半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括相邻第一区域和第二区域，第一区域用于形成第一器件，第二区域用于形成第二器件，第一器件和第二器件的掺杂类型不同；在基底上形成第二区域功能层；在第二区域功能层上依次形成第一底部抗反射涂层和第二底部抗反射涂层，第二底部抗反射涂层致密度小于第一底部抗反射涂层；在第二区域第二底部抗反射涂层上形成光刻胶层；以光刻胶层为掩膜刻蚀第一区域的第二底部抗反射涂层和第一底部抗反射涂层；以第二区域的光刻胶层为掩膜刻蚀第一区域的第二区域功能层。相比仅采用第一底部抗反射涂层的方案，本发明专利技术缩短了刻蚀工艺的时间，降低第二区域第二底部抗反射涂层和第一底部抗反射涂层的损耗程度。

Semiconductor Structure and Its Formation Method

A semiconductor structure and its forming method include: providing a substrate, including adjacent first and second regions, the first region for forming a first device, the second region for forming a second device, the doping types of the first device and the second device are different, forming a second region functional layer on the base, and the second region for forming a second device. The first bottom anti-reflection coating and the second bottom anti-reflection coating are formed successively on the domain functional layer, and the density of the second bottom anti-reflection coating is less than that of the first bottom anti-reflection coating; the photoresist layer is formed on the second bottom anti-reflection coating of the second region; and the second bottom anti-reflection coating of the first region is etched with the photoresist layer as the mask. The photoresist layer of the second region is used as a mask to etch the second functional layer of the first region. Compared with the scheme using only the first bottom anti-reflection coating, the invention shortens the etching process time and reduces the loss degree of the second bottom anti-reflection coating and the first bottom anti-reflection coating in the second region.

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高的集成度的方向发展。晶体管作为最基本的半导体器件目前正被广泛应用，因此随着半导体器件的元件密度和集成度的提高晶体管的特征尺寸也越来越小，为了降低晶体管栅极的寄生电容、提高器件速度，高k栅介质层与金属栅极的栅极结构被引入到晶体管中。然而，在高k栅介质层上形成金属栅极时仍有许多问题亟待解决，其中一个就是功函数的匹配问题，因为功函数将直接影响器件的阈值电压(Vt)和晶体管的性能。所以在高k金属栅结构中引入功函数层，从而实现对器件阈值电压的调节。但是即使在高k金属栅结构中引入功函数层，现有技术中半导体器件的电学性能仍有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，提高所形成半导体器件的电学性能。为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括相邻的第一区域和第二区域，所述第一区域用于形成第一器件，所述第二区域用于形成第二器件，且所述第一器件和第二器件的掺杂类型不本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括相邻的第一区域和第二区域，所述第一区域用于形成第一器件，所述第二区域用于形成第二器件，且所述第一器件和第二器件的掺杂类型不同；在所述基底上形成第二区域功能层；在所述第二区域功能层上依次形成第一底部抗反射涂层和第二底部抗反射涂层，所述第二底部抗反射涂层的致密度小于所述第一底部抗反射涂层的致密度；在所述第二区域的第二底部抗反射涂层上形成光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀去除所述第一区域的第二底部抗反射涂层和第一底部抗反射涂层；以第二区域的所述光刻胶层为掩膜，刻蚀去除所述第一区域的第二区域功能层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括相邻的第一区域和第二区域，所述第一区域用于形成第一器件，所述第二区域用于形成第二器件，且所述第一器件和第二器件的掺杂类型不同；在所述基底上形成第二区域功能层；在所述第二区域功能层上依次形成第一底部抗反射涂层和第二底部抗反射涂层，所述第二底部抗反射涂层的致密度小于所述第一底部抗反射涂层的致密度；在所述第二区域的第二底部抗反射涂层上形成光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀去除所述第一区域的第二底部抗反射涂层和第一底部抗反射涂层；以第二区域的所述光刻胶层为掩膜，刻蚀去除所述第一区域的第二区域功能层。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一底部抗反射涂层和第二底部抗反射涂层的厚度之比为2:3至1:1。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一底部抗反射涂层和第二底部抗反射涂层的总厚度为至4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一底部抗反射涂层的型号为AR201，所述第二底部抗反射涂层的型号为AR245。5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一器件为N型器件，所述第二器件为P型器件；或者，所述第一器件为P型器件，所述第二器件为N型器件。6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二区域功能层为P型功函数层或N型功函数层。7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤中，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上分立的鳍部；在所述基底上形成第二区域功能层的步骤中，形成横跨所述鳍部的第二区域功能层，所述第二区域功能层覆盖所述鳍部的部分顶部表面和侧壁表面。8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第二区域功能层上依次形成第一底部抗反射涂层和第二底部抗反射涂层的步骤包括：在所述第二区域功能层上形成第一底部抗反射涂层，所述第一底部抗反射涂层的顶部高于所述鳍部顶部；去除部分厚度的所述第一底部抗反射涂层；在剩余第一底部抗反射涂层上形成第二底部抗反射涂层。9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分厚度的所述第一底部抗反射涂层后，剩余第一底部抗反射涂层的顶部低于所述鳍部顶部，且所述鳍部露出于所述剩余第一底部抗反射涂层的厚度为至10.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底后，在所述基底上形成第二区域功能层之前，所述形成方法还包括：形成横跨所述鳍部的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖所述鳍部的部分顶部表面和侧壁表面；分别在所述第一区域和第二区域伪栅结构两侧的鳍部内形成源漏掺杂区；形成所述源漏掺杂区后，在所述伪栅结构露出的衬底上形成层间介质层，所述层间介质层露出所述伪栅结构顶部；去除所述伪栅结构，在所述层间介质层内形成栅极开口；在所述栅极开口的底部和侧壁上形成栅介质层，所述栅介质层横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部的部分顶部表面和侧壁表面；在所述基底上形成第...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜丽娟，曹轶宾，赵杰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31