温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开一种半导体元件及其制作方法。制作半导体元件的方法，首先提供一材料层，该材料层中具有一接触垫，然后形成一介电层于材料层及接触垫上，再形成一掺杂氧化层于介电层上，形成一氧化层于掺杂氧化层上。接着进行一第一蚀刻制作工艺去除部分氧化层、部...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。