半导体器件的制作方法技术

一种半导体器件的形成方法，其包括：提供基底结构，所述基底结构包括晶体管，所述晶体管包括栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的源极、漏极；进行预清洗；进行预清洗后至少在所述源极、漏极的表面形成金属层；向所述源极、漏极的表面掺入掺杂物，所述掺杂物的类型与所述源极、漏极的掺杂类型相同；进行退火，以使掺入了所述掺杂物的所述金属层与所述源极、漏极的表层反应生成金属硅化物。本发明专利技术的技术方案进一步缩小了晶体管源极和漏极的接触电阻。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制作方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件的制作方法。
技术介绍
随着集成电路工艺节点不断缩小，晶体管的源极、漏极与插塞的接触面积越来越小，使得晶体管的源极、漏极与插塞的接触电阻随之增大，影响了晶体管的电学性能。为了减小源极和漏极的接触电阻，一般会在源极和漏极的表面形成金属硅化物。该金属硅化物的形成方法包括：在晶体管的表面形成金属层，然后，进行退火处理，使得金属层与源极、漏极的表层发生反应生成金属硅化物，最后，去除未发生反应的金属层。然而，随着集成电路工艺节点进一步的缩小，仅通过金属硅化物来减小接触电阻已不能满足器件的要求，如何进一步的减小源极和漏极的接触电阻成为业界亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题：如何进一步的缩小晶体管源极和漏极的接触电阻。为了解决上述问题，本专利技术的一个实施例提供了一种半导体器件的形成方法，其包括：提供基底结构，所述基底结构包括晶体管，所述晶体管包括栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的源极、漏极；进行预清洗；进行所述预清洗后，至少在所述源极、漏极的表面形成金属层；向所述源极、漏极的表面掺入掺杂物，所述掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底结构，所述基底结构包括晶体管，所述晶体管包括栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的源极、漏极；进行预清洗；进行所述预清洗后，至少在所述源极、漏极的表面形成金属层；向所述源极、漏极的表面掺入掺杂物，所述掺杂物的类型与所述源极、漏极的掺杂类型相同；进行退火，以使掺入了所述掺杂物的所述金属层与所述源极、漏极的表层反应生成金属硅化物。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底结构，所述基底结构包括晶体管，所述晶体管包括栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的源极、漏极；进行预清洗；进行所述预清洗后，至少在所述源极、漏极的表面形成金属层；向所述源极、漏极的表面掺入掺杂物，所述掺杂物的类型与所述源极、漏极的掺杂类型相同；进行退火，以使掺入了所述掺杂物的所述金属层与所述源极、漏极的表层反应生成金属硅化物。2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述源极、漏极的表面形成金属层之后，向所述源极、漏极的表面掺入掺杂物。3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在所述源极、漏极的表面形成金属层之后，向所述源极、漏极的表面掺入掺杂物之前，在所述金属层上形成保护层；向所述源极、漏极的表面掺入掺杂物之后，去除所述保护层。4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，向所述源极、漏极的表面掺入掺杂物之后，执行所述进行退火的步骤之前，去除所述保护层。5.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括氧化硅。6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在所述源极、漏极上形成插塞。7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述基底结构还包括覆盖所述晶体管的层间介电层，所述插塞的形成方法包括：在所述预清洗之前，在所述层间介电层内形成露出所述源极、漏极的接触孔；...

【专利技术属性】
技术研发人员：周飞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31