QLED器件及其制备方法技术

本发明专利技术属于平板显示技术领域，尤其涉及一种QLED器件及其制备方法。QLED器件包括依次层叠设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，空穴注入层包括层叠设置的硫化物层和氧化物层；硫化物层的材料包含化学物质为MNx化合物，其中，M＝Mo/W/V/Nb/Ta/Cu，N＝S/Se，X＝1‑2；氧化物层的材料包含氧化钼、氧化钒、氧化钨和氧化镍中的至少一种。氧化物层改变并提高了硫化物层的功函数，使其更接近PEDOT：PSS的功函数，更利于和阳极形成有效的欧姆接触；同时保留硫化物层的高载流子迁移率，没有对硫化物层的化学结构产生破坏，所以提高了QLED器件的效率。

QLED device and its preparation method

The invention belongs to the technical field of flat panel display, in particular to a QLED device and a preparation method thereof. QLED devices consist of stacked substrates, anodes, hole injection layers, hole transport layers, quantum dot luminescence layers, electron transport layers and cathodes, and hole injection layers consist of stacked sulfide layers and oxide layers. The materials of sulfide layers consist of MNx compounds, in which M = Mo/W/V/Nb/Ta/Cu, N = S/S. Se, X = 1 2; The oxide layer consists of at least one of molybdenum oxide, vanadium oxide, tungsten oxide and nickel oxide. The oxide layer changes and improves the work function of the sulfide layer, making it closer to the work function of PEDOT: PSS, which is more conducive to the formation of effective ohmic contact with the anode, while retaining the high carrier mobility of the sulfide layer without destroying the chemical structure of the sulfide layer, thus improving the efficiency of QLED devices.

【技术实现步骤摘要】
QLED器件及其制备方法
本专利技术属于平板显示
，尤其涉及一种QLED器件及其制备方法。
技术介绍
量子点发光二极管(QuantumDotLightEmittingDiodes，QLED)的发光中心由量子点(Quantumdots)物质构成，由于量子点具有尺寸可调节的发光、发光线宽窄、光致发光效率高和热稳定性等特点，量子点发光二极管成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点，近年来在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。PEDOT：PSS是由PEDOT(3,4-乙烯二氧噻吩单体聚合物)和PSS(聚苯乙烯磺酸钠)两种物质构成的一种高分子聚合物水溶液。目前在QLED器件中，PEDOT：PSS广泛用来修饰ITO(氧化铟锡)以提高其功函数，由于PEDOT：PSS自身具有易吸水和酸性的特点，从而导致QLED器件容易衰减。为了解决上述问题，很多研究开始使用无机物材料来替代有机的PEDOT：PSS，如氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化镍等。除了这些常见的金属氧化物以外，金属硫化物也被用来替代PEDOT：PSS，例如硫化钼和硫化铜。硫化物本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种QLED器件，包括依次层叠设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其特征在于，所述空穴注入层包括层叠设置的硫化物层和修饰所述硫化物层的氧化物层，所述硫化物层与所述阳极结合；所述硫化物层的材料包含化学物质为MNx化合物，其中，M＝Mo/W/V/Nb/Ta/Cu，N＝S/Se，X＝1‑2；所述氧化物层的材料包含氧化钼、氧化钒、氧化钨和氧化镍中的至少一种。

【技术特征摘要】
1.一种QLED器件，包括依次层叠设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其特征在于，所述空穴注入层包括层叠设置的硫化物层和修饰所述硫化物层的氧化物层，所述硫化物层与所述阳极结合；所述硫化物层的材料包含化学物质为MNx化合物，其中，M＝Mo/W/V/Nb/Ta/Cu，N＝S/Se，X＝1-2；所述氧化物层的材料包含氧化钼、氧化钒、氧化钨和氧化镍中的至少一种。2.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述氧化物层的厚度为0.2nm-1nm；和/或所述硫化物层的厚度为2nm-15nm。3.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料包括NiO、CuO、CuS、TFB、PVK、Poly-TPD、TCTA、CBP中的至少一种。4.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述量子点发光层的材料包括红光量子点、绿光量子点、蓝光量子点、黄光量子点、红外光量子点和紫外光量子点中的至少一种。5.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述电子传输层的材料包括n型ZnO、n型TiO2、...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宇，曹蔚然，李龙基，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44