【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于获得关于由多个依次进行的步骤构成的过程的信息的方法，该过程用于在反应器的过程腔中的衬底上沉积至少一个层、尤其半导体层，其中，使用至少包含用于致动器的调节数据的时间序列的原始数据。本专利技术此外还涉及一种设备，其设定用于利用电子控制装置、尤其利用控制计算机实施根据本专利技术的方法。
技术介绍
1、在机械制造中已知，在与过程相关的或与机器结构相关的部位上给机器装备传感器，利用传感器确定测量值、例如温度测量值或振动测量值。测量值被存储，并且由计算装置评估。在此，这些测量值在数学上建立关系。这通过将测量值添加到数学公式中来进行，数学公式以数字方式反映了机器的功能和设计结构。在文献中，对机器的功能原理的这种监视是指存储在计算设备中的“数字双胞胎(或者说数字孪生)”。
2、us2015/0039117 a1公开了一种半导体制造装置，其中，利用多个传感器收集测量值。测量值在电子计算单元中被处理，其中，从多个测量值形成子群。
3、us2008/0275586 a1描述了一种用于制造被涂层的晶片的方法，其中，数据被评估，从而可以对涂层过程的结果做出预测。
4、us2009/0276077 a1描述了用于获得关于cvd过程的信息的方法，其中，借助数字模型来处理测量数据。
技术实现思路
1、本专利技术涉及一种用于确定关于由多个依次进行的步骤构成的用于尤其沉积半导体层的过程的信息的方法，其中，半导体层尤其是一种层序列的层。本专利技术此外还涉及一种用...
【技术保护点】
1.一种用于制造半导体结构元件的方法，其中，在当前过程中，在一个或多个当前过程步骤(P1至Pn)中，按照包含原始数据(RD)的配方将至少一个层沉积在反应器(14)的过程腔(15)中的衬底(18)上，以及，在先前执行的一个或多个历史过程中，在多个历史过程步骤(P1至Pn)中，分别按照包含原始数据(RD)的配方将至少一个层沉积在反应器(14)的过程腔(15)中的衬底(18)上，
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，日志文件(40)中存储有调节数据(SD)的时间序列和传感器(3、4、4'、24、25、47)的测量值(MW)的时间序列。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，只有当所述当前过程的所有当前过程步骤(P1至Pn)至少在顺序和/或类型和/或持续时间上与先前执行的过程的历史过程步骤(P1至Pn)在预设的限制内一致时，才将过程步骤参量(PG)与比较参量(VG)进行比较。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述比较参量(VG)分别包含关于多个先前的历史过程的测量值(MW)在时间上被平均的平均值和分散范围的值。
5.根据
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在确定过程步骤参量(PG)或比较参量(VG)时，启动效应被隐藏和/或由测量值形成平均值和/或形成与平均值的平均偏差。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，仅使用调节数据(SD)来获得过程参数(PP)。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，过程参数(PP)尤其仅从如下致动器(2、4、6、9、11、23)的调节数据(SD)获得，所述致动器在过程步骤(Pi)期间通过改变致动器的调节值来影响测量值(MW)。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，从仅如下致动器(2、4、6、9、11、23)的调节数据(SD)获得过程参数(PP)，所述致动器的调节值影响：过程腔(15)中的温度，从包含液体或固体的源(12)利用运载气体传输到过程腔(15)中的金属有机原料的质量流量，特别是利用运载气体传输到过程腔(15)中的氢化物的质量流量和/或过程腔(15)中的总压力。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述调节数据(SD)是用于调节阀(6、9)的调节值，和/或用于质量流量调节器(4)、压力调节器(4’)的额定值预设。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述调节数据(SD)是用于源压力的值和/或用于控制过程腔压力和/或控制温度调节器(23)的值。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测量值(MW)是温度传感器(24、25)的温度测量值、光学传感器或压力传感器(3)的压力测量值。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，测量值(MW)是衬底(18)的表面温度、基座(17)的表面温度、衬底(18)的光学特性和/或沉积在衬底(18)上的层的层厚。
14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述过程参数(PP)是通过选择的阀(6、9)、质量流量调节器(4)、压力调节器(4’)和必要时温度调节器(26)的调节值(SD)计算出的气态原料向过程腔(15)中的质量流量。
15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，从固态或液态的源(10)的温度调节器(26)的温度调节值、从流过源容器(12)的运载气体的质量流量并且从源容器(12)中的气压在利用其热力学关联的情况下以及从配属于源(10)的阀的位置计算出过程参数(PP)。
16.一种用于执行方法的设备，包括：形成过程腔(15)的反应器(14)；具有多路阀(2、9)、质量流量调节器(4)和压力调节器(4’)的气体混合系统，以便将由源(5、10)提供的气态的原料馈入过程腔(15)中；可编程的计算装置，所述计算装置具有存储器，在所述存储器中，用于致动器(2、4、6、9、11、23)的调节数据(SD)以时间序列存储在配方文件和/或日志文件(40)中，并且传感器(3、4、24、25)的测量值(MW)作为原始数据(RD)和其时间基准一起存储在日志文件(40)中，
...【技术特征摘要】
1.一种用于制造半导体结构元件的方法，其中，在当前过程中，在一个或多个当前过程步骤(p1至pn)中，按照包含原始数据(rd)的配方将至少一个层沉积在反应器(14)的过程腔(15)中的衬底(18)上，以及，在先前执行的一个或多个历史过程中，在多个历史过程步骤(p1至pn)中，分别按照包含原始数据(rd)的配方将至少一个层沉积在反应器(14)的过程腔(15)中的衬底(18)上，
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，日志文件(40)中存储有调节数据(sd)的时间序列和传感器(3、4、4'、24、25、47)的测量值(mw)的时间序列。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，只有当所述当前过程的所有当前过程步骤(p1至pn)至少在顺序和/或类型和/或持续时间上与先前执行的过程的历史过程步骤(p1至pn)在预设的限制内一致时，才将过程步骤参量(pg)与比较参量(vg)进行比较。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述比较参量(vg)分别包含关于多个先前的历史过程的测量值(mw)在时间上被平均的平均值和分散范围的值。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，如果所述过程步骤参量(pg)在比较参量(vg)的平均值附近的分散范围内，那么所述过程参量(pg)被视为在预设的限制内与比较参量(vg)一致，并且如果所述过程步骤参量(pg)在所述分散范围外，那么所述过程参量(pg)被视为在预设的限制内与比较参量不一致。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在确定过程步骤参量(pg)或比较参量(vg)时，启动效应被隐藏和/或由测量值形成平均值和/或形成与平均值的平均偏差。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，仅使用调节数据(sd)来获得过程参数(pp)。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，过程参数(pp)尤其仅从如下致动器(2、4、6、9、11、23)的调节数据(sd)获得，所述致动器在过程步骤(pi)期间通过改变致动器的调节值来影响测量值(mw)。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，从仅如下致动器(2、4、6、9、11、23)的调节数据(sd)获得过程参数...
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