具有后栅极偏置的开关的电路制造技术

本发明专利技术涉及具有后栅极偏置的开关的电路，其揭露具有开关的电子电路以及操作电子电路中的开关的方法。第一放大器通过第一路径与天线耦接。第二放大器通过第二路径与该天线耦接。晶体管在一节点与该第一路径耦接。该第一晶体管包括后栅极。后栅极偏置电路与该第一晶体管的该后栅极耦接。该后栅极偏置电路经配置成向该第一晶体管的该后栅极供应偏置电压，从而降低该晶体管的阈值电压。

【技术实现步骤摘要】
具有后栅极偏置的开关的电路
本专利技术通常涉及电子电路，尤其涉及具有开关的电子电路以及用于操作电子电路中的开关的方法。
技术介绍
射频集成电路(Radio-frequencyintegratedcircuit；RFIC)存在于许多类型的装置中，例如移动电话。RFIC通常需要开关来选择并控制天线、发送器电路(例如，功率放大器)与接收器电路(例如，低噪声放大器)之间的连接。通过使用半导体装置(通常为单个场效应晶体管(field-effecttransistor；FET)或堆叠的多个FET)在RFIC中可实施开关。这样的开关可能引入插入损耗，其可能影响发送器电路的效率及接收器电路的噪声系数。需要改进的具有开关的电子电路以及用于操作电子电路中的开关的方法。
技术实现思路
在本专利技术的一个实施例中，电子电路包括通过第一路径与天线耦接的第一放大器，通过第二路径与该天线耦接的第二放大器，以及在一节点与该第一路径耦接的晶体管。后栅极偏置电路与该晶体管的后栅极耦接。该后栅极偏置电路经配置成向该晶体管的该后栅极供应偏置电压，从而降低该晶体管的阈值电压。在本专利技术的一个实施例中，一种操作电子电路的方法包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于天线的电子电路，该电子电路包括：第一放大器，通过第一路径与该天线耦接；第二放大器，通过第二路径与该天线耦接；第一晶体管，在第一节点与该第一路径耦接，该第一晶体管具有后栅极；以及后栅极偏置电路，与该第一晶体管的该后栅极耦接，该后栅极偏置电路经配置成向该第一晶体管的该后栅极供应偏置电压，从而降低该第一晶体管的阈值电压。

【技术特征摘要】
2017.06.07 US 15/616,5271.一种用于天线的电子电路，该电子电路包括：第一放大器，通过第一路径与该天线耦接；第二放大器，通过第二路径与该天线耦接；第一晶体管，在第一节点与该第一路径耦接，该第一晶体管具有后栅极；以及后栅极偏置电路，与该第一晶体管的该后栅极耦接，该后栅极偏置电路经配置成向该第一晶体管的该后栅极供应偏置电压，从而降低该第一晶体管的阈值电压。2.如权利要求1所述的电子电路，还包括：衬底，包括装置层、埋置氧化物层、以及操作晶圆，其中，该第一晶体管的该后栅极位于该操作晶圆中，该第一晶体管包括栅极电极、源极、漏极、以及位于该源极与该漏极之间的本体，且该第一晶体管的该本体垂直设置于该第一晶体管的该栅极电极与该第一晶体管的该后栅极之间。3.如权利要求1所述的电子电路，还包括：第二晶体管，在第二节点与该第二路径耦接，该第二晶体管具有后栅极，其中，该后栅极偏置电路与该第二晶体管的该后栅极耦接，且该后栅极偏置电路经配置成向该第二晶体管的该后栅极供应该偏置电压，从而调节该第二晶体管的阈值电压。4.如权利要求3所述的电子电路，其中，该后栅极偏置电路经配置成向该第一晶体管的该后栅极及该第二晶体管的该后栅极同时供应该偏置电压。5.如权利要求3所述的电子电路，其中，该第一晶体管具有源极及与地连接的漏极，且还包括：第一电容器，位于该漏极与该第一节点之间。6.如权利要求5所述的电子电路，其中，该第二晶体管具有与该第二节点连接的漏极以及与地连接的源极。7.如权利要求5所述的电子电路，还包括：第二电容器，位于该第一节点与该天线之间的该第一路径中。8.如权利要求1所述的电子电路，其中，该第一放大器及该第二放大器经配置成操作于将第一信号自该第一放大器传输至该天线的发送模式以及将第二信号自该天线传输至该第一放大器的接收模式，且在该发送模式中，该后栅极偏置电路向该第一晶体管的该后栅极供应该偏置电压。9.如权利要求1所述的电子电路，其中，该后栅极偏置电路包括：与该后栅极连接的第二节点，...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿贝拉特·贝拉尔，
申请(专利权)人：格芯公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY