存储器及其形成方法、半导体器件技术

本发明专利技术提供了一种存储器及其形成方法、半导体器件，利用所形成的位线和位线接触，在其侧壁上形成第一隔离侧墙；并使相邻的两条所述位线中，最相邻的两个所述位线接触上的第一隔离侧墙相互连接，以构成一瓶颈封闭，通过隔离侧墙和瓶颈封闭所构成的开口能够自对准的定义出存储节点接触的形成区域，因此，在形成存储节点接触时仅需在开口中填充接触材料即可，而不需要利用光刻工艺。从而，可减少光刻工艺的执行次数，有效简化了工艺流程，并且还可避免光刻工艺窗口的限制，有利于降低存储器的制备难度。

Memory and Its Formation Method, Semiconductor Device

The invention provides a memory, a forming method and a semiconductor device, which forms a first isolation side wall on its side wall by contacting the formed bit line with the bit line, and connects the first isolation side wall on the contact of the two most adjacent bit lines to form a bottleneck closure. The opening formed by the isolation side wall and bottleneck closure can be self-aligned to define the formation area of storage node contact. Therefore, when forming storage node contact, only contact materials need to be filled in the opening, instead of using lithography technology. As a result, the number of times of lithography process execution can be reduced, the process flow can be effectively simplified, and the limitation of lithography process window can be avoided, which is conducive to reducing the difficulty of memory preparation.

