储单元的形成方法，其特征在于，所述存储单元的形成方法包括：提供一衬底，所述衬底上具有第一多晶硅介质层，所述第一多晶硅介质层上具有第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层上形成阻挡结构；对所述第一多晶硅层进行刻蚀，在靠近所述阻挡结构的位置形成斜坡；在所述第一多晶硅层上形成第二多晶硅介质层，在所述第二多晶硅介质层上形成...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘宪周，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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