温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供了一种存储单元及其形成方法,所述存储单元包括浮栅结构、控制栅结构和字线结构,所述浮栅结构面向所述字线结构的侧具有尖端。在本发明提供的存储单元及其形成方法中,在浮栅结构面向字线结构的一侧具有尖端,通过尖端的尖端效应,在擦除器件时浮栅...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供了一种存储单元及其形成方法,所述存储单元包括浮栅结构、控制栅结构和字线结构,所述浮栅结构面向所述字线结构的侧具有尖端。在本发明提供的存储单元及其形成方法中,在浮栅结构面向字线结构的一侧具有尖端,通过尖端的尖端效应,在擦除器件时浮栅...