【技术实现步骤摘要】
存储器及其形成方法、半导体器件
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种存储器及其形成方法，以及一种半导体器件。
技术介绍
存储器通常包括存储电容器以及连接到所述存储元件的存储晶体管，所述存储电容器用来存储代表存储信息的电荷。所述存储晶体管中形成有源区、漏区和栅极，所述栅极控制所述源区和漏区之间的电流流动，所述源区用于构成位线接触区，以连接至位线，所述漏区用于构成存储节点接触区，以连接至存储电容器。其中，在所述位线接触区上需形成一位线接触，进而通过所述位线接触连接至所述位线，以及，在存储节点接触区上需形成一存储节点接触，进而通过所述存储节点接触连接至所述存储电容器。在实际的存储器的制备过程中，所述位线接触和所述存储节点接触的形成方法，通常包括：首先，利用光刻工艺和蚀刻工艺形成接触孔；接着，在所述接触孔中填充导电材料以分别形成位线接触和存储节点接触。例如，在公开号为CN101055871A的专利申请文件中公开了一种存储器，其位线接触部的形成方法包括：首先，在衬底上形成绝缘层；接着，对所述绝缘层执行光刻工艺和蚀刻工艺，以形成接触孔，所述接触孔的中心位置与第一单元接触部(对应位线接触部的区域)的中心位置重合，以暴露出所述第一单元接触部；接着，在所述接触孔中填充导电材料，以构成所述位线接触。以及，在该专利申请中，所述存储节点接触部的形成方法包括：首先，在衬底上形成绝缘层；接着，对所述绝缘层执行光刻工艺和蚀刻工艺，以形成接触孔，所述接触孔的中心位置与第二单元接触部(对应存储节点接触部的区域)的中心位置不重合，以暴露出所述第二单元接触部；接着，在所述接触孔中填充导电材料，以构成所述存储节点接触部。由此可见，在形成位线接触和存储节点接触时需利用多次光刻工艺形成。退一步讲，在上述专利申请中，即使位线接触和存储节点接触是利用同一道光刻工艺和蚀刻工艺形成接触孔的，然而，由于对应位线接触的接触孔和对应存储节点接触的接触孔之间距离较近，以及为避免所形成的接触孔相互接壤，一方面需使所形成的接触孔的尺寸控制在较小的范围内，另一方面还需严格控制光刻过程中的位移偏差，以在考虑后续位线的排布位置的基础上，确保通过所述接触孔能够暴露出第一单元接触部和第二单元接触部。因此，在现有的位线接触和存储节点接触的形成方法中，其制备工艺较为繁杂，并且其光刻工艺窗口较小，增加了存储器的制备难度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种存储器及其形成方法，以简化存储器的形成工艺。为此，本专利技术提供了一种存储器的形成方法包括：提供一衬底，所述衬底上定义有多个相对第一方向倾斜延伸的有源区，所述有源区上形成有位线接触区和位于所述位线接触区两侧的存储节点接触区，多个所述有源区呈阵列式排布且多个所述位线接触区交错排布；形成位线接触在所述位线接触区上，以及形成多条位线在所述衬底上，所述位线沿第一方向延伸，在同一直线上排布的位线接触连接至同一位线上，所述位线和所述位线接触的高度大于衬底的高度以使所述位线和所述位线接触在所述衬底的表面上构成多个第一开口，所述位线和所述位线接触的侧壁构成所述第一开口的侧壁；形成第一隔离侧墙在所述第一开口的侧壁上，相邻的两条所述位线中，最相邻的两个所述位线接触上的第一隔离侧墙相互连接，以构成一瓶颈封闭，所述瓶颈封闭和所述第一隔离侧墙限定出一第二开口，所述第二开口暴露出所述存储节点接触区；以及，填充接触材料在所述第二开口中，以构成存储节点接触。可选的，所述第一隔离侧墙的形成步骤包括：沉积隔离材料层在所述衬底上，所述隔离材料层覆盖所述位线和所述位线接触的顶部，并覆盖所述第一开口的侧壁和底部；以及，执行回刻蚀工艺，去除位于所述位线和所述位线接触顶部的所述隔离材料层，以及去除所述第一开口底部的隔离材料层，以在所述第一开口的侧壁上形成所述第一隔离侧墙。可选的，相邻的两条所述位线中，最相邻的两个所述位线接触之间的距离小于等于2倍的所述隔离材料层的厚度，所述隔离材料层的厚度为所述隔离材料层沿平行于所述衬底表面方向的尺寸。可选的，相邻的两条所述位线中，最相邻的两个所述位线接触之间的距离大于2倍的所述第一隔离侧墙的厚度，所述隔离材料层的厚度为所述隔离材料层沿平行于所述衬底表面方向的尺寸。可选的，至少执行两次隔离材料层的沉积步骤，使相邻的两条所述位线中最相邻的两个位线接触之间填满所述隔离材料层。可选的，在形成所述位线之前，还包括：形成字线在所述衬底上；以及，覆盖一绝缘层在形成有所述字线的所述衬底上。可选的，所述位线接触和所述位线的形成步骤包括：形成第一掩膜层在所述绝缘层上，所述第一掩膜层中形成有多个对应位线图形和位线接触图形的凹槽，所述凹槽包括第一凹槽和与第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽沿第一方向相互连通，所述第一凹槽暴露出所述位线接触区上的绝缘层，所述第二凹槽暴露出相邻位线接触区之间的绝缘层；形成第二掩膜层在所述第一掩膜层上，以覆盖所述第二凹槽并暴露出所述第一凹槽；以所述第二掩膜层为掩膜刻蚀暴露出的所述绝缘层，使所述位线接触区暴露出；去除所述第二掩膜层并填充导电材料在所述凹槽中，位于所述凹槽中的所述导电材料构成所述位线的导电层，位于所述第一凹槽中的所述导电材料构成所述位线接触的导电层；去除所述第一掩膜层，暴露出所述位线接触和所述位线的侧壁以构成所述第一开口，并通过所述第一开口暴露出所述存储节点接触区上的绝缘层；以及，去除所述存储节点接触区上的绝缘层，暴露出所述存储节点接触区。可选的，所述第一凹槽平行于衬底表面的截面的形状为矩形，相邻的两个所述凹槽中最相邻的两个第一凹槽的矩形顶角相对。可选的，在形成所述第一掩膜层之后，以及形成所述第二掩膜层之前，还包括：形成第二隔离侧墙在所述第一凹槽和所述第二凹槽的侧壁上。本专利技术的又一目的在于提供一种存储器，所述存储器包括：衬底，所述衬底上定义有多个相对第一方向倾斜延伸的有源区，所述有源区上形成有位线接触区和位于所述位线接触区两侧的存储节点接触区，多个所述有源区呈阵列式排布且所述位线接触区交错排布；位线接触，形成在所述位线接触区上并与所述位线接触区接触；多条位线，沿第一方向延伸，且同一直线上排布的位线接触连接至同一位线上；第一隔离侧墙，形成在所述位线和所述位线接触的侧壁上，相邻的两条所述位线中最相邻的两个所述位线接触上的第一隔离侧墙相互连接构成一瓶颈封闭；存储节点接触，形成在由所述第一隔离侧墙和所述瓶颈封闭共同限定的开口中，紧邻设置的存储节点接触之间通过所述瓶颈封闭隔离。可选的，相邻的两条所述位线中最相邻的两个位线接触之间的距离小于等于2倍的所述第一隔离侧墙的厚度，所述第一隔离侧墙的厚度为为所述第一隔离侧墙沿平行于所述衬底表面方向的尺寸。可选的，所述位线接触平行于衬底表面的截面的形状为矩形，相邻的两条位线中最相邻的两个位线接触的矩形顶角相对。可选的，所述存储器还包括：字线，形成在衬底上并沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相互垂直。可选的，所述位线接触和所述位线均包括：导电层，位于所述位线接触中的导电层与所述位线接触区接触，并与所述位线中的导电层连接；第二隔离侧墙，位于所述导电层的侧壁上。在本专利技术提供的存储器的形成方法中，在形成位线和位线接触之后，在位线和位线接触的侧壁上形成第一隔离侧墙，并使两条相邻的位线中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上定义有多个相对第一方向倾斜延伸的有源区，所述有源区上形成有位线接触区和位于所述位线接触区两侧的存储节点接触区，多个所述有源区呈阵列式排布且多个所述位线接触区交错排布；形成位线接触在所述位线接触区上，以及形成多条位线在所述衬底上，所述位线沿所述第一方向延伸，在同一直线上排布的所述位线接触连接至同一位线上，所述位线和所述位线接触的高度大于所述衬底的高度，以使所述位线和所述位线接触共同界定出在所述衬底的表面上的多个第一开口，所述位线和所述位线接触的侧壁的组合构成所述第一开口的侧壁；形成第一隔离侧墙在所述第一开口的侧壁上，在两条相邻的所述位线之间，相邻的所述位线接触的侧壁的所述第一隔离侧墙相互连接，以构成瓶颈封闭，所述瓶颈封闭和在相邻的所述位线的侧壁上的所述第一隔离侧墙共同界定出第二开口，所述第二开口限定在所述第一开口中并暴露出所述存储节点接触区；以及，填充接触材料在所述第二开口中，以构成存储节点接触。

【技术特征摘要】
1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上定义有多个相对第一方向倾斜延伸的有源区，所述有源区上形成有位线接触区和位于所述位线接触区两侧的存储节点接触区，多个所述有源区呈阵列式排布且多个所述位线接触区交错排布；形成位线接触在所述位线接触区上，以及形成多条位线在所述衬底上，所述位线沿所述第一方向延伸，在同一直线上排布的所述位线接触连接至同一位线上，所述位线和所述位线接触的高度大于所述衬底的高度，以使所述位线和所述位线接触共同界定出在所述衬底的表面上的多个第一开口，所述位线和所述位线接触的侧壁的组合构成所述第一开口的侧壁；形成第一隔离侧墙在所述第一开口的侧壁上，在两条相邻的所述位线之间，相邻的所述位线接触的侧壁的所述第一隔离侧墙相互连接，以构成瓶颈封闭，所述瓶颈封闭和在相邻的所述位线的侧壁上的所述第一隔离侧墙共同界定出第二开口，所述第二开口限定在所述第一开口中并暴露出所述存储节点接触区；以及，填充接触材料在所述第二开口中，以构成存储节点接触。2.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第一隔离侧墙的形成步骤包括：沉积隔离材料层在所述衬底上，所述隔离材料层覆盖所述位线和所述位线接触的顶部，并覆盖所述第一开口的侧壁和底部；以及，执行回刻蚀工艺，去除在所述位线和所述位线接触顶部的所述隔离材料层，以及局部去除在所述第一开口底部的所述隔离材料层，以形成所述第一隔离侧墙在所述第一开口的侧壁上。3.如权利要求2所述的存储器的形成方法，其特征在于，相邻的两条所述位线中，两个相邻的所述位线接触之间的最小间隔距离小于等于2倍的所述隔离材料层的沉积厚度，所述隔离材料层的沉积厚度为所述隔离材料层在回刻蚀工艺之前沿平行于所述衬底表面方向的尺寸。4.如权利要求2所述的存储器的形成方法，其特征在于，两条相邻的所述位线中，两个相邻的所述位线接触之间的最小间隔距离大于2倍的所述隔离材料层的厚度，所述隔离材料层的沉积厚度为所述隔离材料层在回刻蚀工艺之前沿平行于所述衬底表面方向的尺寸。5.如权利要求4所述的存储器的形成方法，其特征在于，至少执行两次所述隔离材料层的沉积步骤，使两条相邻的所述位线中两个相邻的所述位线接触之间填满所述隔离材料层。6.如权利要求1至5任一项所述的存储器的形成方法，其特征在于，在形成所述位线之前，还包括：形成字线在所述衬底中；以及，形成绝缘层在所述衬底上，所述绝缘层覆盖所述字线。7.如权利要求6所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述位线接触和所述位线的形成步骤包括：形成第一掩膜层在所述绝缘层上，所述第一掩膜层中形成有多个凹槽对应所述位线和所述位线接触，所述凹槽包括第一凹槽和与第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽沿所述第一方向相互连通，所述第一凹槽暴露出所述位线接触区上的绝缘层，所述第二凹槽暴露出相邻的所述位线接触区之间的绝缘层；形成第二掩膜层在所述第一掩膜层上，以覆盖所述第二凹槽并暴露出所述第一凹槽；以所述第二掩膜层为掩膜刻蚀暴露出的所述绝缘层，使所述位线接触区暴露出；去除所述第二掩膜层并填充导电材料在所述凹槽中，位于所述凹槽中的所述导电材料构成所述位线的导电层，位于所述第一凹槽中的所述导电材料构成所述位线接触的导电层；去除所述第一掩膜层，暴露出所述位线接触和所述位线的侧壁以共同界定出所述第一开口，并通过所述第一开口暴露出所述存储节点接触区上的绝缘层；以及，去除所述存储节点接触区上的绝缘层，暴露出所述存储节点接触区。8.如权利要求7所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第一凹槽平行于所述衬底表面的截面的形状为矩形，两...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34