半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种适合于微型化及高集成化的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的晶体管；晶体管上的第二绝缘体；嵌入在第二绝缘体的开口中的第一导电体；第一导电体上的阻挡层；在第二绝缘体及阻挡层上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第二导电体。第一绝缘体、第三绝缘体及阻挡层对氧及氢具有阻挡性。第二绝缘体包括过剩氧区域。晶体管包括氧化物半导体。阻挡层、第三绝缘体及第二导电体被用作电容器。

Semiconductor Device and Its Manufacturing Method

The invention provides a semiconductor device with high reliability suitable for miniaturization and high integration. The semiconductor device includes: a first insulator; a transistor on the first insulator; a second insulator on the transistor; a first conductor embedded in the opening of the second insulator; a barrier layer on the first conductor; a third insulator on the second insulator and the barrier layer; and a second conductor on the third insulator. \u3002 The first insulator, the third insulator and the barrier layer are barrier to oxygen and hydrogen. The second insulator includes the excess oxygen area. Transistors include oxide semiconductors. The barrier layer, the third insulator and the second conductor are used as capacitors.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及一种物体、方法或制造方法。本专利技术涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组合物(compositionofmatter)。本专利技术的一个实施方式涉及一种半导体装置、发光装置、显示装置、电子设备、照明装置以及这些装置中的任一个的制造方法。尤其是，本专利技术的一个实施方式涉及以安装在电源电路中的功率装置、存储器或CPU等LSI、以及包括晶闸管、转换器、图像传感器等的半导体集成电路为部件而安装的电子设备。本专利技术的一个实施方式例如涉及一种利用有机电致发光(Electroluminescence，以下也称为EL)现象的发光装置以及该发光装置的制造方法。注意，本专利技术的一个实施方式不局限于上述
在本说明书中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性起作用的所有装置。电光装置、半导体电路及电子设备有时包括半导体装置。
技术介绍
近年来，对包括半导体元件的LSI(CPU或存储器等)已在进行开发。此外，CPU包括从半导体晶片分开的半导体集成电路(至少包括晶体管及存储器)并是形成有作为连接端子的电极的半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在第一晶体管上形成第一绝缘体，该第一晶体管的沟道形成区域包括半导体衬底的一部分；在所述第一绝缘体上形成第二晶体管，该第二晶体管的沟道形成区域包括氧化物半导体；在所述第二晶体管上形成第二绝缘体；在所述第二绝缘体中形成开口，该开口到达所述第二晶体管；在所述第二绝缘体上形成第一导电体，该第一导电体嵌入在所述第二绝缘体的所述开口中；去除所述第一导电体的一部分，以使所述第二绝缘体的顶面露出；在所述第一导电体上形成阻挡层；对所述阻挡层及所述第二绝缘体进行氧等离子体处理；在所述阻挡层及所述第二绝缘体上形成第三绝缘体；以及在所述第三绝缘体上形成第二导电体，其中，所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.12 JP 2016-0247941.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在第一晶体管上形成第一绝缘体，该第一晶体管的沟道形成区域包括半导体衬底的一部分；在所述第一绝缘体上形成第二晶体管，该第二晶体管的沟道形成区域包括氧化物半导体；在所述第二晶体管上形成第二绝缘体；在所述第二绝缘体中形成开口，该开口到达所述第二晶体管；在所述第二绝缘体上形成第一导电体，该第一导电体嵌入在所述第二绝缘体的所述开口中；去除所述第一导电体的一部分，以使所述第二绝缘体的顶面露出；在所述第一导电体上形成阻挡层；对所述阻挡层及所述第二绝缘体进行氧等离子体处理；在所述阻挡层及所述第二绝缘体上形成第三绝缘体；以及在所述第三绝缘体上形成第二导电体，其中，所述阻挡层、所述第三绝缘体及所述第二导电体互相重叠且被用作电容器，并且，所述第一绝缘体、所述阻挡层及所述第三绝缘体都对氧及氢具有阻挡性。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第二绝缘体包含通过CVD法形成的氧氮化硅。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述阻挡层包含通过ALD法形成的氮化钽。4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述阻挡层包含通过ALD法形成的氧化铝。5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第三绝缘体包含通过溅射法形成的氧化铝。6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中通过所述氧等...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，远藤佑太，加藤清，冈本悟，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本,JP