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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括相邻第一区域和第二区域，第一区域用于形成第一器件，第二区域用于形成第二器件，第一器件和第二器件的掺杂类型不同；在基底上形成第二区域功能层；在第二区域功能层上依次形成第一底部抗反射涂层和第二...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。