一种半导体成型分离模具制造技术

一种半导体成型分离模具，包括：下模板；下模孔，设置在所述下模板上，且贯穿所述下模板，数量为多个；第一上顶块，可移动设置在部分所述下模孔内，且可上顶到第一高度，所述第一高度为目标芯片位于所述第一上顶块上时的工作的高度；第二上顶块，可移动设置在部分所述下模孔内，且可上顶到第二高度，所述第二高度为目标芯片位于所述第一上顶块上时的工作的高度，所述第一高度高于所述第二高度。本实施例实施时，随着第一上顶块顶至第一高度，第二上顶块上顶将芯片顶至第二高度，由于第一高度高于第二高度，将芯片顶到不同的高度，进而可以将料管放置在不同的高度，降低了料管体积对芯片密度的影响，提高芯片切割效率。提高芯片切割效率。提高芯片切割效率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体成型分离模具


[0001]本技术涉及一种半导体切割领域，尤其是涉及一种半导体成型分离模具。

技术介绍

[0002]芯片在制作时位于芯片框架上进行制作，芯片制作完成之后，为了将芯片装到料管中，需要采用分离模具将目标芯片框架中的芯片进行分离。
[0003]目前模具在对芯片进行分离时，将芯片推至一定高度，后续通过推杆将芯片推至料管中。
[0004]专利技术人发现在相关技术中，由于料管与芯片高度对应，因此所有的料管处在同一高度，因此芯片被推到一定高度后，料管高度被限定，由于料管体积的限定，料管不能排列过密，导致芯片对推到一定高度的密度进行限定，导致芯片切割效率较低。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于克服相关技术中芯片切割效率较低的技术问题，提供一种半导体成型分离模具。
[0006]为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本技术是通过以下技术方案实现：
[0007]一种半导体成型分离模具，包括：
[0008]下模板；
[0009]下模孔，设置在所述下模板上，且贯穿所述下模板，数量为多个；
[0010]第一上顶块，可移动设置在部分所述下模孔内，且可上顶到第一高度，所述第一高度为目标芯片位于所述第一上顶块上时的工作的高度；
[0011]第二上顶块，可移动设置在部分所述下模孔内，且可上顶到第二高度，所述第二高度为目标芯片位于所述第一上顶块上时的工作的高度，所述第一高度高于所述第二高度。
[0012]本技术所述的半导体成型分离模具，其中，包括：
[0013]第一模板，设置在所述第一高度处；
[0014]第一模孔，数量与所述第一上顶块数量相同，位置与所述第一上顶块相对，且贯穿所述第一模板；
[0015]第一滑槽，设置在所述第一模板上，且所述第一模孔设置在所述第一滑槽中，所述第一上顶块上顶到第一高度时，顶部与所述第一滑槽底部平齐。
[0016]本技术所述的半导体成型分离模具，其中，包括：
[0017]第二模板，设置在所述第二高度处；
[0018]第二模孔，数量与所述第一上顶块数量相同，贯穿所述第二模板，位置与所述第一上顶块相对，所述第一上顶块可向上穿过所述第二模孔；
[0019]第三模孔，数量与所述第二上顶块数量相同，贯穿所述第二模板，位置与所述第二上顶块相对；
[0020]第二滑槽，设置在所述第二模板上，且所述第三模孔设置在所述第二滑槽中，所述
第二上顶块上顶到第二高度时，顶部与所述第二滑槽底部平齐。
[0021]本技术所述的半导体成型分离模具，其中，包括：
[0022]第一推动件，所述第一上顶块及所述第二上顶块下端分别设置在所述第一推动件上。
[0023]本技术所述的半导体成型分离模具，其中，所述第二模板设置在所述下模板上侧，与所述下模板间具有一预定距离，且与所述下模板相配合。
[0024]本技术所述的半导体成型分离模具，其中，所述第一上顶块数量为多个，且至少为一排，且所述每个第一上顶块与所在排中的相邻的所述第一上顶块之间具有一定间隔。
[0025]本技术所述的半导体成型分离模具，其中，所述第二上顶块数量为多个，且至少为一排，且所述每个第二上顶块与所在排中的相邻的所述第二上顶块之间具有一定间隔。
[0026]本技术所述的半导体成型分离模具，其中，每排所述第一上顶块与每排所述第二上顶块平行设置，且每排所述第一上顶块相邻至少一排所述第二上顶块。
[0027]本技术所述的半导体成型分离模具，其中，包括：
[0028]支撑柱，所述第二模板、所述下模板均设置在所述支撑柱上。
[0029]本技术所述的半导体成型分离模具，其中，包括：
[0030]支撑底板，所述支撑柱下端设置在所述支撑底板上。
