【技术实现步骤摘要】
一种半导体芯片引脚成型缺陷检测的方法
本专利技术属于半导体芯片制造领域,特别是半导体芯片切筋成型制程中产品合格检测的一种检测方法。
技术介绍
在半导体芯片制造过程中,尤其是切筋成型制程中,可能因模具尺寸、冲切压力、灰尘等各方面因素造成芯片成型后尺寸不合格。采用传统抽检的方法,会受到人为因素的影响导致检测结果不准确,检测工作量大,且抽检发现问题时不能及时停机维护。现有的针对半导体芯片切筋成型制程中产品合格视觉检测技术,因大多数视觉开发人员对半导体芯片制造的工艺不熟悉,缺少对半导体引线框架的共性了解。大多采用模板匹配技术,计算效率低,对于高速切筋成型设备只能采取抽检的方法,不能达到全检的效果。或针对特种类型的半导体芯片进行软件设计,对其他品种的检测适应性差。本专利技术的方法,在充分了解半导体引线框架的共性的基础上,总结出一种逐层找ROI区域的方法,能适应市场所有主流产品的检测,且算法速度快、效率高,可用于半导体高速切筋成型设备的产品全检。
技术实现思路
为了解决半导体芯片在切筋成型制程中产品能达到全检,且通用于各种类型的产品,本专利技术提供了一种半导体芯片引脚成型缺陷检测 ...
【技术保护点】
1.一种半导体芯片引脚成型缺陷检测的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:步骤S1:提供待测区域以及该待测区域所用的上位机;步骤S2:根据所述上位机触发信号,采集所述待测区域图像信息,并经过灰度化和去噪处理得到待处理的灰度化图像信息;步骤S3:对所述灰度化图像信息,根据半导体引线框架的共性特点找到每一工步ROI区域;步骤S4:计算所述每一工步ROI区域内芯片数量,并找到每一芯片的ROI区域;步骤S5:在所述每一芯片的ROI区域内计算芯片信息;步骤S6:将所述芯片数量和所述芯片信息分别与模版信息对比后,向所述上位机反馈检测结果。
【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片引脚成型缺陷检测的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:步骤S1:提供待测区域以及该待测区域所用的上位机;步骤S2:根据所述上位机触发信号,采集所述待测区域图像信息,并经过灰度化和去噪处理得到待处理的灰度化图像信息;步骤S3:对所述灰度化图像信息,根据半导体引线框架的共性特点找到每一工步ROI区域;步骤S4:计算所述每一工步ROI区域内芯片数量,并找到每一芯片的ROI区域;步骤S5:在所述每一芯片的ROI区域内计算芯片信息;步骤S6:将所述芯片数量和所述芯片信息分别与模版信息对比后,向所述上位机反馈检测结果。2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片引脚成型缺陷检测的方法,其特征在于:所述S2的具体步骤为,根据所述上位机发送的检测开始命令,工业相机采集检测区域的图像信息并转化为灰度化图像信息,再通过均值滤波得到待处理的图像信息。3.根据权利要求1所述的一种半导体芯片引脚成型缺陷检测的方法,其特征在于:所述S3的具体步骤为,根据所有引线框架中共有的芯片间具有矩形分...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈小飞,汪昌来,谢政华,
申请(专利权)人:安徽大华半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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