半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构包括栅极以及位于栅极侧壁上的侧墙，所述栅极结构两侧的基底中形成有源漏掺杂区；在所述侧墙的侧壁上形成牺牲层；对所述源漏掺杂区进行预非晶化离子注入处理。本发明专利技术形成的半导体结构的电学性能得到提高。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着半导体技术的飞速发展，半导体器件的特征尺寸不断缩小，使得集成电路的集成度越来越高，这对器件的性能也提出了更高的要求。目前，随着金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的尺寸不断变小。为了适应工艺节点的减小，只能不断缩短MOSFET场效应管的沟道长度。沟道长度的缩短具有增加芯片的管芯密度、增加MOSFET场效应管的开关速度等好处。然而，随着器件沟道长度的缩短，器件源极与漏极间的距离也随之缩短，这样一来栅极对沟道的控制能力变差，栅极电压夹断(pinchoff)沟道的难度也越来越大，使得亚阀值漏电现象，即短沟道效应(SCE：short-channeleffects)成为一个至关重要的技术问题。因此，为了更好的适应器件尺寸按比例缩小的要求，半导体工艺逐渐开始从平面MOSFET晶体管向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应管(FinFET)。FinFET具有很好的沟道控制能力。现有技术形成的半导体结构的电学性能有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构包括栅极以及位于栅极侧壁上的侧墙，所述栅极结构两侧的基底中形成有源漏掺杂区；在所述侧墙的侧壁上形成牺牲层；对所述源漏掺杂区进行预非晶化离子注入处理。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构包括栅极以及位于栅极侧壁上的侧墙，所述栅极结构两侧的基底中形成有源漏掺杂区；在所述侧墙的侧壁上形成牺牲层；对所述源漏掺杂区进行预非晶化离子注入处理。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为：SiO2、SiC或者SiON中的一种或者多种。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度在30埃至150埃范围内。4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲层的步骤包括：在所述基底以及栅极结构的侧壁和顶部上形成牺牲膜；在所述牺牲膜上形成硬掩膜；以所述硬掩膜为掩膜刻蚀所述牺牲膜，去除位于所述基底以及栅极结构顶部上的牺牲膜，形成所述牺牲层。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲膜的工艺为化学气相沉积工艺。6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除位于所述基底以及栅极结构顶部上的牺牲膜的工艺为干法刻蚀工艺。7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述源漏掺杂区进行预非晶化离子注入处理的掺杂离子为：C、Ge或者Si中的一种或者多种。8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述预非晶化离子注入处理的工艺参数包括：掺杂离子的注入能量为5...

【专利技术属性】
技术研发人员：周飞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31