具有自环形槽突出的支承突出部的基材固持设备制造技术

本发明专利技术涉及一种用于将至少一个基材(20)固持在CVD或PVD反应器的过程室中的设备，在所述CVD或PVD反应器的平坦的顶侧上具有至少一个被至少一个定位侧边(3)限定的、用于容纳至少一个基材(20)的容纳部，其中，支承料槽(2)具有支承料槽底部(4)，在定位侧边(3)的附近，支承突出部(8)自该支承料槽底部突出，所述支承突出部构成被侧壁(10)围绕的、位于支承平面(E)中的支承区(9)，所述支承区离围绕支承突出部(8)的槽(5)的底部(6)具有比离支承料槽底部(4)更大的垂直距离。为了提高在基材的顶侧上的温度均匀性而规定，槽(5)在凹陷(11)中延伸，所述凹陷的垂直高度位于槽(5)的底部(6)与支承料槽底部(4)之间。支承突出部(8)和/或围绕支承突出部(8)的槽(5)具有离定位侧边(3)的水平距离。

Base Material Fixation Equipment with Protrusion of Self-Ring Groove for Supporting Protrusion

The invention relates to a device for fixing at least one substrate (20) in a process chamber of a CVD or PVD reactor. On the flat top side of the CVD or PVD reactor, there is at least one receptacle defined by at least one positioning side (3) for accommodating at least one substrate (20), in which the support material groove (2) has a support. The support protrusion (8) protrudes from the bottom of the support material groove near the positioning side (3). The support protrusion constitutes a support area (9) surrounded by the side wall (10) and located in the support plane (E). The support area is larger than the bottom (6) of the groove (5) surrounded by the support protrusion (8) than the bottom (4) of the support material groove. Vertical distance. In order to improve the temperature uniformity on the top side of the base material, the groove (5) extends in the depression (11), and the vertical height of the depression is between the bottom (6) of the groove (5) and the bottom (4) of the supporting material groove. The support protrusion (8) and/or the groove (5) surrounding the support protrusion (8) have a horizontal distance from the positioning side (3).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有自环形槽突出的支承突出部的基材固持设备
本专利技术涉及一种用于将至少一个基材固持在CVD或PVD反应器的过程室中的设备，在所述CVD或PVD反应器的平坦顶侧上具有至少一个被至少一个定位侧边限定的、用于容纳至少一个基材的容纳部，其中，支承料槽具有支承料槽底部，在该支承料槽底部的邻接在至少一个定位侧边上的边缘附近，支承突出部自该支承料槽底部突出，所述支承突出部构成被侧壁包围的、置于支承平面中的支承面/支承区，所述支承面/支承区离围绕支承突出部的槽的底部具有比离支承料槽底部更大的垂直距离。现有技术文献US2003/0209326A1描述了一种具有分别用于容纳基材的支承料槽的基座。每个支承料槽都具有支承座底部。所述底部一直延伸至定位侧边，所述定位侧边定义支承料槽的边缘。在定位侧边的附近在支承料槽底部中设有在不同的周向位置上的切口，支承突出部自所述切口突出，所述支承突出部利用端面构成支承面，基材的底侧支承在所述支承面上，从而使基材中空地位于支承料槽中。由文献US2014/0287142A1已知一种基座，其中，平行于边缘走向的肋条自支承料槽的底部突出，基材的边缘支承在所述肋条上。所述肋条离支承料槽的径向向内方向的定位侧边保持距离。所述肋条环绕中央区域，所述中央区域具有凹陷，支承料槽的底部的直接围绕肋条的区域平直地在这样的水平上延伸，从而使得在该处在支承料槽底部与基材的底侧之间的距离最小。由文献US5,645,647已知一种基座，其中，用于基材的支承空间被定位侧边限定。文献DE102012108986A1描述了一种CVD设备的基材固持件，所述基材固持件由具有顶侧和底侧的平坦的盘件构成。所述顶侧具有兜孔状的结构。每个该结构都构成用于各一个圆形基材的支承空间。顶侧的底座的边缘部段构成用于对多个布置在基材固持件的顶侧上的基材之一分别进行位置固定的定位侧边。基材的边缘作用在被隔开的支承突出部上，所述支承突出部邻接在定位侧边上。支承突出部的突伸进支承空间的支承面中的部段被沟槽围绕。底座具有三角形的底面形状，所述底座相互间隔并且能够使基材以六角形的布置来定位。文献DE202015118215描述了一种基座，其中，沟槽沿底座的定位侧边延伸，支承突出部从所述沟槽突出。在此还描述了一种支承突出部，所述支承突出部被环形槽环绕，其中，环形槽具有在横截面中为圆形的弓形件，所述弓形件在构成侧壁的情况下无折点地过渡至用于基材支承的支承面。该类型的基座尤其应用在CVD反应器中，基座在CVD反应器中构成过程室的底部。基座自下、例如通过热辐射被加热。通过热传导使辐射热量达到基座的顶侧，基材在基座上置入在此布置的支承料槽中。基座的顶侧上方具有过程室，所述过程室的顶板由进气机构构成。进气机构的面向基座的排气面具有与基座的表面温度不同的温度。排气面与基座顶侧之间的温度差可以达数百摄氏度，从而基于基座与进气机构之间所形成的温度梯度导致从基座至进气机构的极高的热通量。鉴于该热通量在基座内部构成垂直的温度梯度，然而在支承料槽的区域中也构成垂直的温度梯度。在基材中空地放置在支承料槽上所处的区域中以及在基材支承在支承突出部的支承面上所处的区域中，热通量是不同的。此外，还存在从定位侧边至基材的垂直的热入流。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种技术措施，以便使待涂覆的基材的表面上的水平的温度梯度最小化，此外使得横向的温度分布均匀化。所述技术问题通过在权利要求中给出的专利技术解决。从属权利要求不仅是在独立权利要求中给出的本专利技术的有利的改进方案。而且从属权利要求还构成该技术问题的创造性的解决方案。利用在权利要求中给出的且以下所述的技术特征，改进了在基材表面上的温度均匀性。在基材表面上测得的最低温度与在同一基材表面上测得的最高温度的温度差通过以下多种不同的较之于现有技术所建议的措施减小。首先并且主要建议，支承突出部自槽突出，而该槽本身又布置在凹陷中。所述凹陷在支承面的底部以下然而槽的底部以上的垂直高度上延伸，从而使凹陷的垂直高度位于槽的底部与支承料槽底部之间。支承料槽底部在平面中基本上平坦地延伸。然而为了提高在基材表面上的温度均匀性而规定，支承料槽底部具有垂直的结构、例如相对于支承料槽高度提高的区域和相对于支承料槽高度加深的区域。尤其规定，支承突出部具有离定位侧边的距离。还规定，围绕支承突出部的槽具有离定位侧边的距离。所述凹陷可以具有第一凹陷部段，所述第一凹陷部段填充槽与定位侧边之间的间隙。凹陷由此邻接至定位侧边上，从而使定位侧边在第一凹陷部段的边缘上延伸。在第一凹陷部段上可以邻接第二凹陷部段。优选第一凹陷部段在支承空间的边缘界限的周向上邻接有两个第二凹陷部段，所述第二凹陷部段分别邻接在定位侧边上。还可以设置第三凹陷部段，所述第三凹陷部段就支承突出部而言与第一凹陷部段对置。第一、第二和第三凹陷部段优选布置为，使得第一、第二和第三凹陷部段完全环绕槽，所述槽又环绕支承突出部。支承突出部由此连同环绕该支承突出部的槽一起作为孤岛位于相对于支承面高度加深的平面中，所述平面构成凹陷底部。支承突出部尤其与定位侧边间隔，从而使支承突出部被基材的边缘完全覆盖。由此，基材的底侧的与基材的边缘朝基材的中心方向间隔的表面部段支承在支承突出部的支承区上。支承区是几乎点状的表面。支承区优选具有最多0.7mm、0.5mm或最多0.3mm的直径。支承区的中点优选与定位侧边间隔至少4mm。支承区可以无折点地过渡至支承突出部的横截面为圆形的侧壁。侧壁可以在弯曲的表面上延伸，所述表面在横截面中沿圆弧线延伸。而且槽的横截面也可以在圆弧线上延伸。该槽构成环绕支承突出部的环形沟槽。这两个圆弧线反向地弯曲并且在横截面拐点的区域中相互过渡。槽的底部在由槽构成的切口(Kehle)的顶点线上延伸。槽的径向外部边缘可以倒圆角地或者在构成棱角的情况下过渡至凹陷底部。所述凹陷底部优选在平面中延伸，所述平面平行于支承面高度并且平行于支承表面地延伸。凹陷底部结束处的凹陷边缘优选由台阶构成。凹陷边缘在构成该台阶的情况下过渡至支承料槽底面。支承料槽优选被至少六个、优选相互间隔的底座环绕，所述底座分别构成定位侧边。定位侧边能够在共同的圆弧线上延伸。然而每个定位侧边还尤其在其中央具有直线型延伸的部段。定位侧边优选地在其与凹陷邻接的部位处直线型地延伸。优选设有六个分别带有支承面的支承突出部，所述支承突出部在周向上沿圆弧线在支承料槽的优选圆形的界限边缘内部以均匀的角分布布置。支承突出部的所有支承面都位于支承平面中。支承平面离支承料槽的垂直距离优选为400μm。该距离可以在300至500μm之间的区域中。槽底部离支承平面的垂直距离可以在500至900μm之间的区域中。支承平面离凹陷底部的垂直距离优选为500μm，从而使凹陷与支承料槽底部之间的台阶约为100μm。该距离可以在300至700μm之间的区域中，从而使台阶也可以小于100μm，然而也可以大于100μm。附图说明以下借助附图对本专利技术的实施例进行更详尽的阐述。在附图中：图1示出基座1的顶面的俯视图，所述基座具有大量以六角形的紧密成组布置的用于支承圆形基材的支承料槽2，其中每个未位于边缘上的支承料槽2都被六个底座19环绕，所述底座分别具有定位侧边3。图2放大示出图1中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于将至少一个基材(20)固持在CVD或PVD反应器的过程室中的设备，在所述CVD或PVD反应器的平坦的顶侧上具有至少一个被至少一个定位侧边(3)限定的、用于容纳至少一个基材(20)的容纳部，其中，支承料槽(2)具有支承料槽底部(4)，在定位侧边(3)的附近，支承突出部(8)自该支承料槽底部突出，所述支承突出部构成被侧壁(10)围绕的、位于支承平面(E)中的支承区(9)，所述支承区离围绕支承突出部(8)的槽(5)的底部(6)具有比离支承料槽底部(4)更大的垂直距离，其特征在于，槽(5)在凹陷(11)中延伸，所述凹陷的垂直高度位于槽(5)的底部(6)与支承料槽底部(4)之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.29 DE 102016103530.01.一种用于将至少一个基材(20)固持在CVD或PVD反应器的过程室中的设备，在所述CVD或PVD反应器的平坦的顶侧上具有至少一个被至少一个定位侧边(3)限定的、用于容纳至少一个基材(20)的容纳部，其中，支承料槽(2)具有支承料槽底部(4)，在定位侧边(3)的附近，支承突出部(8)自该支承料槽底部突出，所述支承突出部构成被侧壁(10)围绕的、位于支承平面(E)中的支承区(9)，所述支承区离围绕支承突出部(8)的槽(5)的底部(6)具有比离支承料槽底部(4)更大的垂直距离，其特征在于，槽(5)在凹陷(11)中延伸，所述凹陷的垂直高度位于槽(5)的底部(6)与支承料槽底部(4)之间。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，支承突出部(8)和/或围绕支承突出部(8)的槽(5)具有离定位侧边(3)的水平距离。3.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，槽(5)与定位侧边(3)之间的水平距离通过凹陷(11)的第一部段(16)填充。4.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，设有凹陷(11)的与第一凹陷部段(16)相连的、邻接在定位侧边(3)上的第二部段(17)。5.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，第一凹陷部段(16)和两个第二凹陷部段(17)连同与第一凹陷部段(16)相对置的第三凹陷部段(...

【专利技术属性】
技术研发人员：J奥多德，D克莱森斯，O菲隆，
申请(专利权)人：艾克斯特朗欧洲公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE