半导体元件及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件及其制作方法。制作半导体元件的方法，首先提供一材料层，该材料层中具有一接触垫，然后形成一介电层于材料层及接触垫上，再形成一掺杂氧化层于介电层上，形成一氧化层于掺杂氧化层上。接着进行一第一蚀刻制作工艺去除部分氧化层、部分掺杂氧化层以及部分介电层以形成一第一接触洞，进行一第二蚀刻制作工艺去除部分掺杂氧化层以形成一第二接触洞，之后再填入一导电层于第二接触洞内以形成接触插塞。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制作方法
本专利技术涉及一种制作半导体元件的方法，尤其是涉及一种制作动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory,DRAM)单元内的接触插塞的方法。
技术介绍
随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory,DRAM)单元的设计也必须符合高集成度及高密度的要求。对于一具备凹入式栅极结构的DRAM单元而言，由于其可以在相同的半导体基底内获得更长的载流子通道长度，以减少电容结构的漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面栅极结构的DRAM单元。一般来说，具备凹入式栅极结构的DRAM单元会包含一晶体管元件与一电荷贮存装置，以接收来自于位线及字符线的电压信号。然而，受限于制作工艺技术之故，现有具备凹入式栅极结构的DRAM单元仍存在有许多缺陷，还待进一步改良并有效提升相关存储器元件的效能及可靠度。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术公开一种制作半导体元件的方法。首先提供一材料层，该材料层中具有一接触垫，然后形成一介电层于材料层及接触垫上，再形成一掺杂氧化层于介电层上，形成一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制作半导体元件的方法，包含：提供一材料层，该材料层中具有一接触垫；形成一介电层于该材料层及该接触垫上；形成一掺杂氧化层于该介电层上；形成一氧化层于该掺杂氧化层上；进行一第一蚀刻制作工艺去除部分该氧化层、部分该掺杂氧化层以及部分该介电层以形成一第一接触洞；进行一第二蚀刻制作工艺去除部分该掺杂氧化层以形成一第二接触洞；以及填入一导电层于该第二接触洞内以形成接触插塞。

【技术特征摘要】
1.一种制作半导体元件的方法，包含：提供一材料层，该材料层中具有一接触垫；形成一介电层于该材料层及该接触垫上；形成一掺杂氧化层于该介电层上；形成一氧化层于该掺杂氧化层上；进行一第一蚀刻制作工艺去除部分该氧化层、部分该掺杂氧化层以及部分该介电层以形成一第一接触洞；进行一第二蚀刻制作工艺去除部分该掺杂氧化层以形成一第二接触洞；以及填入一导电层于该第二接触洞内以形成接触插塞。2.如权利要求1所述的方法，其中该介电层包含氮化硅。3.如权利要求1所述的方法，其中该掺杂氧化层包含硼磷硅酸盐(borosilicatephosphosilicateglass,BPSG)或磷硅酸盐(phosphosilicateglass,PSG)。4.如权利要求1所述的方法，该氧化层包含四乙氧基硅烷(tetraethylorthosilicate,TEOS)。5.如权利要求1所述的方法，其中该第二蚀刻制作工艺所使用的气体是选自由氨气以及三氟化氮所构成的群组。6.如权利要求1所述的方法，其中该第二蚀刻制作工艺中掺杂氧化层对氧化层的蚀刻选择比是200:1。7.如权利要求1所述的方法，其中该掺杂氧化层及该介电层之间包含一第一阶梯部。8.如权利要求1所述的方法，其中该掺杂氧化层及氧化层之间包含一第二阶梯部。9.如权利要求1所述的方法，其中接触插塞包含钨。10.如权利要求1所述的方法，其中该接触插塞包含一第一部分设于该介电层内、一...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖家梁，张峰溢，李甫哲，陈界得，詹益旺，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71