[0031]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0032]本实施例实施时，将包含芯片的芯片框架放置到下模板上，第一上顶块上顶将芯片从芯片框架上顶出，随着第一上顶块顶至第一高度，第二上顶块上顶将芯片顶至第二高度，由于第一高度高于第二高度，将芯片顶到不同的高度，进而可以将料管放置在不同的高度，降低了料管体积对芯片密度的影响，提高芯片切割效率。
附图说明
[0033]图1为本技术提供的一种实施例立体视图；
[0034]图2为本技术提供的一种第一模具实施例视图；
[0035]图3为本技术提供的一种第二模具施例实视图；
[0036]图4为本技术提供的一种下模板实施例视图；
[0037]图5为本技术提供的一种第一推动件实施例视图；
具体实施方式
[0038]请参阅图1
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5所示，本领域技术人员应理解的是，在本技术的揭露中，术语“上”、“下”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系，其仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此上述术语不能理解为对本技术的限制。
[0039]需要说明的是，目前模具在对芯片进行分离时，将芯片推至一定高度，后续通过推杆将芯片推至料管中。
[0040]技术人发现在相关技术中，由于料管与芯片高度对应，因此所有的料管处在同一高度，因此芯片被推到一定高度后，料管高度被限定，由于料管体积的限定，料管不能排列过密，导致芯片对推到一定高度的密度进行限定，导致芯片切割效率较低。
[0041]基于此，本实施例提供一种半导体成型分离模具，包括：
[0042]下模板100；
[0043]下模孔200，设置在下模板100上，且贯穿下模板100，数量为多个；
[0044]第一上顶块300，可移动设置在部分下模孔200内，且可上顶到第一高度，第一高度为目标芯片位于第一上顶块300上时的工作的高度；
[0045]第二上顶块400，可移动设置在部分下模孔200内，且可上顶到第二高度，第二高度为目标芯片位于第一上顶块300上时的工作的高度，第一高度高于第二高度。
[0046]本实施例实施时，将包含芯片的芯片框架放置到下模板上，第一上顶块上顶将芯片从芯片框架上顶出，随着第一上顶块顶至第一高度，第二上顶块上顶将芯片顶至第二高度，由于第一高度高于第二高度，将芯片顶到不同的高度，进而可以将料管放置在不同的高度，降低了料管体积对芯片密度的影响，提高芯片切割效率。
[0047]第一上顶块300与第二上顶块400可以将芯片顶到不同的高度，实现对芯片的分层，即可降低料管体积对芯片密度的影响，即可解决相关技术中的技术问题，并取得相应的技术效果。
[0048]为了在第一上顶块将目标芯片顶到一定位置后，使芯片可以沿固定路径传导至料管中，在本施例中，包括：
[0049]第一模板500，设置在第一高度处；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体成型分离模具，其特征在于，包括：下模板；下模孔，设置在所述下模板上，且贯穿所述下模板，数量为多个；第一上顶块，可移动设置在部分所述下模孔内，且可上顶到第一高度，所述第一高度为目标芯片位于所述第一上顶块上时的工作的高度；第二上顶块，可移动设置在部分所述下模孔内，且可上顶到第二高度，所述第二高度为目标芯片位于所述第一上顶块上时的工作的高度，所述第一高度高于所述第二高度。2.根据权利要求1所述的半导体成型分离模具，其特征在于，包括：第一模板，设置在所述第一高度处；第一模孔，数量与所述第一上顶块数量相同，位置与所述第一上顶块相对，且贯穿所述第一模板；第一滑槽，设置在所述第一模板上，且所述第一模孔设置在所述第一滑槽中，所述第一上顶块上顶到第一高度时，顶部与所述第一滑槽底部平齐。3.根据权利要求2所述的半导体成型分离模具，其特征在于，包括：第二模板，设置在所述第二高度处；第二模孔，数量与所述第一上顶块数量相同，贯穿所述第二模板，位置与所述第一上顶块相对，所述第一上顶块可向上穿过所述第二模孔；第三模孔，数量与所述第二上顶块数量相同，贯穿所述第二模板，位置与所述第二上顶块相对；第二滑槽，设置在所述第二模板上，且所述第三模孔设置在所述第二滑槽中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：储成山，纵雷，陈昌太，代迎桃，
申请(专利权)人：安徽大华半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：